3D NAND技術(shù)謹慎樂觀 中國存儲產(chǎn)能有望釋放

　　全球DRAM市場先抑后揚。2015年DRAM收入預(yù)計下降2.4%，2016年將下降10.6%，有望在2017年與2018年迎來復(fù)蘇。但是，預(yù)測隨著中國公司攜本地產(chǎn)品進入DRAM市場，DRAM價格將在2019年再次下降;占2014年內(nèi)存用量需求20.9%的傳統(tǒng)產(chǎn)品(桌面PC與傳統(tǒng)筆記本電腦)產(chǎn)量預(yù)計在2015年下降11.6%，并在2016年進一步下降6.7%。

　　DRAM市場2016年供過于求

　　近期，我們對于DRAM市場的預(yù)測不會發(fā)生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場總體營收下滑，而在2017年與2018年迎來市場復(fù)蘇，但是對2019年的預(yù)測結(jié)果將出現(xiàn)變數(shù)。此前，我們預(yù)計市場復(fù)蘇后會出現(xiàn)一定的營收下滑;現(xiàn)在，我們認為將出現(xiàn)的營收下降比預(yù)期更加嚴(yán)重。這一預(yù)測是基于中國將掌握DRAM技術(shù)，且本土產(chǎn)能將于2019年進入市場，從而導(dǎo)致價格戰(zhàn)與市場規(guī)模大幅下滑。

　　步入2016年，Gartner認為芯片產(chǎn)能將出現(xiàn)小幅增長，加之整體需求缺乏明顯亮點，將導(dǎo)致今年大部分時間供過于求。但是，隨著2017年與2018年需求走強，市場將快速反彈，整個行業(yè)將重新迎來收入增長。

　　到2019年，Gartner認為中國將通過與當(dāng)前某家大型廠商合作或通過收購小型廠商而初步獲得DRAM技術(shù)，逐步將本地制造的內(nèi)存產(chǎn)品推向市場。這種產(chǎn)能將在2018年建成并于2019年進入市場。

　　在DRAM市場需求方面，結(jié)構(gòu)化調(diào)整仍將繼續(xù)。傳統(tǒng)PC對于總體DRAM用量需求從2010年的51.7%降至2014年的20.9%;而隨著產(chǎn)量下降以及單機搭載率增長放緩，預(yù)計到2019年將繼續(xù)降至8.4%。但是，我們預(yù)計智能手機所占份額將從2014年的22.1%增至2019年的32.7%，實際市場峰值將出現(xiàn)在2017年。

　　2015年，智能手機取代PC與超級本和平板電腦的需求成為DRAM的最大市場。同時，由于構(gòu)建云服務(wù)需要更多服務(wù)器以及更高的DRAM配置，服務(wù)器份額將繼續(xù)增長;此外，內(nèi)存內(nèi)計算(Inmemorycomputing)在2016年的不斷普及將使服務(wù)器方面的需求超過傳統(tǒng)PC的需求。

　　四大應(yīng)用(傳統(tǒng)PC、超級本和平板電腦、智能手機與服務(wù)器)對DRAM需求總量仍將增長，占市場總量的比例將從2014年的65.7%增至2019年的67.2%。

　　2019年中國DRAM產(chǎn)能有望進入市場

　　2015年的DRAM容量供應(yīng)增速將達到20.4%。由于芯片新增產(chǎn)能以及20納米產(chǎn)量增長，DRAM供應(yīng)的增速將在2016年達到29.8%。自我們上一次預(yù)測以來，2015年與2016年總體容量供應(yīng)增速均有所下降;在2015年，比我們預(yù)測的增速低了1.8%，而在2016年，則比我們預(yù)測的增速低4.3%。

　　到2018年，中國企業(yè)或中國扶持的現(xiàn)有廠商將獲得本土DRAM產(chǎn)能。中國對于半導(dǎo)體市場制定的發(fā)展目標(biāo)非常明確。更加顯而易見的是，它渴望進入內(nèi)存市場。到2018年，Gartner預(yù)計中國將建立新的DRAM工廠，到2019年，這部分產(chǎn)能將正式進入市場。中國將經(jīng)由以下兩種方式獲得該項技術(shù)：依托當(dāng)前某家大型廠商的幫助或通過收購小型廠商而初步獲得生產(chǎn)技術(shù)。

