手機(jī)數(shù)字基帶處理芯片中的靜態(tài)時(shí)序分析

　　根據(jù)以上對(duì)靜態(tài)時(shí)序分析的介紹，我們做門級(jí)仿真也應(yīng)該分別仿真功能模式和測(cè)試模式下的best case、typical case、worst case三種情況，但是側(cè)重點(diǎn)有所不同。功能模式下，大部分電路我們只需要驗(yàn)證worst case和best case就可以認(rèn)為是正確的，但是在我們芯片的設(shè)計(jì)中，曾經(jīng)過出現(xiàn)worst case和best case通過而typical case仿真失敗的情況。這是因?yàn)橛械碾娐分屑拇嫫骷?jí)數(shù)太多，時(shí)鐘偏移（clock skew）對(duì)電路的影響造成的。雖然這種情況即使在百萬門級(jí)以上的設(shè)計(jì)中也很少見，但為了提高芯片成功率，對(duì)于關(guān)鍵路徑，關(guān)鍵模塊，需要仿真3中情況。測(cè)試模式一般工作在室溫環(huán)境，它的仿真我們只需要關(guān)心typical case就可以了。

　　靜態(tài)時(shí)序分析工具無法驗(yàn)證異步時(shí)鐘的電路。然而現(xiàn)在芯片中可能存在異步時(shí)鐘電路，如我們的TDS-CDMA數(shù)字基帶處理芯片中，就有二十幾個(gè)異步時(shí)鐘域。在PT中，所有異步時(shí)鐘域的路徑都必須被設(shè)為false_path（表示不關(guān)心該路徑）。由于RTL級(jí)功能仿真也不能發(fā)現(xiàn)異步時(shí)鐘域之間信號(hào)的錯(cuò)誤，我們?cè)陂T級(jí)仿真時(shí)需要特別注意異步時(shí)鐘域之間的信號(hào)的驗(yàn)證。

　　我們還可能遇到門級(jí)仿真失敗，但是PT中并沒有報(bào)錯(cuò)的情況。經(jīng)過反復(fù)試驗(yàn)分析，可能會(huì)有以下幾種情況導(dǎo)致它們的結(jié)果不一致：

　　1、VCS不支持負(fù)的輸入輸出路徑延遲，但是PT是支持的。當(dāng)VCS遇到負(fù)輸入輸出路徑延遲，它就自動(dòng)認(rèn)為它是0。這樣就導(dǎo)致了錯(cuò)誤。

　　2、新版本的PT產(chǎn)生的SDF文件有關(guān)于信號(hào)沿的信息。如果我們用老版本的庫(kù)或存儲(chǔ)器模型沒有包含這種沿的信息，PT將會(huì)認(rèn)為它是一條更長(zhǎng)的路徑。而VCS仍然用標(biāo)準(zhǔn)的延遲來計(jì)算，就導(dǎo)致結(jié)果不一致?？梢?，一套完善的EDA工具很復(fù)雜，不同版本之間的細(xì)微差別也可能導(dǎo)致我們驗(yàn)證的失敗。

　　3、最常見的原因是`timescale不同。如果設(shè)計(jì)和SDF文件中所設(shè)的`timescale不同，那么SDF文件中的反標(biāo)值可能被舍去。這就導(dǎo)致了靜態(tài)時(shí)序分析和動(dòng)態(tài)仿真的不匹配。所以，保證RTL代碼、庫(kù)文件、存儲(chǔ)器模型、SDF文件中的`timescale一致非常重要。

　　門級(jí)仿真是芯片流片前的最后一道驗(yàn)證。雖然能夠很好的反映芯片工作的真實(shí)情況，但是資源占用嚴(yán)重、時(shí)間長(zhǎng)。只有綜合利用動(dòng)態(tài)驗(yàn)證和靜態(tài)驗(yàn)證的優(yōu)點(diǎn)，才能高效準(zhǔn)確的完成一塊芯片的設(shè)計(jì)。

4.TDS-CDMA數(shù)字基帶處理芯片中的應(yīng)用

　　我們實(shí)驗(yàn)的對(duì)象TDS-CDMA數(shù)字基帶處理芯片，是一塊規(guī)模在1000萬門以上，130nm工藝的超大規(guī)模集成電路，其中包含ARM、DSP等硬核。在門級(jí)做全功能測(cè)試需要大量的人力物力資源，是很不現(xiàn)實(shí)的。我們?cè)趯?shí)際芯片中設(shè)計(jì)中采用靜態(tài)時(shí)序的分析加門級(jí)仿真的方法。

