臺積電晶圓代工領(lǐng)先英特爾1年!明后年獨(dú)霸10、7納米
臺積電、英特爾在晶圓代工領(lǐng)域正面對決,英特爾在8月宣布跟設(shè)計(jì)手機(jī)、汽車芯片的安謀(ARM Holdings)敲定代工協(xié)議,看似躍進(jìn)一大步,但分析人士認(rèn)為,英特爾整體晶圓代工能力仍落后臺積電一年之久,短期內(nèi)難以對臺積電造成實(shí)質(zhì)威脅。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201609/310654.htm美系外資發(fā)表研究報告指出,臺積電在技術(shù)、處理ARM制程的能力、晶圓產(chǎn)能、成本結(jié)構(gòu)、生產(chǎn)彈性、資產(chǎn)負(fù)債表和整體價值方面,都比英特爾來得強(qiáng)勢。雖然英特爾微處理器的科技、制程都較佳,但晶圓代工能力卻落后微處理器制造技術(shù)至少兩年,因此大概比臺積電晚了一年左右。也就是說,英特爾短期內(nèi)難以對臺積電產(chǎn)生實(shí)質(zhì)威脅。
相較之下,臺積電的10納米、7納米制程技術(shù)雖落后英特爾,但臺積電比英特爾提前1-2年跨入7納米制程,可借此縮短兩家公司的差距。臺積電在獨(dú)家封裝技術(shù)“整合型扇出型封裝”(integrated fan-out,InFO)的協(xié)助下,有望在2017年、2018年霸占10納米和7納米晶圓代工市場。
最新消息顯示,臺積電內(nèi)部預(yù)估,7納米最快明(2017)年4月就可開始接受客戶下單。
臺積電研發(fā)單位已在內(nèi)部會議中,揭露未來幾年的最新研發(fā)藍(lán)圖,根據(jù)幾名資深高層的說法,該公司今年底就會轉(zhuǎn)換至10納米,7納米則會在明年試產(chǎn)、估計(jì)明年4月就可接單,而16納米FinFET compact制程(FFC,比16FF+更精密)也將在今年導(dǎo)入。7納米制程可大幅提升省電效能(時脈約3.8Ghz、核心電壓(vcore)達(dá)1V),臨界電壓(threshold voltage)最低可達(dá)0.4V,適用溫度約為150度。
報道稱,跟16FF+相較,10納米FinFET制程可讓芯片尺寸縮小50%、運(yùn)算效能拉高50%、耗電量降低40%。相較之下,7納米(采的應(yīng)該是FinFET制程)的運(yùn)算效能只能拉高15%、耗電量降低35%,電晶體密度增加163%,改善幅度遠(yuǎn)不如10納米。這是因?yàn)?,臺積電的10納米FinFET制程大約等同英特爾的14納米,7納米制程則大致跟英特爾的10納米相當(dāng)、甚至較遜。
有報道稱,臺積電高層在本周的SEMICON Taiwan國際半導(dǎo)體展表示,7納米制程有望在2018年Q1放量生產(chǎn)。臺積電從2014年初開始投入7納米制程研究,預(yù)定2017年上半進(jìn)入風(fēng)險生產(chǎn)(Risk Production),再過一年后量產(chǎn),搭載7納米芯片的消費(fèi)產(chǎn)品應(yīng)可同時上市。
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