SK海力士“狂飆”，HBM是“救命良藥”

最近，SK 海力士披露了亮眼的第四季度財報，2023 年第四季度實現(xiàn)扭虧為盈，當(dāng)季營業(yè)利潤 3460 億韓元（約合 2.6 億美元），而上年同期營業(yè)虧損 1.91 萬億韓元。這意味著，SK 海力士成功擺脫了從 2022 年第四季度以來一直持續(xù)的營業(yè)虧損情況。

相比之下，同為韓國半導(dǎo)體巨頭的三星，業(yè)績卻不盡如人意。數(shù)據(jù)顯示，三星電子去年銷售額為 258.16 萬億韓元（1.4 萬億元人民幣），同比下滑 14.58%。受半導(dǎo)體部門業(yè)績不佳影響，三星電子全年營業(yè)利潤時隔 15 年再次跌至 10 萬億韓元（544 億元人民幣）以下。

近一年來，SK 海力士的表現(xiàn)可謂可圈可點，僅用了一年時間結(jié)束虧損，SK 海力士靠的是什么「救命良方」？

SK 海力士的業(yè)績情況

財報來看，SK 海力士去年 Q4 營收同比增長 47% 至 11.31 萬億韓元，高于分析師預(yù)期的 10.4 萬億韓元。

運營利潤 3460.3 億韓元，好于分析師預(yù)期的虧損 1699.1 億韓元，好于 Q3 的虧損 1.79 萬億韓元；凈虧損 1.38 萬億韓元，超過了分析師預(yù)期的虧損 0.41 萬億韓元，但較前一季度虧損大幅縮窄。

另外，Q4 毛利潤為 2.23 億韓元，同比大增 9404%；毛利潤率為 20%，為連續(xù)第三個季度回升；EBITDA（稅息折舊及攤銷前利潤）為 3.58 億韓元，同比增長 99%。

對于財務(wù)的增長，SK 海力士解釋道，去年第四季度用于 AI 服務(wù)器和移動端的產(chǎn)品需求增長，平均售價（ASP，Average Selling Price）上升等存儲器市場環(huán)境有所改善。與此同時，公司持續(xù)實施以盈利為主的經(jīng)營活動發(fā)揮了效果，僅時隔一年實現(xiàn)了季度業(yè)績扭虧為盈。

從產(chǎn)品方面，SK 海力士表示，公司的主力產(chǎn)品 DDR5 DRAM 和 HBM3 的收入同比分別增長 4 倍和 5 倍以上。

回顧 2023 全年的業(yè)績，SK 海力士前三季度營收可以說是一虧再虧。不過，虧損是在持續(xù)收斂的。

一季度財報顯示，公司收入為 5.0881 萬億韓元，營業(yè)虧損為 3.4023 萬億韓元，凈虧損為 2.5855 萬億韓元。2023 財年第一季度營業(yè)虧損率為 67%，凈虧損率為 51%。

當(dāng)時，SK 海力士表示：「第一季度存儲器半導(dǎo)體市場持續(xù)低迷，需求疲軟和產(chǎn)品價格不斷下跌導(dǎo)致公司本季度的營業(yè)收入環(huán)比減少，營業(yè)虧損加大。但預(yù)計以第一季度為低點，銷量逐漸遞增，第二季度業(yè)績將有所回升。」

在一季度，SK 海力士就決定加大對 DDR5 和 HBM 的投入。官方表示，決定注重于以 DDR5 服務(wù)器 DRAM 和 HBM 等高性能 DRAM、采用 176 層 NAND 的 SSD、uMCP 產(chǎn)品為中心的銷售，以此提升營業(yè)收入。

到了二季度，SK 海力士的財報還是處于虧損。

第二季度收入為 7.3059 萬億韓元，營業(yè)虧損為 2.8821 萬億韓元，凈虧損為 2.9879 萬億韓元。2023 財年第二季度營業(yè)虧損率為 39%，凈虧損率為 41%。但可以看到，相較于第一季度，虧損率有所收斂，從第一季度的 67% 下滑為第二季度的 39%。

對此，SK 海力士解釋道：「隨著以 ChatGPT 為中心的生成式 AI 市場的擴(kuò)大，面向 AI 服務(wù)器的存儲器需求劇增。因此 HBM3 和 DDR5 DRAM 等高端產(chǎn)品銷售增加，第二季度營業(yè)收入比第一季度增加 44%，營業(yè)虧損減少 15%?！?/span>

三季度財報顯示，公司的收入為 9.0662 萬億韓元，營業(yè)虧損為 1.7920 萬億韓元，凈虧損為 2.1847 萬億韓元。2023 財年第三季度營業(yè)虧損率為 20%，凈虧損率為 24%。持續(xù)減少營業(yè)損失規(guī)模。