　　對于SKHynix半導(dǎo)體公司與美光科技有限公司(MicronTechnology)而言，這是一個經(jīng)典的“囚徒困境”——它們本不應(yīng)向中國提供任何幫助，如此方能盡量阻礙中國進入存儲行業(yè)。但是一旦有廠商向中國提供了相關(guān)技術(shù)以換取支持，那么其他廠商又會在與中國及三星爭奪市場份額的競爭中將處于嚴(yán)重不利地位。如果中國下定決心步入DRAM行業(yè)，我們預(yù)計三星將憑借技術(shù)與成本優(yōu)勢竭力阻撓。因此，我們預(yù)計2019年DRAM市場價格將再次出現(xiàn)下滑。

　　3DNAND是降低成本和市場增長的焦點

　　平面TLC閃存在2016年將繼續(xù)生產(chǎn)，但Gartner仍對3DNAND產(chǎn)量持審慎態(tài)度，預(yù)計其僅占2016年總產(chǎn)量的18%。

　　在供給可見性方面，NAND行業(yè)仍處于不穩(wěn)定期。技術(shù)難題限制了15納米以下的產(chǎn)品，而促進了TLC閃存的更廣泛普及，同時，3D技術(shù)也將推動傳統(tǒng)工藝幾何密度。Gartner預(yù)計行業(yè)中的大部分廠商最終將再次縮減傳統(tǒng)平面產(chǎn)品，3DNAND是未來降低成本和市場增長的焦點。

　　得益于TLC技術(shù)和3DNAND的發(fā)展，NAND閃存供應(yīng)量將在2015年和2016年分別增長43.5%與37.9%。自上一次技術(shù)升級以來，閃存供應(yīng)量已顯著提高，不是由于產(chǎn)能增加，而是因為先進的TLC產(chǎn)量日益擴大。所有廠商都在逐步提升其TLC技術(shù)，其中，SKHynix半導(dǎo)體公司與三星最為雄心勃勃，且2015年下半年在積極擴大相關(guān)技術(shù)方面大獲成功。此外，3DNAND吸引了更多關(guān)注，所有其他大型NAND廠商(其中幾家正計劃提升產(chǎn)能)正在或者準(zhǔn)備推出樣品。但是，新技術(shù)的商業(yè)化永遠不會一帆風(fēng)順，因此雖然Gartner調(diào)高了部分供應(yīng)商的3DNAND產(chǎn)量，但仍顯著低于公開聲明。Gartner對于產(chǎn)能擴大持謹慎態(tài)度，并可能需要3～6個月時間來證明該新技術(shù)是否達到預(yù)期。

　　到2018年，至少1家中國企業(yè)將在中國建立NAND產(chǎn)能。中國對于半導(dǎo)體市場制定的發(fā)展目標(biāo)非常明確。更加顯而易見的是，它渴望進入內(nèi)存市場，尤其是NAND閃存市場。以下事實均證明中國有意成為世界領(lǐng)先的NAND閃存生產(chǎn)國：一是中國政府積極支持現(xiàn)有晶圓代工企業(yè);二是地方政府為了引入先進技術(shù)與存儲企業(yè)，向相關(guān)企業(yè)提供激勵政策;三是投資者財團可單獨投資。種種努力均為了實現(xiàn)中國自主制造閃存，這是中國的國家戰(zhàn)略之一。

　　雖然有關(guān)3DNAND新建工廠、技術(shù)開發(fā)、時間表、培育競爭性閃存生態(tài)系統(tǒng)的能力等方面的具體信息尚不明確，但必須為其所帶來的影響力做好準(zhǔn)備。Gartner目前估計，中國方面的投資，即直接投資于新公司或現(xiàn)有公司，將促使芯片產(chǎn)能在2017年與2018年分別增長14%。同時，Gartner對現(xiàn)有工廠建設(shè)計劃持保守意見。盡管如此，這一龐大的產(chǎn)能出現(xiàn)后將對2017年下半年與2018年的市場帶來沖擊。