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電源控制芯片中的過流保護(hù)設(shè)計

作者: 時間:2011-08-15 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/178755.htm

  圖2 是實現(xiàn)上述功能的電路框架圖,由過流比較模塊、邏輯等組成。

圖2 過流保護(hù)電路框架

圖2 過流電路框架

 2 電路

圖9 控制邏輯電路的仿真

圖9 邏輯電路的仿真

  閉環(huán)電路的整體仿真

  如圖10 所示,圖3 電路和外接LDMOS 形成一個閉環(huán)控制系統(tǒng)。仿真結(jié)果如圖11 所示:在沒有發(fā)生過流時,柵極電壓的占空比最大;有過流發(fā)生時,過流信號OverCurrent 將柵極電壓強(qiáng)制設(shè)置為低電平,關(guān)斷LDMOS,從而達(dá)到了過流效果。

圖10 閉環(huán)總體仿真原理圖

圖10 閉環(huán)總體仿真原理圖



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