瑞薩電子宣布為16/14納米及以上工藝節(jié)點的高性能、高可靠性微控制器開發(fā)出全球首款鰭狀MONOS閃存單元

　　全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社今日宣布成功開發(fā)出全球首款分離閘金屬氧化氮氧化硅(SG-MONOS)閃存單元，該單元采用鰭狀晶體管，用于配有電路線寬為16至14納米(nm)或更細的片上閃存的微控制器(MCU)。SG-MONOS技術(shù)能夠可靠應(yīng)用于汽車應(yīng)用，瑞薩電子目前正在采用該技術(shù)量產(chǎn)40納米的MCU，28納米的MCU也正在研發(fā)過程中。這一成功開發(fā)表明SG-MONOS技術(shù)對16/14納米及以上的制程節(jié)點具有優(yōu)異的可擴展性。

　　隨著高級輔助駕駛系統(tǒng)(ADAS)等汽車自動化方面的進步以及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)連接的智能社會的發(fā)展，產(chǎn)生了使用更精細制程技術(shù)裝配先進MCU的需求。為滿足這一需求，瑞薩電子開發(fā)了基于16/14納米技術(shù)的嵌入式閃存，成功替代了目前最新的40/28納米技術(shù)。在16/14納米邏輯制程中，一種采用鰭狀結(jié)構(gòu)的晶體管——鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)，被廣泛用于提高性能和降低功耗，以克服傳統(tǒng)平面晶體管的擴展限制。

　　然而，根據(jù)閃存結(jié)構(gòu)不同，嵌入式閃存采用鰭狀結(jié)構(gòu)可能會面臨一大挑戰(zhàn)。目前提出和實現(xiàn)了兩種類型的嵌入式閃存：浮柵和電荷擷取。與浮柵閃存相比，近年來瑞薩電子一直采用的電荷擷取閃存具有更好的電荷保持特性，且在對可靠性要求較高的汽車MCU中始終表現(xiàn)良好。此外，由于內(nèi)存功能材料是在硅襯底表面形成的，因此相對而言容易延展形成三維鰭狀結(jié)構(gòu)。與之相比，浮柵閃存單元的結(jié)構(gòu)復(fù)雜，因此很難將其整合到鰭狀結(jié)構(gòu)中。

　　相較于浮柵結(jié)構(gòu)，SG-MONOS具有的另一項優(yōu)勢在于用金屬柵電極替代偽多晶硅柵電極后，存儲器單元結(jié)構(gòu)仍然保持不變，該工藝還用于生產(chǎn)帶有高介電柵極絕緣層和金屬柵電極的先進邏輯CMOS設(shè)備。

　　瑞薩電子是全球首家成功開發(fā)出具有高擴展性鰭狀結(jié)構(gòu)SG-MONOS閃存的公司，該產(chǎn)品將用于16/14納米及以上工藝節(jié)點的高性能和高可靠性MCU。

　　新開發(fā)的嵌入式閃存技術(shù)的關(guān)鍵特性：

　　(1) 鰭狀結(jié)構(gòu)使存儲操作和晶體管特性得到顯著提升

　　瑞薩電子證實，在編程/擦除過程中閾值電壓的變化以及新開發(fā)的鰭狀結(jié)構(gòu)SG-MONOS存儲單元的編程/清除速度均在預(yù)期范圍以內(nèi)。在采用鰭狀結(jié)構(gòu)的晶體管內(nèi)，柵極會封閉通道，從而保持較大的驅(qū)動電流，即便為了增大集成度而顯著縮小工作區(qū)的面積。此外，通過提高柵極的可控性，顯著提高了閾值電壓的可變性。以上結(jié)果表明，鰭狀結(jié)構(gòu)SG-MONOS存儲單元具有優(yōu)異的特性，能夠以下一代閃存所要求的200MHz以上頻率實現(xiàn)高速隨機訪問讀取，同時還可以大幅提高片上存儲容量。

　　(2) 開發(fā)出可緩解鰭狀結(jié)構(gòu)所致性能下降問題的編程方法

　　當(dāng)使用鰭狀結(jié)構(gòu)時，由于電場在鰭尖有所增強，隨著時間推移設(shè)備特性可能會出現(xiàn)一定退化或劣化。電場增強效果在編程操作開始時和完成后最為明顯，因此瑞薩電子對“階躍脈沖”編程法(將編程電壓逐步升高)的可行性進行了研究。該技術(shù)過去被用于采用平面結(jié)構(gòu)的內(nèi)存，但目前證明，其在鰭狀結(jié)構(gòu)內(nèi)存中對緩解鰭尖電場增強方面特別有效。經(jīng)確認，對于長時間使用的鰭狀結(jié)構(gòu)SG-MONOS存儲單元，該技術(shù)可以有效減少退化，而且在數(shù)據(jù)存儲閃存中編程/擦除循環(huán)次數(shù)可以達到25萬次。

　　(3) 提供相同的高溫數(shù)據(jù)保持特性

　　鰭狀結(jié)構(gòu)非常適合電荷擷取MONOS閃存具有的優(yōu)異電荷保持特性。對汽車應(yīng)用非常重要的數(shù)據(jù)保持時間，經(jīng)過25萬次編程/擦除循環(huán)后仍可達到十年或更長時間。這一水平與早期內(nèi)存達到的可靠性水平相同。

　　上述結(jié)果表明，通過使用16/14納米節(jié)點和以上的高介電柵極絕緣層和金屬柵電極，SG-MONOS閃存可以輕松集成到先進的鰭狀結(jié)構(gòu)邏輯制程中，從而在100兆字節(jié)(MB)范圍內(nèi)實現(xiàn)大容量芯片存儲，同時還能帶來高度可靠的MCU，其處理性能可以達到28納米設(shè)備的四倍以上。瑞薩電子將繼續(xù)確認基于該技術(shù)的大容量閃存的操作，并推進研發(fā)工作，力爭在2023年左右投入實際使用。

　　瑞薩電子秉持對汽車行業(yè)不斷創(chuàng)新和實現(xiàn)智能社會的承諾，計劃繼續(xù)開發(fā)用于28納米節(jié)點、16/14納米節(jié)點及以上嵌入式設(shè)備的高性能、高可靠性大容量閃存。

　　瑞薩電子將于12月6日在2016國際電子器件會議(IEDM 2016)上宣布新開發(fā)的嵌入式閃存技術(shù)的詳細信息，該會議將于2016年12月5日至7日在美國舊金山召開。