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開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)薈萃

作者: 時(shí)間:2010-02-26 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

以其導(dǎo)通電阻低和負(fù)載電流大的突出優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為(switch-mode power supplies,SMPS)整流組件的最佳選擇,專用器的出現(xiàn)又為優(yōu)化SMPS控制器帶來(lái)了契機(jī)。那些與SMPS控制器集成在一起的器只適用于電路簡(jiǎn)單、輸出電流小的產(chǎn)品;而那些用分立的有源或無(wú)源器件搭成的電路既不能滿足對(duì)高性能的要求,也無(wú)法獲得專用單片式驅(qū)動(dòng)器件的成本優(yōu)勢(shì)。專用驅(qū)動(dòng)器的脈沖上升延時(shí)、下降延時(shí)和傳播延遲都很短暫,電路種類也非常齊全,可以滿足各類產(chǎn)品的設(shè)計(jì)需要。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/181039.htm

大電流柵極驅(qū)動(dòng)器

為中間總線架構(gòu)(IBA)系統(tǒng)的優(yōu)化的POL DC-DC轉(zhuǎn)換器、Intel及AMD微處理器的內(nèi)核穩(wěn)壓器、大電流扁平型 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、高頻和高效率 VRM 和 VRD,以及同步整流隔離等應(yīng)用都對(duì)較大電流的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器提出了迫切需求,這類 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器要能夠低開關(guān)損耗,提高工作效率,同時(shí)還要具備故障保護(hù)、引腳兼容等諸多特性,以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)更多的功能和更高的速度。

Intersil 公司剛剛推出的高頻 6A 吸入電流同步(sink synchronous)MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 ISL6615 和 ISL6615A就可以滿足上述要求。這些新器件有助于為系統(tǒng)安全提供更高的效率、靈活性和更多的保護(hù)功能。

以 ISL6615 為例,它采用一種同步整流降壓式轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),是一款專門用來(lái)驅(qū)動(dòng)高低 N溝道 MOSFET 的高速 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器,集成了 Intersil 的數(shù)字或模擬多相 PWM 控制器,形成了一款完整的高頻和高效率的穩(wěn)壓器。它可以在 4.5 V 至 13.2 V 下驅(qū)動(dòng)高低柵極。其驅(qū)動(dòng)電壓可以實(shí)現(xiàn)應(yīng)用所需的包括柵極電荷和導(dǎo)通損耗之間平衡在內(nèi)的靈活性的優(yōu)化。

新型驅(qū)動(dòng)器增加了柵極驅(qū)動(dòng)電流(UGATE 的流出和吸入柵極驅(qū)動(dòng)電流為 4A ,LGATE 的吸入和流出電流則分別為 6A 和 4A ),可以縮短?hào)艠O電壓上升、下降時(shí)間。這將最大限度地降低開關(guān)損耗并改善效率,尤其是在每相并聯(lián) MOSFET 的大電流應(yīng)用當(dāng)中。

ISL6615 和 ISL6615A 還支持 9.6V 和 12V 輸入軌。此外,設(shè)計(jì)人員可以選擇支持3.3 PWM 信號(hào)(ISL6615)或 5V PWM 信號(hào)(ISL6615A)的器件型號(hào)。每個(gè)器件都有 12 V 至 5 V 的寬輸入電壓工作范圍,所有器件都與 Intersil 的上一代 ISL6594D 引腳對(duì)引腳兼容。

為了提供給系統(tǒng)更高的安全保護(hù),兩款產(chǎn)品利用防止過(guò)充電的自舉電容器、三態(tài)PWM輸出安全輸出級(jí)關(guān)斷、預(yù) POR 過(guò)壓保護(hù)和 VCC 欠壓保護(hù)等多種保護(hù)來(lái)實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)。這種對(duì)系統(tǒng)安全的關(guān)注,加上改善的靈活性和更高的柵極驅(qū)動(dòng)效率,有助于設(shè)計(jì)人員保持電路板設(shè)計(jì)的一致性,同時(shí)實(shí)現(xiàn)諸多改善,并避免使用昂貴的低的 RDS(ON) MOSFET。

此外,ISL6615 還具有先進(jìn)的自適應(yīng)零擊穿死區(qū)時(shí)間控制、上電復(fù)位(POR)功能,以及多功能柵極驅(qū)動(dòng)電壓等特性。這些都有助于實(shí)現(xiàn)行業(yè)最佳的開關(guān)效率,而且無(wú)需重新設(shè)計(jì)電路板。

ESBT功率開關(guān)降低能耗、尺寸和成本

意法半導(dǎo)體推出STC03DE220HV ESBT(發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管)功率開關(guān),使設(shè)計(jì)工程師能夠提高單相和三相應(yīng)用輔助的能效,降低產(chǎn)品的成本、組件數(shù)量和尺寸。

STC03DE220HV是額定擊穿電壓2200V的ST ESBT新系列的首款產(chǎn)品。在電源電壓90V AC到690V AC的通用輸入轉(zhuǎn)換器中,新產(chǎn)品讓設(shè)計(jì)工程師采用單功率開關(guān)的反激式拓?fù)洹J褂靡粋€(gè)通用的硬件平臺(tái),再配合適合的控制器如L6565,ST完整的ESBT產(chǎn)品讓設(shè)計(jì)工程師能夠開發(fā)最大功率達(dá)到250W的準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器。

高效開關(guān)頻率高達(dá)150kHz,最大額定電流3A,STC03DE220HV可用于各種輔助,包括商用電表、感應(yīng)電機(jī)逆變器、電焊設(shè)備和不間斷電源(UPS)。強(qiáng)化的TO247-4L封裝是新產(chǎn)品的另一個(gè)亮點(diǎn),8.9mm的爬電距離超出了IEC664-1在最大2200V工作電壓下的絕緣要求。

集通態(tài)損耗低、來(lái)自傳統(tǒng)MOSFET的開關(guān)頻率高、柵驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)易等三大優(yōu)點(diǎn)于一身,STC03DE220HV利用ESBT優(yōu)化了標(biāo)準(zhǔn)雙極晶體管和高壓MOSFET。從集電極到源極,STC03DE220HV達(dá)到了0.33 歐姆的等效導(dǎo)通電阻,同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了150kHz 的最大開關(guān)頻率,如此高的工作頻率允許設(shè)計(jì)使用尺寸更小的濾波器。此外,整個(gè)裸片尺寸小于同級(jí)別電壓的高壓MOSFET,產(chǎn)品本身就實(shí)現(xiàn)了節(jié)省成本的目的。ESBT的正方形安全工作區(qū)(SOA)還有助于簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì),確保電源在各種環(huán)境中都有可靠的性能表現(xiàn)。


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