存儲行業(yè)市場迎來反轉(zhuǎn)，國產(chǎn)賽道競爭激烈

1 AI崛起、終端復(fù)蘇及供求變化驅(qū)動儲存市場復(fù)蘇

隨著AI的大規(guī)模普及，半導(dǎo)體行業(yè)市場迎來了新的浪潮，受到大模型時代的高算力、大存儲的現(xiàn)實(shí)需求推動，下游市場復(fù)蘇疊加AI浪潮驅(qū)動，將GPU及存儲需求迅速提升。

對于NAND行業(yè)而言，NAND閃存類存儲本身處在AI生態(tài)鏈中，任何數(shù)據(jù)如果沒有SSD便無法運(yùn)轉(zhuǎn)起來，因此大模型興起客觀上就會引發(fā)對NAND需求。

根據(jù)功能性及使用的主要存儲芯片類型不同，半導(dǎo)體存儲器分為易失性存儲芯片（簡稱RAM）和非易失性存儲芯片（簡稱ROM）。

RAM可分為靜態(tài)隨機(jī)存儲器（簡稱SRAM）和動態(tài)隨機(jī)存儲器（簡稱DRAM）兩類，SRAM 不需要周期性地刷新，速度比較快，但成本也較高，是利基存儲；DRAM需要周期性地刷新，速度較慢，但成本較低，是大宗存儲。

ROM主要包括掩膜型只讀存儲器、可編程只讀存儲器、快閃存儲器（簡稱Flash）?？扉W存儲器的主流產(chǎn)品為NOR Flash 和NAND Flash，其中NAND 是大宗存儲，NOR 是利基存儲。

目前存儲芯片市場主要以DRAM 和NAND Flash 為主。其中，DRAM 市場規(guī)模最大，占比約為55.9%。NAND Flash 占比約為44.0%。

圖1

而存儲產(chǎn)業(yè)鏈也分為上游、中游及下游。

上游是原材料和半導(dǎo)體設(shè)備，原材料主要以硅片、光刻膠、電子特種氣等為主；半導(dǎo)體設(shè)備主要以光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、檢測與測試設(shè)備等為主。

中游包括制造、封測和集成模組三大環(huán)節(jié)，其中，存儲晶圓顆粒是存儲器的核心，存儲產(chǎn)品中的所有數(shù)據(jù)和信息均存儲在晶圓顆粒中；封裝測試是將存儲晶圓顆粒和主控芯片封裝在一起，并對整個存儲器進(jìn)行測試和調(diào)試；模組廠將存儲器和其他電子組件組合在一起，形成最終產(chǎn)品。

下游的應(yīng)用則包括消費(fèi)電子、信息通信、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、高新科技等。

從應(yīng)用市場看，手機(jī)、PC、服務(wù)器依然是存儲的三大主力應(yīng)用市場，但與以往不同的是，在AI 技術(shù)要求下，其對三大主力應(yīng)用市場提出了新的存儲要求，從而推動存儲市場穩(wěn)步發(fā)展。并且存儲行業(yè)的市場集中度較高，幾家大型半導(dǎo)體公司占據(jù)了大部分市場份額。在存儲行業(yè)產(chǎn)品的市場占有率方面，DRAM 以超過50% 的份額穩(wěn)居第一，NAND占比約為35%，NOR維持著約2%的市場份額。

存儲行業(yè)市場規(guī)模超千億，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的第二大細(xì)分市場。2020 年至2022 年，全球存儲市場規(guī)模分別為1175 億美元、1534 億美元、1392 億美元，占半導(dǎo)體規(guī)模的比例分別為24%、28%、27%。存儲的周期性與全球半導(dǎo)體整體周期性走勢一致，但波動性遠(yuǎn)大于其他細(xì)分品類。

