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鋰離子電池管理芯片的研究及其低功耗設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2013-03-05 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

1.1鋰離子電池管理芯片的應(yīng)用及發(fā)展

1.1.1鋰離子電池的特點(diǎn)及應(yīng)用

早在1912年,以金屬鋰作為電極的鋰電池(Li Battery)的研究就開(kāi)始了,到上世紀(jì)七十年代,不可充電的鋰電池才首次應(yīng)用在商業(yè)領(lǐng)域。上世紀(jì)八十年代,研究的重點(diǎn)集中在可充電的鋰離子電池(Li-ion Battery)上,但并沒(méi)有成功解決電池的安全性問(wèn)題。一直到1991年,Sony公司首次實(shí)現(xiàn)了鋰離子電池商業(yè)化,被認(rèn)為是能源技術(shù)領(lǐng)域的一個(gè)重要的里程牌。

如表1.1所示,和Ni-Cd等其它二次電池相比,鋰離子電池具有更高的能量密度(包括質(zhì)量比能量和體積比能量)、更高的充放電循環(huán)、更低的放電率和更高的單節(jié)電池工作電壓(3.6V)。顯然,鋰離子電池的高工作電壓將有利于減小移動(dòng)裝備的尺寸,高能量密度將有利于電池的輕量化,低放電率也能保證存儲(chǔ)期間的正常使用。



這十幾年間,鋰離子電池的應(yīng)用獲得了巨大發(fā)展,現(xiàn)已成為通訊類電子產(chǎn)品的主要能源之一,被廣泛應(yīng)用在筆記本電腦、GSM/CDMA、數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)及PDA等高端便攜式消費(fèi)類電子產(chǎn)品中[2]。如果將1997年以前適應(yīng)筆記本電腦市場(chǎng)、降低電池成本、提高容量稱為鋰離子電池第一個(gè)黃金時(shí)期,那么在手機(jī)、攝像機(jī)等便攜電子產(chǎn)品的普及將使鋰離子電池產(chǎn)業(yè)進(jìn)入第二個(gè)黃金時(shí)期。比如,2004年94%的手機(jī)電池是鋰離子電池。隨著技術(shù)的發(fā)展,對(duì)鋰離子電池的需求將日益旺盛,2005年預(yù)計(jì)達(dá)12億只[3]。從鋰離子電池的生產(chǎn)和銷售分布來(lái)看,在2000年以前,日本是鋰離子電池的最大生產(chǎn)和銷售國(guó),市場(chǎng)占有率達(dá)到95%以上。但近年來(lái)隨著中國(guó)和韓國(guó)的迅速崛起,日本一支獨(dú)秀的格局已經(jīng)被逐漸打破,預(yù)計(jì)2005年日本鋰離子電池的全球市場(chǎng)占有率將跌至50%以下。

1.1.2鋰離子電池管理芯片的重要性

在鋰離子電池的研究開(kāi)發(fā)中,提高使用安全性問(wèn)題一直是研究的重點(diǎn)。由于質(zhì)量比能量高,而且電解液大多為有機(jī)易燃物等,當(dāng)電池?zé)崃慨a(chǎn)生速度大于散熱速度時(shí),就有可能出現(xiàn)安全性問(wèn)題。有研究指出,鋰離子電池在濫用時(shí),有可能達(dá)到700°C以上的高溫,從而導(dǎo)致電池出現(xiàn)冒煙、著火乃至爆炸;在過(guò)放電到低于1V時(shí),正極表面將析出銅,造成電池內(nèi)部短路;在過(guò)流情況下,電池內(nèi)部溫度也極易升高,使電池性能惡化乃至損壞。圖1.1.1給出了在過(guò)充電和過(guò)放電情況下,鋰離子電池內(nèi)部的化學(xué)反應(yīng)及性能的變化,式中M代表Co、Al、Ni等金屬離子。

