被指與一線大廠漸行漸遠(yuǎn) 中芯國(guó)際實(shí)力究竟如何？

　　關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的朋友們，對(duì)于中芯國(guó)際一定不陌生。作為大陸半導(dǎo)體制造的代表性企業(yè)，中芯國(guó)際在取得2017年(第三十一屆)中國(guó)電子信息百?gòu)?qiáng)企業(yè)第21名后，在近日公布的《財(cái)富》中國(guó)500強(qiáng)榜單中排在了第314名的位置。但這家獲得如此多肯定的企業(yè)卻在近日被指與一線大廠漸行漸遠(yuǎn)，那么中芯國(guó)際的實(shí)力究竟如何呢?

　　中芯國(guó)際是世界領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，也是大陸規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)，提供0.35微米到28納米不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)的晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。中芯國(guó)際總部位于上海，擁有全球化的制造和服務(wù)基地。在上海建有一座300mm晶圓廠和一座200mm晶圓廠;在北京建有一座300mm晶圓廠和一座控股的300mm先進(jìn)制程晶圓廠;在天津和深圳各建有一座200mm晶圓廠;在江陰有一座控股的300mm凸塊加工合資廠;在意大利有一座控股的200mm晶圓廠。

　　被指與一線大廠漸行漸遠(yuǎn)

　　中芯國(guó)際雖位居全球第4大專業(yè)晶圓代工廠(次于臺(tái)積電、格羅方德與聯(lián)電)，也扮演大陸半導(dǎo)體的要角;但中芯從2000年成立以來(lái)，幾乎大部分的時(shí)間都在賠錢，而臺(tái)灣半導(dǎo)體教父張忠謀17年前曾表示，中芯不僅不會(huì)威脅到臺(tái)積電，且會(huì)經(jīng)營(yíng)的很辛苦，沒(méi)想到張教父一語(yǔ)成讖，然傾官方之力扶植的中芯為何連年虧損，與一線大廠漸行漸遠(yuǎn)?

　　中芯被視為大陸半導(dǎo)體的樣板企業(yè)，17年過(guò)去了，營(yíng)運(yùn)之路卻愈走愈艱困，財(cái)訊雙周刊報(bào)導(dǎo)，歸結(jié)中芯的三大敗因，一是，創(chuàng)辦人張汝京是建廠高手，并非經(jīng)營(yíng)高手，對(duì)生產(chǎn)良率與技術(shù)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)不足，只好全盤抄襲臺(tái)積電，成為日后中芯專利訴訟大敗的主因。

　　再者，大股東各有盤算，中芯內(nèi)部有“臺(tái)灣系、海歸系、本土系”三大派系，彼此明爭(zhēng)暗斗，導(dǎo)致經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)不斷更迭，不過(guò)，讓中芯受傷最重的，是廠區(qū)分散，生產(chǎn)線從上海擴(kuò)張至北京、武漢、深圳等地，由于各省公公婆婆一大堆，難以形成中芯的產(chǎn)業(yè)聚落。

　　導(dǎo)報(bào)引述熟悉內(nèi)情的臺(tái)商透露，身為一家企業(yè)執(zhí)行長(zhǎng)(CEO)無(wú)法以理性決策做判斷，卻要奔走于地方政府進(jìn)行協(xié)調(diào)，也是中芯的一大敗因。

　　然而中芯國(guó)際的實(shí)力真是如此嗎?

　　第一季度營(yíng)收7.9億美元

　　5月10日，中芯國(guó)際發(fā)布了2017年第一季度報(bào)告，其銷售額約7.93億美元，同比增長(zhǎng)25.0%;中芯國(guó)際應(yīng)占利潤(rùn)為6980萬(wàn)美元，去年同期為6140萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng)約13.6%。

　　第一季度業(yè)績(jī)：

　　營(yíng)收約7.93億美元，較去年第四季度8.15億美元減少2.7%，較去年同期6.34億美元增長(zhǎng)25.0%;

　　毛利潤(rùn)約2.21億美元，而去年第四季度約2.46億美元，去年同期約1.54億美元;

　　毛利率為27.8%，去年第四季度為30.2%，去年同期為24.2%;

