MOS管入門——只談應(yīng)用，不談原理

—— MOS管入門----只談應(yīng)用，不談原理

作者：時(shí)間：2018-08-14 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)

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　　1、三個(gè)極怎么判定

本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/201808/390510.htm

　　G極(gate)—柵極，不用說(shuō)比較好認(rèn)

　　S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是

　　D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊

　　2、N溝道還是P溝道

　　箭頭指向G極的是N溝道

　　箭頭背向G極的是P溝道

　　3、寄生二極管方向如何判定

　　不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的：

　　要么都由S指向D，要么都有D指向S

　　4、MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)的功能

　　1>信號(hào)切換

　　2>電壓通斷

　　5、MOS管用作開關(guān)時(shí)在電路中的連接方法

　　關(guān)鍵點(diǎn)：

　　1>確定那一極連接輸入端，那一極連接輸出端

　　2>控制極電平為?V 時(shí)MOS管導(dǎo)通

　　3>控制極電平為?V 時(shí)MOS管截止

　　NMOS：D極接輸入，S極接輸出

　　PMOS：S極接輸入，D極接輸出

　　反證法加強(qiáng)理解

　　NMOS假如：S接輸入，D接輸出

　　由于寄生二極管直接導(dǎo)通，因此S極電壓可以無(wú)條件到D極，MOS管就失去了開關(guān)的作用

　　PMOS假如：D接輸入，S接輸出

　　同樣失去了開關(guān)的作用

　　6、MOS管的開關(guān)條件

　　N溝道—導(dǎo)通時(shí) Ug> Us,Ugs> Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通

　　P溝道—導(dǎo)通時(shí) Ug< Us,Ugs< Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通

　　總之，導(dǎo)通條件：|Ugs|>|Ugs(th)|

　　7、相關(guān)概念

　　BJT

　　Bipolar Junction Transistor 雙極性晶體管，BJT是電流控制器件;

　　FET

　　Field Effect Transistor 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ET是電壓控制器件.

　　按結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管分為：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)(簡(jiǎn)稱JFET)、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)(簡(jiǎn)稱MOSFET)兩大類

　　按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種.

　　按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。

　　總的來(lái)說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。

　　8、MOS管重要參數(shù)

　　①封裝

　?、陬愋?NMOS、PMOS)

　?、勰蛪篤ds(器件在斷開狀態(tài)下漏極和源極所能承受的最大的電壓)

　　④飽和電流Id

　?、輰?dǎo)通阻抗Rds

　?、迻艠O閾值電壓Vgs(th)

　　9、從MOS管實(shí)物識(shí)別管腳