這家存儲(chǔ)大廠進(jìn)一步下調(diào)資本支出！

美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月8日，西部數(shù)據(jù)公布了2023財(cái)年第三季度的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)(截止至2023年3月31日)。

該季西部數(shù)據(jù)營(yíng)收28億美元，環(huán)比下降10%；毛利率10.2%，環(huán)比下降16.8%。其中閃存產(chǎn)品營(yíng)收約13億美元，閃存位元出貨量環(huán)比下跌14%；HDD營(yíng)收則為14.96億美元。

終端市場(chǎng)方面，受閃存價(jià)格下跌、閃存產(chǎn)品出貨量下降影響，西部數(shù)據(jù)三大部門(mén)營(yíng)收皆有下滑。其中，云部門(mén)營(yíng)收為12億美元，占總收入的43%，環(huán)比下滑2%；客戶端部門(mén)營(yíng)收為9.75億美元，在總營(yíng)收中占比35%，環(huán)比下滑10%；消費(fèi)者業(yè)務(wù)收入6.23億美元，占總收入的22%，環(huán)比下滑22%。

西部數(shù)據(jù)進(jìn)一步下調(diào)資本支出

由于市場(chǎng)需求持續(xù)疲軟，西部數(shù)據(jù)進(jìn)一步下調(diào)2023財(cái)年資本支出預(yù)算。在5月公布的最新財(cái)報(bào)中，該公司預(yù)計(jì)2023財(cái)年資本支出預(yù)算將為22億美元，其中包括工廠、設(shè)備在內(nèi)的現(xiàn)金資本支出下調(diào)至8億美元。

△Source：西部數(shù)據(jù)官網(wǎng)

此前1月西部數(shù)據(jù)預(yù)計(jì)2023財(cái)年總的資本支出將為23億美元，其中包括工廠、設(shè)備在內(nèi)的現(xiàn)金資本支出約9億美元。

在總體經(jīng)濟(jì)形勢(shì)不佳、高通貨膨脹等因素沖擊下，消費(fèi)電子市場(chǎng)需求萎靡，存儲(chǔ)市場(chǎng)也迎來(lái)挑戰(zhàn)。全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，由于DRAM及NAND Flash供應(yīng)商減產(chǎn)不及需求走弱速度，部分產(chǎn)品第二季均價(jià)季跌幅有擴(kuò)大趨勢(shì)，DRAM擴(kuò)大至13~18%，NAND Flash則擴(kuò)大至8~13%。

為應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)市場(chǎng)“寒冬”，大廠持續(xù)縮減資本支出，調(diào)整庫(kù)存。

除了西部數(shù)據(jù)之外，美光科技此前也在財(cái)報(bào)中表示，將維持保守資本支出，2023財(cái)年美光資本支出將維持在約70億美元，同比下降40%。SK海力士今年1月在財(cái)報(bào)中表示，今年的投資規(guī)模將維持與去年的19萬(wàn)億韓元相比減少50%以上的基調(diào)。

存儲(chǔ)市場(chǎng)需求下半年好轉(zhuǎn)？

需求持續(xù)疲軟的大環(huán)境下，存儲(chǔ)市場(chǎng)何時(shí)迎來(lái)曙光？對(duì)此，存儲(chǔ)大廠均發(fā)表了各自的看法。

西部數(shù)據(jù)預(yù)計(jì)今年下半年市場(chǎng)將趨于平衡，公司正在密切關(guān)注市場(chǎng)的供需變化，令晶圓利用率接近實(shí)際需求。

三星、SK海力士、美光等大廠也看好未來(lái)存儲(chǔ)市場(chǎng)，其中三星表示，由于去年下半年以來(lái)發(fā)生的庫(kù)存調(diào)整，客戶庫(kù)存水平將下降，預(yù)計(jì)今年下半年需求將逐漸恢復(fù)。

SK海力士認(rèn)為，隨著第一季度客戶的庫(kù)存轉(zhuǎn)為下跌趨勢(shì)，并且第二季度起存儲(chǔ)器的減產(chǎn)將使供應(yīng)商的庫(kù)存去化，預(yù)計(jì)下半年市場(chǎng)環(huán)境將得到改善。

美光科技認(rèn)為，終端市場(chǎng)客戶的庫(kù)存在正逐步減少，預(yù)計(jì)供需平衡將逐漸改善，營(yíng)收將連續(xù)增長(zhǎng)。

全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，由于DRAM及NAND Flash供應(yīng)商減產(chǎn)不及需求走弱速度，部分產(chǎn)品第二季均價(jià)季跌幅有擴(kuò)大趨勢(shì)，DRAM擴(kuò)大至13~18%，NAND Flash則擴(kuò)大至8~13%。