可以看到，自從一季度開始陷入虧損后，靠著 HBM 和 DDR5，SK 海力士持續(xù)向好。

誰是「救命良藥」？

HBM 成為「印鈔機」

正如前文所述，HBM 是 SK 海力士業(yè)績大增的關(guān)鍵之一。

簡單介紹一下 HBM。HBM 的全稱是 High Bandwidth Memory，意為高帶寬存儲器，是一種面向需要極高吞吐量的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的 DRAM，HBM 的作用類似于數(shù)據(jù)的「中轉(zhuǎn)站」，就是將使用的每一幀，每一幅圖像等圖像數(shù)據(jù)保存到幀緩存區(qū)中，等待 GPU 調(diào)用。

正如其名，HBM 與其他 DRAM 最大的差別就是擁有超高的帶寬。最新的 HBM3E，最高每秒可以處理 1.15TB（太字節(jié)）的數(shù)據(jù)。而最新的 GDDR6 的帶寬最高只有 96GB/s，CPU 和硬件處理單元的常用外掛存儲設(shè)備 DDR4 的帶寬更是只有 HBM 的 1/10?？梢哉f，HBM 是當(dāng)下數(shù)據(jù)處理速度最快的 DRAM 產(chǎn)品。

AI 服務(wù)器 GPU 市場以 NVIDIA H100、A100、A800 以及 AMD MI250、MI250X 系列為主，基本都配備了 HBM。HBM 成本在 AI 服務(wù)器成本中占比排名第三，約占 9%，單機 ASP（單機平均售價）高達(dá) 18,000 美元。

在 2013 年，SK 海力士與 AMD 合作開發(fā)了世界上的第一個 HBM。

與 SK 海力士率先入局有關(guān)，之后 SK 海力士在 HBM 的路上走得穩(wěn)穩(wěn)當(dāng)當(dāng)。2018 年 SK 海力士發(fā)布第二代 HBM 產(chǎn)品 HBM2；隨后 2020 年 SK 海力士發(fā)布第三代 HBM——HBM2E，作為 HBM2 的擴(kuò)展版本，性能與容量進(jìn)一步提升；2021 年 10 月 SK 海力士成功開發(fā)出第四代產(chǎn)品 HBM3，并于 2022 年 6 月開始量產(chǎn)。2023 年，SK 海力士成功開發(fā)出面向 AI 的超高性能 DRAM 新產(chǎn)品 HBM3E。

可以說從 HBM1、HBM2E、HBM3、HBM3E，SK 海力士持續(xù)領(lǐng)先。SK 海力士占據(jù) HBM 市場 50% 的份額，三星占比 40%，美光占比 10%。

在很長一段時間內(nèi)，SK 海力士都是英偉達(dá) HBM 的獨家供應(yīng)商。2023 年 SK 海力士基本壟斷了 HBM3 供應(yīng)，今年其 HBM3 與 HBM3E 的訂單也已售罄。作為英偉達(dá)高帶寬內(nèi)存 (HBM）的主要供應(yīng)商，SK 海力士過去一年股價飆升超過 50%，市值達(dá)到 97.27 萬億韓元（約合 738.40 億美元）。

也正因此，SK 海力士首席執(zhí)行官 Kwak Noh-Jung 才敢放出豪言：「市場上只有三家 HBM 供應(yīng)商。我可以肯定地說，SK 海力士在 HBM 領(lǐng)域是明確的領(lǐng)導(dǎo)者?！?/span>

分析師 Hwang Min-sung 指出：「從 2023 年第二季度和第四季度開始，SK 海力士的 HBM 就與競爭對手形成顯著差異化，第三季度和第四季度差距進(jìn)一步擴(kuò)大。與通常的存儲器世代需要 1.5 到 2 年的時間過渡不同，HBM 只需 1 年的時間即可完成過渡，這為市場領(lǐng)導(dǎo)者 SK 海力士帶來了優(yōu)勢?！?/span>

憑借著 HBM，SK 海力士不僅僅是業(yè)績增長，市場占有率也在迅速增長。據(jù) TrendForce 統(tǒng)計，SK 海力士第三季度以 49.6% 的市場份額穩(wěn)居服務(wù)器 DRAM 市場第一，銷售額達(dá) 18.5 億美元，成功擠下三星電子。三星電子以 13.13 億美元的銷售額排名第二，占據(jù) 35.2% 的市場份額，第三名是美光，銷售額為 5.6 億美元，市場份額為 15.0%。

DDR5 成主流

成為 SK 海力士救命良藥的不只是 HBM，還有 DDR5。

根據(jù) Yole Developpement 的報告顯示，從 DDR4 到 DDR5 內(nèi)存過渡將會非常迅速。DDR5 內(nèi)存大規(guī)模應(yīng)用將在 2022 年從服務(wù)器和企業(yè)市場開始，到 2023 年，消費級的主流市場將廣泛采用 DDR5 內(nèi)存，無論是臺式電腦、筆記本電腦還是手機，都會充分利用新一代內(nèi)存技術(shù)。

得益于服務(wù)器市場，2022 年 DDR5 內(nèi)存的使用率將增加 25%，到了 2023 年，DDR5 內(nèi)存的市場份額會超過 50%。2024 年至 2026 年，隨著 DDR5 內(nèi)存全面被各個市場采用，DDR4 內(nèi)存的市場份額將僅有 5%。

