俄羅斯7納米驚人突破 泄國產EUV曝光時間

俄羅斯企圖打破艾司摩爾（ASML）先進半導體設備獨占地位！俄媒消息指出，俄羅斯號稱開發(fā)出可取代曝光機的芯片制造工具，甚至發(fā)下豪語，將于2028年研發(fā)出可生產7納米芯片的曝光機，還可擊敗ASML同類產品。俄國目前普遍使用20年前的65納米制程，正在興建28納米晶圓廠。

俄羅斯國際新聞通訊社（俄新社）報導，圣彼得堡理工大學研發(fā)出一種「國產曝光復合體」，可用于蝕刻生產無掩模芯片，將有助于解決俄羅斯在微電子領域的技術主權問題。

科學家表示，這款芯片制造設備成本為500萬盧布（約臺幣161萬元），而另一種工具的成本未知。

研究人員指出，相較于傳統(tǒng)曝光技術需要專門掩膜板來獲取影像，這款裝置更為經濟、便利，透過專業(yè)軟件控制，實現(xiàn)完全自動化。該發(fā)明是「各種微電子裝置運行」所需的「納米結構」工藝分兩階段進行，首先使用基礎掩模曝光機，然后利用硅等離子化學蝕刻機。

而另一款設備可直接形成納米結構或制作硅膜，如用于艦載超壓傳感器。

俄羅斯目前使用最普遍的技術是20年前的65納米制程，但現(xiàn)在正積極興建28制程晶圓廠。

Tom's Hardware此前報導，俄羅斯大諾夫哥羅德策略發(fā)展機構（Novgorod Strategy Development）宣稱2028年將開發(fā)出可生產7納米芯片的曝光機，并擊敗ASML同類產品，即ASML Twinscan NXT：2000i DUV。

俄羅斯科學院納米結構研究所副所長Nikolai Chkhalo表示，近20年來ASML致力于發(fā)展EUV（極紫外光）曝光機，目標是讓頂尖半導體廠商保持極高的生產效率，但俄羅斯并不需要，只要根據(jù)國內的需求向前推進即可。