為未來5G市場預(yù)作準備，環(huán)球晶開發(fā)出復(fù)合晶圓

　　半導(dǎo)體硅晶圓廠環(huán)球晶圓與臺灣交通大學(xué)光電工程研究所教授郭浩中及臺灣納米元件實驗室合作，成功開發(fā)出復(fù)合晶圓，為未來5G市場預(yù)作準備。

　　環(huán)球晶圓這次與郭浩中及臺灣納米元件實驗室合作案，是科學(xué)園區(qū)研發(fā)精進產(chǎn)學(xué)合作計劃之一，三方合作從基板、晶圓接合、磊晶到高電子移動率晶體管(HEMT)元件制程及驗證技術(shù)，成功開發(fā)出高耐壓的復(fù)合晶圓。

　　除未來的5G市場外，環(huán)球晶圓指出，這次開發(fā)出的氮化鎵(GaN)磊晶復(fù)合晶圓還可應(yīng)用于電動車市場;另外，環(huán)球晶圓投入碳化硅復(fù)合晶圓開發(fā)。

　　環(huán)球晶圓表示，目前相關(guān)產(chǎn)品價格依然居高不下，不過，預(yù)期2020年需求可望爆發(fā)，近年將逐步布建相關(guān)產(chǎn)能。

　　環(huán)球晶圓為世界前三大半導(dǎo)體矽晶圓材料供應(yīng)商，也是世界唯一同時具有矽基板相關(guān)技術(shù)與氮化鎵磊晶技術(shù)之公司。借由矽基板與氮化鎵磊晶技術(shù)創(chuàng)新與垂直整合，除具有成本優(yōu)勢外，也能增加臺灣在氮化鎵元件之技術(shù)能力與競爭力。

　　復(fù)合晶圓開發(fā)意義

　　具優(yōu)良動態(tài)特性的6存寸復(fù)合晶圓高耐壓Emode GaN on Novel SOI HEMT技術(shù)，可開發(fā)品質(zhì)更佳、成本更低、產(chǎn)能倍增的前瞻性產(chǎn)品，加速化合物半導(dǎo)體發(fā)展。

　　這次達成高阻晶體生長，并以AlN為絕緣層，搭配高強度基板作為Handle wafer，完成開發(fā)高強度、高絕緣特性與散熱佳的新型SOI(AlN)基板;另外，也運用磊晶應(yīng)力調(diào)整技術(shù)，磊晶后，基板bow,并且結(jié)合低損傷蝕刻制程，導(dǎo)入電漿表面處理及新式閘極介電層，成功克服閘極掘入式制程E-mode元件閘極漏電的難題，其動態(tài)特性有明顯的改善，開啟電阻的變化率減少至7.67%。