年底沖刺，美日韓政府半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)布大動(dòng)作

尹錫悅訪荷蘭，吸引 ASML 在韓投資

當(dāng)?shù)?12 月 12 日，尹錫悅與荷蘭國(guó)王威廉·亞歷山大、三星電子會(huì)長(zhǎng)李在镕和 SK 集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)崔泰源共同走訪半導(dǎo)體設(shè)備制造商 ASML 總部，與該公司現(xiàn)任首席執(zhí)行官彼得·溫寧克參觀主要設(shè)施，并探討加強(qiáng)芯片供應(yīng)鏈和技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域合作的方案。這也是 1961 年兩國(guó)建交以來(lái)，韓國(guó)總統(tǒng)首次對(duì)荷蘭進(jìn)行國(guó)事訪問(wèn)。尹錫悅抵達(dá)荷蘭后，受到荷蘭王室和政府官員的歡迎。

ASML 與三星電子簽署了一項(xiàng)備忘錄，將共同投資 1 萬(wàn)億韓元（約合 7.04 億歐元），在韓國(guó)建立研究中心，利用下一代極紫外（EUV）光刻機(jī)研究超精細(xì)芯片制造工藝。韓國(guó)官方聲稱(chēng)，此次 ASML 與三星電子的合作，使韓國(guó)在超精細(xì)芯片制造技術(shù)方面又領(lǐng)先了一步，并預(yù)計(jì) ASML 與 SK 海力士的交易將為韓國(guó)帶來(lái)一個(gè)更加環(huán)保的芯片制造設(shè)備生態(tài)系統(tǒng)。

在 ASML 總部舉行的會(huì)議上，ASML 與三星電子簽署諒解備忘錄，將在韓國(guó)共建芯片研究中心；此外，ASML 還與 SK 海力士簽署了一項(xiàng)協(xié)議，將合作開(kāi)發(fā)旨在降低芯片制造能耗的技術(shù)。

尹錫悅表示：「韓國(guó)和荷蘭之間的合作范圍正在擴(kuò)大，從防務(wù)和安全等戰(zhàn)略領(lǐng)域擴(kuò)大到經(jīng)濟(jì)和文化交流，以及尖端科學(xué)和技術(shù)交流。隨著此次訪問(wèn)期間許多協(xié)議和諒解備忘錄的簽署，韓國(guó)與荷蘭的關(guān)系將進(jìn)一步深化?！?/p>

尹錫悅在接受采訪時(shí)說(shuō)，半導(dǎo)體是韓荷兩國(guó)關(guān)系的「關(guān)鍵」，目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)「在戰(zhàn)略上比以往任何時(shí)候都更加重要，這使得這次對(duì)荷蘭的訪問(wèn)特別有意義」。他對(duì) ASML 的訪問(wèn)將標(biāo)志著兩國(guó)關(guān)系的「關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)」，而討論芯片合作會(huì)是他訪荷行程的重中之重。韓國(guó)貿(mào)易部長(zhǎng) Ahn Duk-geun 表示：「今天是半導(dǎo)體制造強(qiáng)國(guó)韓國(guó)和荷蘭重新結(jié)盟的一天。新的雙邊伙伴關(guān)系將使全球芯片供應(yīng)鏈更加穩(wěn)固，并將刺激更多的技術(shù)創(chuàng)新?！?/p>

日本擬提供十年的稅收激勵(lì)政策

據(jù)日本媒體報(bào)道，日本政府正計(jì)劃提供為期十年的稅收優(yōu)惠政策，以促進(jìn)電動(dòng)汽車(chē)生產(chǎn)和半導(dǎo)體設(shè)備制造等五個(gè)領(lǐng)域的大規(guī)模生產(chǎn)。此舉將效仿美國(guó)和歐盟的類(lèi)似政策，旨在鼓勵(lì)本國(guó)企業(yè)在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)，同時(shí)促進(jìn)日本能源轉(zhuǎn)型。

日本執(zhí)政黨自民黨將把上述減稅措施納入 2024 財(cái)年稅制改革框架，預(yù)計(jì)最早將于本周敲定。

除電動(dòng)汽車(chē)和半導(dǎo)體外，其他有望獲得 10 年稅收優(yōu)惠的行業(yè)包括可持續(xù)航空燃料、由可再生能源制成的綠色鋼鐵以及由植物和回收廢物制成的綠色化學(xué)品。電動(dòng)汽車(chē)類(lèi)別中還將包括蓄電池。

