有源箝位技術(shù)的PC電源設(shè)計
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3．2 同步整流MOS QF的功耗
在最壞條件下，QF功耗主要為導(dǎo)通損耗，其次為開關(guān)損耗。
開關(guān)損耗為開啟損耗及體二極管反向恢復(fù)損耗，兩項加在一起可按導(dǎo)通損耗的50％估算。
3．3 回流MOS QR的功耗
在最壞情況下，QR的功耗主要為導(dǎo)通損耗及體二極管反向恢復(fù)損耗。
3．4 其它損耗
(1)功率變壓器的損耗
功率變壓器損耗的計算很繁鎖，為簡化設(shè)計按總功率的1．5～1．8％估算，其損耗來源為銅損及鐵損，銅損由導(dǎo)線電阻造成，若是銅箔還有渦流損耗。鐵損即磁芯損耗，主要為磁滯損耗及渦流損耗。
(2)輸出濾波電感的損耗
輸出濾波電感的損耗與變壓器類似，主要是銅損及鐵損，按總功率的0．5～0．8％考慮估算。
(3)輸出濾波電容的損耗
輸出濾波電容的損耗主要為在開關(guān)頻率下的ESR、ESL以及電解電容的漏電造成，此部分開始估算時可以忽略。
(4)控制電路的功耗
控制電路的功耗包括初級的控制IC靜態(tài)功耗，對主功率MOS，箝位MOS的驅(qū)動功耗，對同步整流MOS的驅(qū)動功耗，反饋放大器及光耦部分的功耗，可按0．5％的總功耗估計。
4 其它設(shè)計
4．1 PFC設(shè)計
PFC按CCM方式設(shè)計，建議選擇ICE1PCS01或NCP1653。工作頻率建議選為PWM的一半，若能令兩者同步更為可取。主要求出升壓電感L，升壓二極管D，主功率MOSFET-Q的選擇及功耗計算，Bulk電容的計算和選擇。
對于PCB設(shè)計，由于有源箝位方式的工作頻率比雙晶正激電路高一倍多，所以它的PCB-Layout要給予更多的關(guān)注?？砂凑誔FC、PWM控制IC的應(yīng)用注意認(rèn)真處理。
4．2 輸出設(shè)計
對于5V及3．3V的輸出設(shè)計，建議選擇Post Regulator方案，當(dāng)然按成本考慮也可以采用磁放大器：在反饋系統(tǒng)設(shè)計時，建議選擇開環(huán)增益更高的運算放大器LM358。本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/178778.htm
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