英特爾承認(rèn)落后競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電：趕上至少2年

昨天，英特爾首席財(cái)務(wù)官George Davis在摩根士丹利（Morgan Stanley）會(huì)議上對(duì)投資者發(fā)表講話時(shí)承認(rèn)，英特爾已落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，而且追趕至少需要2年時(shí)間。

獲悉，盡管英特爾仍在努力制造10nm制程，但競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電（TSMC）已經(jīng)采用7nm制程，并正在朝5nm制程邁進(jìn)。

Davis表示，這種差異將意味著10nm處理器對(duì)英特爾的生產(chǎn)效率將不及前幾代產(chǎn)品。

“正如我們?cè)?月19日的分析師日上所說(shuō)的那樣：這不僅僅是英特爾有史以來(lái)最好的節(jié)點(diǎn)。它的產(chǎn)量雖然將低于14nm和22nm，但我們對(duì)看到的改進(jìn)感到很興奮，我們預(yù)計(jì)7nm時(shí)代將帶來(lái)更好的性能。”

據(jù)了解，英特爾旨在通過(guò)平臺(tái)級(jí)別的改進(jìn)來(lái)解決其性能不足的問(wèn)題，其中包括在AI和軟件方面進(jìn)行緊密的硬件集成。

英特爾希望在2021年底趕上臺(tái)積電，但臺(tái)積電并沒(méi)有停滯不前，其希望在2022年底采用3nm制程。