但是，對于 DDR5，雖然 SK 海力士是唯一一家全面生產(chǎn) 128GB 芯片的公司，三星剛剛開始生產(chǎn)，美光則在去年 11 月才姍姍推出了 128GB DDR5。

業(yè)界相關(guān)人士分析道，SK 海力士 1a（第四代 10nm，屬于 14nm 級）DDR5 DRAM 產(chǎn)品良率高達(dá) 90%，遠(yuǎn)高于競爭對手。一位熟悉 SK 海力士的人士表示，「以 1a 標(biāo)準(zhǔn)，SK 海力士的良率已經(jīng)達(dá)到了黃金良率?！?/span>

因此，在圍繞服務(wù)器用 128GB DDR5 等高容量產(chǎn)品的市場中，早期 SK 海力士在這一領(lǐng)域中供應(yīng)了 100% 的市場量。

搶占 HBM 先機

目前 HBM 已經(jīng)演變到了第五代，甚至第六代 HBM4 技術(shù)也初露頭角，但時至今日，HBM3e（第五代）仍舊沒有完全應(yīng)用于產(chǎn)品當(dāng)中。

既然 HBM 如此火熱，SK 海力士也想牢牢抓在手里。

在這一背景下，SK 海力士計劃在 2024 年增加資本支出，并將生產(chǎn)重心放在 HBM 等高端存儲產(chǎn)品上。之前公司曾預(yù)計，到 2030 年其 HBM 出貨量將達(dá)到每年 1 億顆；并決定在 2024 年預(yù)留約 10 萬億韓元（約合 76 億美元）的設(shè)施資本支出——相較 2023 年 6 萬億-7 萬億韓元的預(yù)計設(shè)施投資，增幅高達(dá) 43%-67%。

不止 SK 海力士，HBM 的大蛋糕，存儲廠商都看著眼熱。

三星對 HBM 的布局從 HBM2 開始，目前，三星已經(jīng)向客戶提供了 HBM2 和 HBM2E 產(chǎn)品。2016 年三星量產(chǎn) HBM2；2020 年三星推出了 HBM2；2021 年 2 月，三星推出了 HBM-PIM（存算一體），將內(nèi)存半導(dǎo)體和 AI 處理器合二為一；2022 年三星表示 HBM3 已量產(chǎn)。

韓國日報稱，三星電子打破了 SK 海力士為英偉達(dá)獨家供應(yīng) HBM 3 的局面，該公司計劃從明年 1 月開始向英偉達(dá)提供 HBM3。此前，三星電子已成功向美國 AMD 供應(yīng) HBM3 內(nèi)存。

美光這邊，為了改善自己在 HBM 市場中的被動地位，美光選擇了直接跳過第四代 HBM 即 HBM3，直接升級到了第五代。

2023 年 9 月，美光宣布推出 HBM3 Gen2（即 HBM3E），后續(xù)表示計劃于 2024 年初開始大批量發(fā)貨 HBM3 Gen2 內(nèi)存，同時透露英偉達(dá)是主要客戶之一。美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 也在公司財報電話會議里表示：「我們的 HBM3 Gen2 產(chǎn)品系列的推出引起了客戶的濃厚興趣和熱情?！?/span>

最新消息顯示，英偉達(dá)正在規(guī)劃加入更多的 HBM 供應(yīng)商，以完善和健全其供應(yīng)鏈管理。除了 HBM3 和 HBM3e 以外，HBM4 預(yù)計將在 2026 年推出。目前，英偉達(dá)和其他 CSP（云端業(yè)者）在未來的產(chǎn)品應(yīng)用上，規(guī)格和效能都將得到優(yōu)化。

HBM4 在堆棧的層數(shù)上，除了現(xiàn)有的 12hi（12 層）外，還將再往 16hi（16 層）發(fā)展，更高層數(shù)預(yù)計將帶動新堆棧方式的需求增長。機構(gòu)預(yù)測，HBM4 12hi 產(chǎn)品將在 2026 年推出，16hi 產(chǎn)品則有望在 2027 年問世。

HBM 的戰(zhàn)斗，還在繼續(xù)。

結(jié)語

無論是第五代 10nm 級 DRAM 技術(shù)，還是 HBM 等新技術(shù)，存儲大廠都在持續(xù)發(fā)力。展望未來，隨著 5G、人工智能、云計算等技術(shù)的快速發(fā)展，高性能內(nèi)存需求將持續(xù)增長。

總的來說，SK 海力士業(yè)績向好的背后，是其在 HBM 和 DDR5 領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)和市場布局。SK 海力士業(yè)績向好，也再次體現(xiàn)出創(chuàng)新技術(shù)對于半導(dǎo)體廠商的重要性。市場總是不會虧待有創(chuàng)新力的企業(yè)。然而，要想保持這一優(yōu)勢并持續(xù)增長，SK 海力士還需不斷創(chuàng)新和適應(yīng)市場的變化。

在市場回春后，新存儲的技術(shù)之戰(zhàn)，會愈演愈烈。