過(guò)充電和過(guò)放電對(duì)鋰離子電池性能的影響

要提高鋰離子電池使用的安全性,除了進(jìn)行深入的機(jī)理研究,選擇合適的電極材料及優(yōu)化整體結(jié)構(gòu)之外,還必須通過(guò)電池外圍的集成電路(IC)對(duì)電池進(jìn)行有效的管理。有報(bào)道稱近年來(lái),電池管理(Battery Management)芯片,無(wú)論是銷售額還是銷售量在功耗管理(Power Management)芯片中有望增長(zhǎng)得最快。鋰離子電池管理目標(biāo)包含對(duì)電池電壓監(jiān)測(cè)、充放電電流監(jiān)測(cè)、溫度監(jiān)測(cè)、數(shù)據(jù)計(jì)算以及存儲(chǔ)。管理芯片中,包括保護(hù)電路、燃料檢測(cè)電路以及能夠?qū)嵭须姵財(cái)?shù)據(jù)傳輸?shù)南到y(tǒng)被稱為智能電池系統(tǒng)(Smart Battery System, SBS)。SBS電池組結(jié)構(gòu)如圖1.1.2所示,它由溫度傳感器、能檢測(cè)雙向電流的電流檢測(cè)器、ADC、EEPROM存儲(chǔ)器、時(shí)鐘、狀態(tài)/控制電路、與主系統(tǒng)單線接口及地址、鋰離子電池保護(hù)電路等組成。其中由ADC轉(zhuǎn)換的數(shù)字量存儲(chǔ)在相應(yīng)的存儲(chǔ)器內(nèi),通過(guò)單線接口與主系統(tǒng)連接,對(duì)內(nèi)部存儲(chǔ)器進(jìn)行讀/寫(xiě)的訪問(wèn)及控制。SBS除了能對(duì)電池進(jìn)行有效地保護(hù)之外,還能輸出電池剩余能量信號(hào)(可用LCD顯示),這將是鋰離子電池管理芯片發(fā)展的主要目標(biāo)。目前,SBS應(yīng)用的協(xié)議發(fā)展到了SBdata1.1(數(shù)據(jù)協(xié)議)和SMbus2.0(總線協(xié)議),而在IBM和索尼等筆記本電腦中,有幾個(gè)型號(hào)已采用了基于電池保護(hù)電路的SBS.

在鋰離子電池管理芯片中,保護(hù)電路由于能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電池電壓、充放電電流監(jiān)測(cè),它既能單獨(dú)內(nèi)置在鋰離子電池中,也能在SBS中充當(dāng)二次保護(hù)電路用,更可貴的是,它能實(shí)現(xiàn)對(duì)Ni-Cd、Ni-H電池的同等保護(hù),所以在電池管理芯片中占了很大的份額。

1.1.3電池管理芯片的發(fā)展現(xiàn)狀

目前,國(guó)外的Unitrode、Texas、Dallas等公司紛紛開(kāi)展了對(duì)鋰離子電池管理芯片的研究和開(kāi)發(fā)。和電池產(chǎn)量在全球市場(chǎng)占有率不斷下滑不同的是,日本的鋰離子電池管理芯片,尤其是保護(hù)電路的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā),始終在全球占有主導(dǎo)地位。最著名的產(chǎn)品是精工的S82系列、理光的R54系列和MITSUMI的MM3061系列等。其中,S82系列產(chǎn)品因?yàn)楣δ荦R全、精度高和功耗低,被認(rèn)為是鋰離子電池管理芯片設(shè)計(jì)的領(lǐng)跑者之一。而在中國(guó),除了臺(tái)灣有個(gè)別單位已開(kāi)發(fā)出了功能較為簡(jiǎn)單的保護(hù)芯片外,近年來(lái),雖然也有個(gè)別大陸單位開(kāi)始研究鋰離子電池保護(hù)電路,但都處于起步階段,精度低、沒(méi)有統(tǒng)一的保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)。更主要的是,目前國(guó)內(nèi)還沒(méi)有具有獨(dú)立自主產(chǎn)權(quán)的電路出現(xiàn)。

目前,為了在最長(zhǎng)的電池使用時(shí)間和最輕的重量之間取得平衡,越來(lái)越多的便攜式設(shè)備如手機(jī)、攝像機(jī)等都采用單節(jié)鋰離子電池作為主電源。目前單節(jié)鋰離子電池的管理芯片研究,重點(diǎn)在于:
①除了要對(duì)電池充電過(guò)程進(jìn)行有效管理外,還更迫切地需要實(shí)現(xiàn)對(duì)充電及使用過(guò)程的全程保護(hù)。這要求芯片不僅具有完備的保護(hù)功能,而且保護(hù)精度如電池電壓、延時(shí)時(shí)間的檢測(cè)和控制精度達(dá)到實(shí)用要求。