　　在芯片的設(shè)計(jì)過程中，我們?cè)趲讉€(gè)階段做靜態(tài)時(shí)序分析。

　　1）綜合之后先做一次STA。此時(shí)主要檢查：

　　1、電路設(shè)計(jì)的時(shí)序有沒有問題。如兩個(gè)寄存器之間有過多的組合邏輯，使電路不能運(yùn)行在需要的時(shí)鐘頻率上。

　　2、由于綜合工具（設(shè)計(jì)中用Design Complier）的算法限制，每一次綜合出的網(wǎng)表都不同。需要反復(fù)做綜合，直到網(wǎng)表的時(shí)序達(dá)到我們的期望。用這一版網(wǎng)表再繼續(xù)往下做。

　　因?yàn)闆]有具體的布局布線信息，此時(shí)的時(shí)序分析建立在線上負(fù)載模型（wire load model）上。線上負(fù)載模型是一種比較悲觀的模型，所以可能出現(xiàn)一些不是很嚴(yán)重的Violation?，F(xiàn)階段我們不需要關(guān)心這些，它們可以在布局布線時(shí)得到解決。

　　2）預(yù)布局之后：

　　這時(shí)候，元件的大概位置關(guān)系已經(jīng)確定?？梢酝ㄟ^靜態(tài)時(shí)序分析來解決布局中不合理的地方，以便修改。

　　3）布局布線完成后：

　　布局布線后可以從版圖中提取精確的器件和網(wǎng)絡(luò)延遲得到SPEF (Standard Parasitic Exchange Format ) 文件，反標(biāo)到Prime Time SI中再做一次時(shí)序分析，這時(shí)可以得到基于版圖的精確的時(shí)序分析結(jié)果。

　　布局布線的過程中，需要不停的用STA來分析布局布線的結(jié)果。我們的芯片采用SMIC提供的0.13微米工藝的元件庫(kù)。他們提供了標(biāo)準(zhǔn)元件庫(kù)和HVT元件庫(kù)兩種。HVT元件的特點(diǎn)是漏電低，但是延時(shí)比較大。所以，剛開始的時(shí)候我們用HVT元件，做STA之后發(fā)現(xiàn)有的路徑不能滿足時(shí)序要求。我們?cè)儆靡恍?biāo)準(zhǔn)元件來替代這些HVT元件，反復(fù)不停比較，直到所有路徑都滿足時(shí)序要求為止。這樣，既最大程度的實(shí)現(xiàn)了低功耗，也滿足了時(shí)序要求。

　　在完成時(shí)序分析之后，用PT SI生成SDF（standard delay format）文件反標(biāo)到網(wǎng)表中做門級(jí)仿真。

　　此時(shí)的SDF文件不僅包含單元延遲和線延遲，也包含了版圖信息，串?dāng)_信息等。門級(jí)仿真可以得到最真實(shí)，最接近實(shí)際情況的結(jié)果。

5.結(jié)束語

　　靜態(tài)時(shí)序分析以它運(yùn)行速度很快、占用內(nèi)存較少，可以對(duì)芯片設(shè)計(jì)進(jìn)行全面的時(shí)序功能檢查，并利用時(shí)序分析的結(jié)果來優(yōu)化設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn)，很快地被用到數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)的驗(yàn)證中。然而門級(jí)仿真也由于它不可取代的地位在ASIC設(shè)計(jì)中仍有一席之地。結(jié)合在TDS-CDMA數(shù)字基帶處理芯片設(shè)計(jì)中的經(jīng)驗(yàn)，我們可以得出這樣的結(jié)論：靜態(tài)時(shí)序分析和門級(jí)時(shí)序仿真是從不同的側(cè)重點(diǎn)來分析電路以保證電路的時(shí)序正確，它們是相輔相成的?，F(xiàn)在，實(shí)驗(yàn)中的TDS-CDMA數(shù)字基帶處理芯片已經(jīng)成功流片。

　　本文作者創(chuàng)新點(diǎn)：在實(shí)踐中尋找到一種STA和門級(jí)仿真結(jié)合的新方法。在保證流片成功率的基礎(chǔ)上最大程度的節(jié)省芯片驗(yàn)證的時(shí)間。