ST全新單芯片整合EMI和ESD保護功能

意法半導體(STMicroelectronics, ST)推出新款 EMIF06-MSD03F3 單晶片，該元件整合 EMI 濾波與靜電放電(ESD)保護功能，適用于配備SD 3.0超高速(UHS-I)micro-SD卡的手機、平板電腦和3G無線網(wǎng)卡。

EMIF06-MSD03F3裼夢⑿頭庾凹際酰相較于競爭產(chǎn)品，EMIF06-MSD03F3可支援插電式或機械式卡插入識別，這個特性讓設(shè)計人員能夠自由選用最適合應(yīng)用設(shè)計和主機系統(tǒng)的卡識別方法。新產(chǎn)品還內(nèi)建提升電阻(pull up resistor)，當無卡插入時確保系統(tǒng)特性正常;此外還整合了可濾除GSM干擾訊號的EMI濾波器。

EMIF06-MSD03F3的主要特性：±15kV ESD保護電路(IEC 61000-4-2);保護SD卡的全部資料線和電源線;7pF最大負載電容;16-bump 0.4mm間間距晶圓級封裝(WLCSP);裼0.4mm間距WLCSP封裝，尺寸僅1.54 x 1.54mm，并裼ST獨有的IPAD(Integrated Passive and Active Device technology)整合被動和主動元件技術(shù)。

根據(jù)Strategy Analytics內(nèi)建記憶卡的手機市場預(yù)測報告顯示，截至2013年，約5億臺手機將內(nèi)建UHS-I 相容SD卡。UHS類記憶卡擁有最高2 Terabyte的儲存容量，其高速的儲存性能可提升消費者的使用體驗，如直接錄u高畫質(zhì)視訊、播放共用內(nèi)容或備份資料。

手指觸控手機會產(chǎn)生靜電放電現(xiàn)象，這些靜電可能會燒毀系統(tǒng)電路，因此卡內(nèi)暴露的針腳須具備靜電放電保護功能。為確保系統(tǒng)與記憶卡之間的通訊速度不受影響，設(shè)計人員必須根據(jù)特定介面的要求最佳化EMI濾波器與ESD保護晶片。意法半導體的新款晶片EMIF06-MSD03F3可保護資料速率高達 104MB/秒的UHS-I micro-SD記憶卡介面。