　　歸屬于中芯國(guó)際的凈利潤(rùn)為6980萬(wàn)美元，去年第四季度約1.04億美元，去年同期為6140萬(wàn)美元。

　　第二季度業(yè)績(jī)預(yù)期：

　　中芯國(guó)際預(yù)計(jì)，第二財(cái)季營(yíng)收環(huán)比將下降3%至6%;

　　毛利率將達(dá)到25%至28%;

　　基于非美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則，運(yùn)營(yíng)開(kāi)支將達(dá)到1.79億美元至1.84億美元;

　　來(lái)自控股子公司的非控制性權(quán)益將達(dá)到600萬(wàn)美元至800萬(wàn)美元。

　　7月20日，中芯國(guó)際宣布，將于北京時(shí)間2017年8月9日星期三發(fā)布2017財(cái)年第二季度財(cái)報(bào)。

　　02專項(xiàng)支持下，取得突破性進(jìn)展

　　在02專項(xiàng)支持下，中芯國(guó)際產(chǎn)能和技術(shù)研發(fā)取得突破性進(jìn)展，成套工藝水平由2008年的110納米提升到28納米，完成65-45-28納米成套工藝研發(fā)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)：65/55納米產(chǎn)品累計(jì)銷售超過(guò)180億元，40/45納米產(chǎn)品累計(jì)銷售超過(guò)100億元，2015年32/28納米工藝開(kāi)始量產(chǎn)高通驍龍系列產(chǎn)品，產(chǎn)品累計(jì)銷售超過(guò)180億元，2016年28納米高K金屬柵工藝(HKMG)成功流片，并經(jīng)聯(lián)芯4G移動(dòng)終端AP產(chǎn)品認(rèn)證;14納米研發(fā)獲得突破;2017年聯(lián)合中科院微電子所等單位開(kāi)始了“7-5納米集成電路先導(dǎo)工藝與系統(tǒng)集成新技術(shù)”的研發(fā)。

　　中芯國(guó)際作為行業(yè)龍頭企業(yè)，不僅全面遵照“02專項(xiàng)用戶考核制”，為國(guó)產(chǎn)材料 、裝備及零部件提供公共驗(yàn)證平臺(tái)，更根據(jù)集成電路大規(guī)模生產(chǎn)的特點(diǎn)和要求，積極主動(dòng)協(xié)助設(shè)備材料企業(yè)開(kāi)展技術(shù)攻關(guān)，帶動(dòng)國(guó)產(chǎn)材料、裝備及零部件驗(yàn)證和應(yīng)用，取得了一大批經(jīng)得起市場(chǎng)檢驗(yàn)可以參與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)的優(yōu)秀成果產(chǎn)品。

　　公共驗(yàn)證平臺(tái)覆蓋350納米到28納米所有制程。12英寸廠成功驗(yàn)證12個(gè)設(shè)備種類，占設(shè)備分類數(shù)的13%，中芯國(guó)際北方廠12寸國(guó)產(chǎn)設(shè)備量產(chǎn)突破1000萬(wàn)片。

　　材料方面，中芯國(guó)際下屬8英寸和12英寸廠都有國(guó)產(chǎn)材料驗(yàn)證成功并上線使用，截止2016年共有60個(gè)國(guó)產(chǎn)材料驗(yàn)證成功并采購(gòu)使用，全部材料國(guó)產(chǎn)化比率達(dá)13%。

　　通過(guò)專項(xiàng)立項(xiàng)整體布局，中芯國(guó)際與國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)企業(yè)聯(lián)系愈加緊密，先后為20余家設(shè)計(jì)單位提供65-28納米產(chǎn)品開(kāi)發(fā)支持，海思、展銳、中興微、大唐聯(lián)芯、瑞芯微等加大國(guó)內(nèi)投片比例。2016年國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)公司營(yíng)收占公司總收的將近50%，并就14納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)與中芯國(guó)際開(kāi)展密切合作。

　　先進(jìn)工藝研發(fā)過(guò)程中，中芯國(guó)際堅(jiān)持走產(chǎn)學(xué)研合作創(chuàng)新道路，歷時(shí)超過(guò)7年，經(jīng)65納米至7納米五個(gè)工藝代，合作創(chuàng)新單位包括國(guó)內(nèi)集成電路領(lǐng)域最優(yōu)秀的研究所和高校。

