新聞中心

EEPW首頁 > 光電顯示 > 設(shè)計應(yīng)用 > OLED關(guān)鍵工藝

OLED關(guān)鍵工藝

作者: 時間:2012-02-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

氧化銦錫(ITO)基板前處理

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/200630.htm

(1)ITO表面平整度

ITO目前已廣泛應(yīng)用在商業(yè)化的顯示器面板制造,其具有高透射率、低電阻率及高功函數(shù)等優(yōu)點。一般而言,利用射頻濺鍍法(RF sputtering)所制造的ITO,易受工藝控制因素不良而導(dǎo)致表面不平整,進(jìn)而產(chǎn)生表面的尖端物質(zhì)或突起物。另外高溫鍛燒及再結(jié)晶的過程亦會產(chǎn)生表面約10 ~ 30nm的突起層。這些不平整層的細(xì)粒之間所形成的路徑會提供空穴直接射向陰極的機(jī)會,而這些錯綜復(fù)雜的路徑會使漏電流增加。一般有三個方法可以解決這表面層的影響?U一是增加空穴注入層及空穴傳輸層的厚度以降低漏電流,此方法多用于PLED及空穴層較厚的(~200nm)。二是將ITO玻璃再處理,使表面光滑。三是使用其它鍍膜方法使表面平整度更好。

(2) ITO功函數(shù)的增加

當(dāng)空穴由ITO注入HIL時,過大的位能差會產(chǎn)生蕭基能障,使得空穴不易注入,因此如何降低 ITO / HIL接口的位能差則成為ITO前處理的重點。一般我們使用O2-Plasma方式增加ITO中氧原子的飽和度,以達(dá)到增加功函數(shù)之目的。ITO經(jīng)O2- Plasma處理后功函數(shù)可由原先之4.8eV提升至5.2eV,與HIL的功函數(shù)已非常接近。

加入輔助電極,由于為電流驅(qū)動組件,當(dāng)外部線路過長或過細(xì)時,于外部電路將會造成嚴(yán)重之電壓梯度,使真正落于組件之電壓下降,導(dǎo)致面板發(fā)光強(qiáng)度減少。由于ITO電阻過大(10 ohm / square),易造成不必要之外部功率消耗,增加一輔助電極以降低電壓梯度成了增加發(fā)光效率、減少驅(qū)動電壓的快捷方式。鉻(Cr:Chromium)金屬是最常被用作輔助電極的材料,它具有對環(huán)境因子穩(wěn)定性佳及對蝕刻液有較大的選擇性等優(yōu)點。然而它的電阻值在膜層為100nm時為2 ohm / square,在某些應(yīng)用時仍屬過大,因此在相同厚度時擁有較低電阻值的鋁(Al:Aluminum)金屬(0.2 ohm / square)則成為輔助電極另一較佳選擇。但是,鋁金屬的高活性也使其有信賴性方面之問題因此,多疊層之輔助金屬則被提出,如:Cr / Al / Cr或Mo / Al / Mo,然而此類工藝增加復(fù)雜度及成本,故輔助電極材料的選擇成為OLED工藝中的重點之一。

陰極工藝

在高解析的OLED面板中,將細(xì)微的陰極與陰極之間隔離,一般所用的方法為蘑菇構(gòu)型法 (Mushroom structure approach),此工藝類似印刷技術(shù)的負(fù)光阻顯影技術(shù)。在負(fù)光阻顯影過程中,許多工藝上的變異因子會影響陰極的品質(zhì)及良率。例如,體電阻、介電常數(shù)、高分辨率、高Tg、低臨界維度(CD)的損失以及與ITO或其它有機(jī)層適當(dāng)?shù)酿ぶ涌诘取?/p>

封裝

(1)吸水材料

一般OLED的生命周期易受周圍水氣與氧氣所影響而降低。水氣來源主要分為兩種:一是經(jīng)由外在環(huán)境滲透進(jìn)入組件內(nèi),另一種是在OLED工藝中被每一層物質(zhì)所吸收的水氣。為了減少水氣進(jìn)入組件或排除由工藝中所吸附的水氣,一般最常使用的物質(zhì)為吸水材 (Desiccant)。Desiccant可以利用化學(xué)吸附或物理吸附的方式捕捉自由移動的水分子,以達(dá)到去除組件內(nèi)水氣的目的。

(2)工藝及設(shè)備開發(fā)

封裝工藝之流程如圖四所示,為了將Desiccant置于蓋板及順利將蓋板與基板黏合,需在真空環(huán)境或?qū)⑶惑w充入不活潑氣體下進(jìn)行,例如氮氣。值得注意的是,如何讓蓋板與基板這兩部分工藝銜接更有效率、減少封裝工藝成本以及減少封裝時間以達(dá)最佳量產(chǎn)速率,已儼然成為封裝工藝及設(shè)備技術(shù)發(fā)展的3大主要目標(biāo)。



關(guān)鍵詞: OLED 關(guān)鍵工藝

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