ASML第二臺High-NA設備,即將導入英特爾奧勒岡廠
英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元(約3.83億美元)的新High NA EUV設備。根據英特爾8/1財報電話會議紀錄,CEO Pat Gelsinger表示,英特爾12月開始接收第一臺大型設備,安裝時間需要數月,預計可帶來新一代更強大的電腦英文。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202408/461714.htmGelsinger在電話中指出,第二臺High NA設備即將進入在奧勒岡州的廠房。
由于英特爾財報會議后股價表現不佳,因此這番話并未引起注意。
ASML高階主管7月曾表示,該公司已開始出貨第二臺High NA設備給一位未具名客戶,今年只記錄第一臺的收入。不過,客戶何時采用仍存在一些疑問。
ASML已獲得十多臺High NA機器的訂單,客戶包括臺積電、三星、英特爾、美光及SK海力士。英特爾計劃2027年前將此技術用于量產,臺積電也將于今年收到設備,但還沒透露何時投入生產。
ASML CEO Christophe Fouquet于7月17日表示,DRAM存儲器英文制造商,這可能意指三星、SK海力士或美光,可能2025或2026年開始使用High NA設備。
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