佳能產(chǎn)日本首臺半導體光刻機PPC-1發(fā)售50周年：半導體器件這樣煉成

半導體器件被廣泛應用于從智能手機到汽車等各個領(lǐng)域，在其制造過程中半導體光刻機必不可少。你知道嗎，日本首臺半導體光刻機發(fā)售已經(jīng)50周年了。

今日，佳能中國宣布，佳能產(chǎn)日本首臺半導體光刻機PPC-1發(fā)售50周年。佳能PPC-1于1970年發(fā)售，隨著數(shù)字技術(shù)的迅速發(fā)展，佳能的半導體光刻機也在不斷升級。

首臺日本產(chǎn)半導體光刻機PPC-1

據(jù)悉，佳能光刻機的歷史始于對相機鏡頭技術(shù)的高度應用。靈活運用20世紀60年代中期在相機鏡頭開發(fā)中積累的技術(shù)，佳能研發(fā)出了用于光掩膜制造的高分辨率鏡頭。

此后，為了進一步擴大業(yè)務范圍，佳能開始了半導體光刻機的研發(fā)，并于1970年成功發(fā)售日本首臺半導體光刻機PPC-1，正式進入半導體光刻機領(lǐng)域。

佳能于1975年發(fā)售的FPA-141F光刻機在世界上首次實現(xiàn)了1微米（00萬分之一米）以下的曝光，此項技術(shù)作為“重要科學技術(shù)歷史資料（未來技術(shù)遺產(chǎn)）”，于2010年被日本國立科學博物館產(chǎn)業(yè)技術(shù)歷史資料信息中心收錄。

目前佳能的光刻機陣容包括i線光刻機和KrF光刻機產(chǎn)品線。其中，i線光刻機是指使用i線（水銀燈波長365nm）光源的半導體光刻機。而KrF光刻機是指使用波長248nm，由氪（Kr）氣體和氟（F）氣體產(chǎn)生的激光的半導體光刻機。

佳能表示，今后將繼續(xù)擴充半導體光刻機的產(chǎn)品陣容和可選功能，以支持各種尺寸和材料的晶圓以及下一代封裝工藝。

此外，在尖端領(lǐng)域為滿足電路圖案進一步微細化的需求，佳能也在致力于推進納米壓印半導體制造設備※7的研發(fā),并使之能應用于大規(guī)模生產(chǎn)。

何為半導體光刻機？

半導體光刻機在半導體器件的制造過程中，承擔“曝光”的作用。半導體器件是通過將精細電路圖案曝光在稱為晶圓的半導體基板上而制成的。半導體光刻機設備的作用是將在掩膜版上繪制的電路圖案通過投影透鏡縮小，再將圖案曝光在晶圓上。

晶圓在晶圓臺上依次移動，電路圖案將在一個晶圓上重復曝光。因為電路是由從微米到納米級別的超精細圖案經(jīng)過多層堆疊制成，所以半導體光刻機也需具備超高精密的技術(shù)，以滿足從微米到納米單位級別的性能。

以下為半導體器件制造工藝：

1、制作掩膜版（原版）

設計決定半導體芯片功能和性能的電路。電路圖案繪制在數(shù)十塊玻璃板上。

2、準備晶圓

準備半導體器件基礎(chǔ)的圓盤形晶圓。加熱后在表面形成氧化膜，然后涂上光阻（感光劑）。

3、在晶圓上繪制電路圖案

①光照在掩膜版上，將電路圖案曝光在晶圓上。光通過透鏡縮小，可以畫出更細的線。電路的線寬越細，一個半導體器件上可集成的半導體元件數(shù)量就越多，從而可以獲得高性能且多功能的半導體器件。（使用光刻機）

（曝光的原理圖）

光照到部分的光阻發(fā)生變化后。使用顯影液將曝光部分去除。

②光阻覆蓋部分以外的氧化膜通過與氣體反應去除。

③在去除不需要的光阻后，在裸露的晶圓上，通過注入離子使晶體管有效工作，由此來制造半導體元件。

④用絕緣膜覆蓋整個晶圓后，將表面弄平整確保沒有凹凸。隨后涂上光阻，準備下一層電路圖案的曝光。

重復①～④的工藝，在晶圓表面形成多個層，然后通過布線連接。

4、從晶圓上切下半導體芯片

5、將芯片粘在框架上，接上電線檢查工程后半導體器件制作完成