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美光展示新一代嵌入式存儲產(chǎn)品,彰顯安全及制造實力

作者:王瑩 時間:2019-04-08 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

在2019“汽車技術(shù)日”上,美光科技嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部工程總監(jiān)劉群(左)與商務拓展經(jīng)理馬烈偉先生接受了電子產(chǎn)品世界等媒體的采訪。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/201904/399284.htm

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如何選擇嵌入式產(chǎn)品?

基本上從這幾個角度考量——速度、容量、成本,還有尺寸和設計等因素。

的定義來講,需要把握以下幾點。第一是的容量問題,DRAM和NAND主要看帶寬需求,速度的把控確定平臺對于存儲方案的選用。例如ADAS的算法速度會決定我們選用GDDR6或LPDDRx/DDRx,每一代產(chǎn)品所對應的速度范圍是不同的,這是根據(jù)不同工業(yè)應用需要考慮的。速度確定之后發(fā)現(xiàn),LP4或者是DDR4的主要區(qū)別在于,LP4是在較小的form factor, 和低功耗情況下提供高帶寬,DDR4更多地是可拓展操作。

從存儲方面看,先要確定容量和速度接口問題,每一種存儲需求是有一定的存儲容量范圍,可以納入客戶解決方案的考量。

另外還有成本問題,目前的存儲技術(shù)主要是2D或者是3D,美光的PCIe SSD具備1TB的存儲容量,因為基于先進的64層TLC技術(shù)。

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新產(chǎn)品及合作動向

首先是消費電子產(chǎn)品,美光有全球第一個1TB microSD,預計2019年下半年推出。很多人覺得1TB SD卡沒有什么改變,其實現(xiàn)在的SD卡比大多數(shù)芯片更薄,所以制造上面臨著更大的挑戰(zhàn)。美光提供128GB和1TB的容量選擇。并以很小的封裝實現(xiàn)1TB的存儲容量,方法是采用了美光先進的96層3D QLC NAND技術(shù),提供高達100MB/s的讀取速度和95MB/s寫入速度,同時該產(chǎn)品也滿足了SD卡的性能規(guī)范和其他的速度要求。

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關(guān)于與合作廠商的開發(fā)方面,隨著自動駕駛技術(shù)演進,我們面臨一個問題,即客戶正不斷進行研發(fā),會用到1TB的存儲,幾十GB的DRAM,并且對速度要求更高,這就為存儲廠商帶來了挑戰(zhàn),例如高通等廠商正需要一個強勁的內(nèi)存解決方案。為此,美光與高通展開了合作,以推動下一代車載信息娛樂系統(tǒng)的創(chuàng)新。

另外的合作伙伴例如Mobileye,其與美光合作以推進其第五代自動駕駛平臺的發(fā)展。美光的存儲解決方案滿足L5級自動駕駛汽車高性能和低功耗的需求,支持 EyeQ5 平臺實現(xiàn)超級計算機功能。

另外,美光推出了業(yè)內(nèi)第一個1TB汽車級和工業(yè)級PCIe NVMe閃存存儲,即美光2100AI 和 2100AT 3D TLC SSD系列(如下圖)。該系列產(chǎn)品基于美光的64層3D TLC技術(shù)進行研發(fā)。應用PCIe接口,其讀取速度比UFS 2.1和SATA 3接口快2倍以上,寫入速度快1.5倍以上。與傳統(tǒng)的PCIe閃存有所區(qū)別,該系列是容量最高的小型閃存存儲,提供16X20mm 的BGA封裝和22X30mm 的M.2外形,支持-40℃~105℃的表面溫度,存儲接口是PCIe x4第三代,NVMe 1.3支持直接啟動選項。它還有一些端到端路徑保護,并且符合質(zhì)量和可靠性標準。

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接下來是125℃的45nm NOR閃存產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品是對美光原有產(chǎn)品線的補充。NOR的主要用途在于ADAS系統(tǒng),因為ADAS需要快速啟動。這種技術(shù)要求是很多存儲技術(shù)難以具備的,而NOR閃存可以滿足這種需求,可以通過納秒級的速度支持快速啟動,同時具備耐高溫和長期數(shù)據(jù)保留性能,讀取帶寬可以達到每秒400MB。

Authenta NOR閃存解決方案,提供內(nèi)容與命令驗證,實現(xiàn)芯片級的設備保護功能。因為有SHA256測量加速器,用戶可以靈活地定義設置。同時提供了不同傳輸速率和電壓的可選選項。



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