②應(yīng)該盡可能地降低功耗以延長(zhǎng)供電電池的使用壽命。作為封裝后電池的一部分,芯片的驅(qū)動(dòng)始終來(lái)自被管理的電池,因此要求芯片要有足夠低的電流消耗。

作為一個(gè)數(shù)?;旌闲盘?hào)電路,可以借鑒已有的一些功耗優(yōu)化方法,但是結(jié)合應(yīng)用特點(diǎn)降低功耗,還要進(jìn)行更深入的理論探索。

因此,研究以單節(jié)鋰離子保護(hù)電路為代表的電池管理芯片的低功耗,從系統(tǒng)功能實(shí)現(xiàn)到數(shù)模混合信號(hào)電路低功耗的設(shè)計(jì),對(duì)電池管理芯片的設(shè)計(jì)乃至SBS的開(kāi)發(fā)都將有相當(dāng)?shù)慕梃b作用。

1.2數(shù)?;旌闲盘?hào)電路的低功耗設(shè)計(jì)

1.2.1集成電路的低功耗設(shè)計(jì)動(dòng)因

在集成電路發(fā)展的早期到上世紀(jì)八十年代,功耗問(wèn)題并不是很突出。在這段時(shí)間內(nèi),由于電路系統(tǒng)規(guī)模普遍較小和CMOS工藝的興起,低功耗尚未被作為IC設(shè)計(jì)的重要因素。

在1968年,Intel公司的創(chuàng)始人之一G. Moore就預(yù)測(cè),每18到24個(gè)月,IC的集成度將提高一倍,這就是著名的Moore定律。而事實(shí)上,這四十多年來(lái),IC技術(shù)就是基本上遵循著Moore定律取得了巨大的發(fā)展。集成電路經(jīng)歷了從小規(guī)模集成(SSI)發(fā)展到超大規(guī)模(VLSI)到現(xiàn)在的甚大規(guī)模集成(ULSI),即一個(gè)芯片上可以包含一億以上的元件的水平。雖然量子效應(yīng)和經(jīng)濟(jì)的限制將使IC集成度增長(zhǎng)的速度趨緩,但是可以預(yù)見(jiàn)的是,隨著新技術(shù)的采用IC的集成度持續(xù)發(fā)展的勢(shì)頭將不會(huì)改變。同時(shí),系統(tǒng)的復(fù)雜度也在不斷地提高,即將不同功能的器件和電路都集成到一個(gè)芯片上,構(gòu)成一個(gè)系統(tǒng)集成芯片(SOC)。顯然,集成電路復(fù)雜度和集成度的提高使得低功耗正成為一個(gè)不可或缺的電路設(shè)計(jì)指標(biāo)。

首先,過(guò)高的功耗將使芯片容易過(guò)熱,電路可靠性下降,最終導(dǎo)致失效。有研究表明,溫度每升高10 C,器件的故障率將提高兩倍;另外,不斷增高的功耗將給芯片的封裝和散熱提出了更高的要求,這不僅會(huì)增加成本,而且在小型化應(yīng)用場(chǎng)合中,這種方案往往不被采納。

更重要的是,消費(fèi)類電子產(chǎn)品的發(fā)展和大量應(yīng)用推動(dòng)了對(duì)功耗問(wèn)題的研究。

低功耗的概念是由電子手表等工業(yè)首次提出的,而在小型化、高集成度的消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,為了降低電路成本、提高電路穩(wěn)定性、可靠性,更需要設(shè)計(jì)低功耗電路,以保證在集成度提高時(shí),單位面積維持同樣甚至更低的功耗。同時(shí),因?yàn)樵谶^(guò)去的三十年中電池的容量?jī)H僅增加了2~4倍,遠(yuǎn)沒(méi)有VLSI技術(shù)的發(fā)展迅速,所以在電池供電系統(tǒng)中,集成電路的低功耗設(shè)計(jì)是延長(zhǎng)電池使用壽命的最有效手段。此外,便攜式設(shè)備趨于使用更少的電池,以減小尺寸和重量,也必然要求電路實(shí)現(xiàn)低功耗。和十年前相比,消費(fèi)類電子產(chǎn)品在電子產(chǎn)業(yè)中的比例已從40%快速增長(zhǎng)到55%,因此可以說(shuō)消費(fèi)類電子產(chǎn)品是低功耗設(shè)計(jì)的主要推動(dòng)力。


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