臺(tái)積電突然搞出個(gè)12nm:原來是第四代16nm
臺(tái)積電正在先進(jìn)半導(dǎo)體工藝路上狂奔,目前主打16nm,正在開始量產(chǎn)10nm,兩三年之內(nèi)將陸續(xù)上馬7nm、5nm,不過據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電還規(guī)劃了一個(gè)12nm工藝。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201612/340963.htm據(jù)透露,臺(tái)積電所謂的12nm,其實(shí)是現(xiàn)有16nm工藝的第四代縮微改良版本,改用全新名字,目的是反擊三星、GlobalFoundries、中芯國際等對(duì)手的14nm工藝優(yōu)勢,牢牢控制10-28nm之間的代工市場。
28nm時(shí)代開始,臺(tái)積電就不斷改版來降低成本或提升性能,以求壓制競爭對(duì)手,比如說28nm工藝就先后有28LP、28HP、28HPL、28HPM、28HPC、28HPC+等眾多版本。
如今的16nm經(jīng)過持續(xù)改良之后,漏電率大為降低,成本也有極大改善,為此臺(tái)積電將其重新命名為12nm,搖身一變成為獨(dú)立的新工藝,自然更加誘人。
代工工藝進(jìn)入FinFET時(shí)代以來,臺(tái)積電16nm、三星14nm可謂棋逢對(duì)手,其實(shí)都非常優(yōu)秀,但無論是技術(shù)還是數(shù)字,臺(tái)積電都略微落后一些,因此在16nm發(fā)展到第四代,線寬微縮能力領(lǐng)先三星之后,12nm的出爐也就可以理解了。
值得注意的是,大陸半導(dǎo)體廠商在完成28nm布局后,下一個(gè)目標(biāo)將是卡位14nm,中芯國際預(yù)計(jì)2020年前量產(chǎn)14nm,華力微電子也規(guī)劃投產(chǎn)。
另外,臺(tái)積電7nm將同時(shí)推出兩個(gè)不同版本,分別針對(duì)移動(dòng)設(shè)備、高性能計(jì)算,滿足不同用戶需求。
評(píng)論