　　中芯國(guó)際各制程技術(shù)節(jié)點(diǎn)的詳細(xì)情況

　　先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品

　　28納米：中芯國(guó)際的28納米技術(shù)包含傳統(tǒng)的多晶硅(PolySiON)和后閘極的高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)制程，于2013年第四季度推出，2015年良率方面取得了重大突破，成功為客戶制造出低功耗、高性能的手機(jī)處理器芯片。2015年第四季度，中芯國(guó)際宣布28納米進(jìn)入量產(chǎn)階段并開(kāi)始貢獻(xiàn)營(yíng)收。

　　45/40納米：中芯國(guó)際是大陸第一家提供40納米技術(shù)的晶圓廠，其40納米標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程提供低功耗(LL)器件平臺(tái)，核心組件電壓1.1V，涵蓋三種不同閾值電壓，以及輸入/輸出組件1.8V、2.5V和3.3V電壓以滿足不同的設(shè)計(jì)要求。40納米邏輯制程結(jié)合了最先進(jìn)的浸入式光刻技術(shù)、應(yīng)力技術(shù)、超淺結(jié)技術(shù)以及超低介電常數(shù)金屬間介質(zhì)。

　　65/55納米：中芯國(guó)際的65/55納米工藝制程平臺(tái)可以廣泛支持包含邏輯、混合信號(hào)、射頻、BCD、NOR閃存、eFlash和CIS在內(nèi)的多種IC產(chǎn)品。2014年，中芯國(guó)際成為全球第一家可以為智能卡和SIM卡提供55納米嵌入式閃存(eFlash)解決方案的專業(yè)晶圓代工廠，并且在2014年第四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

　　成熟技術(shù)產(chǎn)品

　　90納米：中芯國(guó)際的300毫米晶圓廠已有多個(gè)90納米工藝的產(chǎn)品進(jìn)入大規(guī)模的生產(chǎn)，中芯國(guó)際擁有豐富的制程開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，可向全球客戶提供先進(jìn)的90納米技術(shù)。中芯國(guó)際的90納米制程采用Low-k材質(zhì)的銅互連技術(shù)，生產(chǎn)高性能的元器件。利用先進(jìn)的12英寸生產(chǎn)線進(jìn)行90納米工藝的生產(chǎn)能確保成本的優(yōu)化，為客戶未來(lái)技術(shù)的提升提供附加的資源。

　　0.13-0.11微米：中芯國(guó)際的0.13微米制程采用全銅制程技術(shù)，可在達(dá)到高性能設(shè)備的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)成本的優(yōu)化。0.13微米技術(shù)工藝使用8層金屬層寬度僅為0.08微米的門電路，能夠制作核心電壓為1.2V以及輸入/輸出電壓為2.5V或3.3V的組件。中芯國(guó)際的低電壓和低漏電制程產(chǎn)品已在廣泛生產(chǎn)中。

　　0.18微米：中芯國(guó)際0.18微米工藝技術(shù)包括邏輯、混合信號(hào)/射頻、高壓、電可擦除只讀存儲(chǔ)器以及一次可編程技術(shù)等，這些技術(shù)均有廣泛的單元庫(kù)和智能模塊支持。中芯國(guó)際在0.18微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)上可提供低成本、經(jīng)驗(yàn)證的智能卡、消費(fèi)電子產(chǎn)品以及其他廣泛的應(yīng)用類產(chǎn)品，也在嵌入式內(nèi)存、混合信號(hào)及CMOS射頻電路等應(yīng)用方面為客戶提供了靈活性的解決方案及模擬。

　　0.35-0.25微米：中芯國(guó)際提供0.25微米邏輯電路以及3.3V/5V應(yīng)用的混合信號(hào)/射頻CMOS和成本優(yōu)化及通過(guò)驗(yàn)證的0.35微米工藝解決方案，可應(yīng)用于智能卡、消費(fèi)性產(chǎn)品以及其他多個(gè)領(lǐng)域。

　　SPOCULL特殊工藝：SPOCULLTM是中芯國(guó)際的重要特殊工藝。SPOCULL代表SMICPoly Contact for Ultra Low Leakage。SPOCULLTM包括95納米高壓工藝和95納米超低功耗工藝兩個(gè)技術(shù)平臺(tái)，分別針對(duì)高性能模擬/射頻產(chǎn)品和超低功耗的微控制芯片。95納米高壓工藝主要用于顯示驅(qū)動(dòng)器IC，95納米超低功耗工藝用于物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)領(lǐng)域。