具體來(lái)看，擬議的稅收激勵(lì)政策將包括每輛電動(dòng)汽車(chē)減免 40 萬(wàn)日元（約合 2750.28 美元），每升可持續(xù)航空燃料減免 30 日元，以及每噸綠色鋼鐵減免 2 萬(wàn)日元。

對(duì)于半導(dǎo)體企業(yè)，每個(gè)財(cái)年最多可減免 20% 的企業(yè)所得稅，而其他類(lèi)別的減稅上限為 40%。若企業(yè)在報(bào)告期內(nèi)遭受損失，則可以將未使用的稅收減免結(jié)轉(zhuǎn)至下一個(gè)報(bào)告期——這對(duì)于半導(dǎo)體領(lǐng)域適用最多三年，對(duì)于其他領(lǐng)域適用最多四年。

在半導(dǎo)體方面，日本正試圖重拾半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的榮光。今年 6 月，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省發(fā)布修訂后的《半導(dǎo)體、數(shù)字產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略》，計(jì)劃在 2030 年將日本國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體行業(yè)銷(xiāo)售額提高兩倍，達(dá)到 15 萬(wàn)億日元。

日本政府最早將在本周確定的 2024 財(cái)年稅制改革框架中納入相關(guān)措施，并將根據(jù)符合條件產(chǎn)品的生產(chǎn)和銷(xiāo)售量來(lái)確定具體稅收優(yōu)惠規(guī)模。

美國(guó)紐約州將建立 High-NA EUV 研發(fā)中心

12 月 12 日，美國(guó)紐約州宣布與 IBM、美光等其他行業(yè)參與者合作，投資 100 億美元擴(kuò)建奧爾巴尼納米科技園，建立一個(gè)新的 High NA EUV 中心，該中心將推動(dòng)未來(lái)十年的半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新。

紐約州州長(zhǎng) Kathy Hochul 宣布 IBM、美光、應(yīng)用材料、東京電子等公司建立合作關(guān)系，在紐約建立下一代半導(dǎo)體研發(fā)中心奧爾巴尼半導(dǎo)體技術(shù)中心。該合作伙伴關(guān)系將投入 100 億美元資助建設(shè)一個(gè)尖端的 High NA 極紫外光刻中心——這是北美第一個(gè)也是唯一一個(gè)公有的 High NA EUV 中心。

為了支持該項(xiàng)目，紐約州將投資 10 億美元擴(kuò)建奧爾巴尼納米科技園，通過(guò)購(gòu)買(mǎi) ASML 的 EXE:5200 High NA EUV 設(shè)備以及建造 NanoFab Reflection 來(lái)建立 High NA EUV 中心。這座高度精密的全新建筑擁有超過(guò) 50,000 平方英尺的潔凈室空間，將鼓勵(lì)未來(lái)的合作伙伴發(fā)展并支持美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)中心、國(guó)家先進(jìn)封裝制造計(jì)劃和國(guó)防部微電子共享計(jì)劃等。

紐約州吸引了 IBM Research 的 CMOS 技術(shù)開(kāi)發(fā)設(shè)施、東京電子的美國(guó)技術(shù)中心、應(yīng)用材料 META 中心、GlobalFoundries 的旗艦工廠、丹佛斯的電力電子封裝廠。2022 年 10 月，紐約州簽署了全美第一項(xiàng)綠色芯片立法，該州州長(zhǎng)宣布美光公司歷史性地投資 1000 億美元，在紐約市中心建立一個(gè)最先進(jìn)的前沿存儲(chǔ)器制造園區(qū)，將創(chuàng)造 5 萬(wàn)個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。自簽署綠色芯片以來(lái)，該州州長(zhǎng)還宣布了其他幾家半導(dǎo)體制造商和半導(dǎo)體供應(yīng)鏈公司的重大投資，包括 AMD、Edwards Vacuum 和 TTM Technologies。

2023 年的紐約政府演講中，該州長(zhǎng) Hochul 宣布成立了價(jià)值 4500 萬(wàn)美元的半導(dǎo)體擴(kuò)張、制造和集成州辦公室，即 GO-SEMI，用以對(duì)該州半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行監(jiān)督和負(fù)責(zé)。