去年第一季度開始，三星、SK 海力士、美光、西部數(shù)據(jù)和鎧俠等廠商紛紛宣布減少產(chǎn)能，廠商降低關(guān)于存儲業(yè)務(wù)的資本性支出。各大廠商不約而同的減產(chǎn)計(jì)劃促使存儲周期提前，在存儲需求不斷擴(kuò)大的前提下，存儲芯片的價格將會上升，提前進(jìn)人復(fù)蘇周期。供給端減產(chǎn)持續(xù)，目前根據(jù)測算，自2023 年起，海外廠商的產(chǎn)能利用率和資本支出已顯著減少，存儲芯片價值穩(wěn)步提升。

由于存儲行業(yè)進(jìn)入新一輪上行周期，存儲產(chǎn)業(yè)鏈在2024 年第一季度的業(yè)績大幅增加，其實(shí)在2023 年的三、第四季度，存儲行業(yè)已經(jīng)開始觸底反彈，據(jù)相關(guān)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，存儲價格上漲趨勢明確，行業(yè)進(jìn)入新一輪上行周期，上游存儲晶圓價格自2023 年第三季度開始觸底反彈，至2024 年3 月已上漲30%。根據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)預(yù)測，2024 年第二季度，存儲行業(yè)有望延續(xù)上行趨勢。第二季度NAND Flash（閃存存儲器）合約價將強(qiáng)勢上漲約13%至18%，DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）價格漲幅約3% 至8%。

不少的廠商及企業(yè)存儲的產(chǎn)品銷量實(shí)現(xiàn)同比大幅增長，同時受益存儲產(chǎn)品市場價格持續(xù)回升，公司盈利狀況顯著提升，都相繼轉(zhuǎn)虧為盈，各大預(yù)測機(jī)構(gòu)也都對今年的存儲市場持續(xù)看好。

美光2024 財年第二財季（截至2024 年2 月三個財務(wù)月份）報告顯示，GAAP 凈利潤為7.93 億美元，上一個財季則為虧損12.34 億美元，2023 財年同期則為虧損23.12 億美元。明顯實(shí)現(xiàn)大幅扭虧。

表1 美光2024財年第二財季主要數(shù)據(jù)

同樣，存儲巨頭SK 海力士也已在2023 年四季度實(shí)現(xiàn)扭虧至約盈利2.6 億美元?？梢娫谏嫌螐S商持續(xù)減產(chǎn)效應(yīng)推動下，伴隨存儲產(chǎn)品開始漲價趨勢后，產(chǎn)業(yè)鏈公司也逐漸開始回歸正常盈利狀況。

江波龍業(yè)績預(yù)告指出，2023 年第四季度公司預(yù)計(jì)營收在35 億-40 億元，同比上升超過100%，環(huán)比上升超過20%；當(dāng)季度實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。

內(nèi)存接口芯片龍頭瀾起科技預(yù)計(jì)2024 年一季度實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入7.37 億元，較上年同期增長75.74%；凈利潤為2.10 億元至2.40 億元，較上年同期增長9.65 倍至11.17 倍。

自2023 年第四季度以來，存儲行業(yè)環(huán)境改善明顯，下游市場需求復(fù)蘇，佰維存儲的產(chǎn)品銷量實(shí)現(xiàn)同比大幅增長，同時受益存儲產(chǎn)品市場價格持續(xù)回升，公司盈利狀況顯著提升。

從已披露企業(yè)的業(yè)績情況看，多家企業(yè)一季度利潤超市場預(yù)期，行業(yè)景氣、板塊復(fù)蘇態(tài)勢強(qiáng)勁。隨著2023 年年報、2024 年一季報逐漸披露，預(yù)計(jì)業(yè)績表現(xiàn)較好個股有望取得較好的相對收益。

