ASML第二臺(tái)High-NA設(shè)備，即將導(dǎo)入英特爾奧勒岡廠

英特爾正接收ASML第二臺(tái)耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設(shè)備。根據(jù)英特爾8/1財(cái)報(bào)電話會(huì)議紀(jì)錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開始接收第一臺(tái)大型設(shè)備，安裝時(shí)間需要數(shù)月，預(yù)計(jì)可帶來新一代更強(qiáng)大的電腦英文。

Gelsinger在電話中指出，第二臺(tái)High NA設(shè)備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠房。

由于英特爾財(cái)報(bào)會(huì)議后股價(jià)表現(xiàn)不佳，因此這番話并未引起注意。

ASML高階主管7月曾表示，該公司已開始出貨第二臺(tái)High NA設(shè)備給一位未具名客戶，今年只記錄第一臺(tái)的收入。不過，客戶何時(shí)采用仍存在一些疑問。

ASML已獲得十多臺(tái)High NA機(jī)器的訂單，客戶包括臺(tái)積電、三星、英特爾、美光及SK海力士。英特爾計(jì)劃2027年前將此技術(shù)用于量產(chǎn)，臺(tái)積電也將于今年收到設(shè)備，但還沒透露何時(shí)投入生產(chǎn)。

ASML CEO Christophe Fouquet于7月17日表示，DRAM存儲(chǔ)器英文制造商，這可能意指三星、SK海力士或美光，可能2025或2026年開始使用High NA設(shè)備。