半導(dǎo)體行業(yè)組織（SEMI）相關(guān)報告顯示，由于內(nèi)存市場復(fù)蘇以及對高效能運(yùn)算和汽車應(yīng)用的強(qiáng)勁需求，全球用于前端設(shè)施的300mm 晶圓廠設(shè)備支出預(yù)估在2025 年首次突破1000 億美元，到2027 年將達(dá)到1370億美元的歷史新高。全球300mm 晶圓廠設(shè)備投資預(yù)計(jì)將在2025 年增長20% 至1165 億美元，2026 年將增長12% 至1305 億美元，將在2027 年創(chuàng)下歷史新高。

伴隨存儲產(chǎn)業(yè)逐漸復(fù)蘇的同時，供需關(guān)系也在變化。有機(jī)構(gòu)近日指出，目前在NAND Flash 行業(yè)，今年三月起僅鎧俠和西部數(shù)據(jù)率先將產(chǎn)能利用率恢復(fù)至近九成，其余業(yè)者均未明顯增加投產(chǎn)規(guī)模。DRAM領(lǐng)域供應(yīng)商此前已有所提高產(chǎn)能利用率，不過由于今年整體需求展望不佳，外加此前已大幅漲價，預(yù)計(jì)庫存回補(bǔ)動能將逐漸走弱。

行業(yè)間已經(jīng)有觀點(diǎn)指出，有警惕因?yàn)榇鎯^分漲價，可能會抑制下游需求釋放的情形出現(xiàn)。

2 儲存行業(yè)國產(chǎn)替代空間大

受消費(fèi)電子市場需求疲軟等因素影響，自2021 年以來，存儲芯片產(chǎn)業(yè)進(jìn)入長達(dá)近兩年的下行周期。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029 年中國存儲芯片行業(yè)市場發(fā)展監(jiān)測及投資戰(zhàn)略咨詢報告》顯示，2022 年，我國存儲芯片市場規(guī)模約5170 億元，同比下降5.9%，2023年市場規(guī)模約為5400 億元。當(dāng)前新一輪人工智能浪潮爆發(fā)，由AI 服務(wù)器帶來存儲芯片新的增量需求，有分析師預(yù)測，2024 年市場規(guī)模將恢復(fù)增長至5513 億元。

圖2

盡管目前全球HBM 供應(yīng)商主要來自韓國（SK 海力士、三星）和美國（美光），但由AI 需求所帶動的存儲產(chǎn)業(yè)鏈需求巨大，中國存儲廠商抓住機(jī)遇，依然有較大發(fā)展空間。

我國企業(yè)中長江存儲、長鑫存儲分別在NANDFlash、DRAM市場中不斷發(fā)力，已在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，逐步縮小與國外原廠的差距; 在NOR Flash 全球市場中，我國企業(yè)兆易創(chuàng)新占據(jù)前三，扮演中國半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要角色。

2023 年，長江存儲在全球存儲芯片市場的份額占比超過10%，成為存儲芯片市場上不容忽視的勢力之一。經(jīng)過十幾年的技術(shù)積累，我國已基本形成完整的存儲產(chǎn)業(yè)鏈條，并形成了長三角、珠三角、京津環(huán)渤海與中西部四大主要產(chǎn)業(yè)聚落，產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng)強(qiáng)大，進(jìn)一步提高了區(qū)域生產(chǎn)效率和加深區(qū)內(nèi)生產(chǎn)的分工和協(xié)作。同時，我國本土電子產(chǎn)業(yè)成長迅速，已成為電子產(chǎn)品生產(chǎn)制造大國，本土芯片設(shè)計(jì)企業(yè)的技術(shù)能力和市場能力迅速發(fā)展壯大。因此，我國通過切入存儲，成為半導(dǎo)體強(qiáng)國的趨勢無法阻擋。同時，產(chǎn)業(yè)政策的支持吸引一大批高端人才回國發(fā)展，人才聚集使得國內(nèi)企業(yè)逐步積累了自主知識產(chǎn)權(quán)和核心技術(shù)，為存儲芯片的國產(chǎn)替代提供了產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，推動自給率提升，為行業(yè)帶來新的發(fā)展機(jī)遇。

（本文來源于《EEPW》2024.5）