臺(tái)積電OIP推3D IC設(shè)計(jì)新標(biāo)準(zhǔn)

臺(tái)積電OIP（開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)）于美西當(dāng)?shù)貢r(shí)間25日展開(kāi)，除表?yè)P(yáng)包括力旺、M31在內(nèi)之業(yè)者外，更計(jì)劃推出3Dblox新標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新，并提高EDA工具的通用性。 臺(tái)積電設(shè)計(jì)構(gòu)建管理處負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構(gòu)中的物理挑戰(zhàn)，幫助共同客戶(hù)利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的設(shè)計(jì)。

臺(tái)積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑，與設(shè)計(jì)合作伙伴及客戶(hù)共同探討如何通過(guò)更深層次的合作，推動(dòng)AI芯片設(shè)計(jì)的創(chuàng)新。 Dan Kochpatcharin強(qiáng)調(diào)，「我們正在迎來(lái)一個(gè)AI驅(qū)動(dòng)的時(shí)代，對(duì)高效能AI芯片的需求在數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域不斷攀升。 臺(tái)積的技術(shù)創(chuàng)新正在為人工智能解鎖巨大潛力?！?br/>利用AI和機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)，顯著提高3D IC設(shè)計(jì)的生產(chǎn)力，并優(yōu)化設(shè)計(jì)的功耗、性能和面積（PPA），以及設(shè)計(jì)結(jié)果的質(zhì)量（QoR）。 透過(guò)與OIP伙伴的緊密合作，臺(tái)積電正在解決3D IC架構(gòu)物理現(xiàn)象的挑戰(zhàn)，并利用最新的臺(tái)積電3DFabric技術(shù)推動(dòng)創(chuàng)新。
臺(tái)積電作為3Dblox委員會(huì)核心成員，積極推動(dòng)3Dblox標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展。 臺(tái)積電透露，計(jì)劃將該標(biāo)準(zhǔn)通過(guò)IEEE公開(kāi)發(fā)布，使更多的合作伙伴、客戶(hù)和晶圓廠更容易使用3Dblox，推動(dòng)AI技術(shù)的發(fā)展。
AWS、博通（Broadcom）及Socionext等公司均對(duì)臺(tái)積電的技術(shù)創(chuàng)新表示贊賞。 其中，博通更于本月推出業(yè)界首款基于臺(tái)積電5納米制程的Face-to-Face 3D SoIC裝置，采用3D堆疊和CoWoS-R封裝技術(shù)，整合9個(gè)芯片和六個(gè)HBM堆疊，為2025年即將進(jìn)行的3D SoIC量產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。
臺(tái)積電硅智財(cái)合作伙伴力旺之NeoFuse OTP在臺(tái)積電N7與N6成功量產(chǎn)、并贏得N5、N5A、N4P節(jié)點(diǎn)的設(shè)計(jì)案; M31更宣布ONFi5.1 I/O IP在臺(tái)積電5納米制程平臺(tái)上成功完成硅驗(yàn)證，并向3納米持續(xù)發(fā)展。
透過(guò)與OIP伙伴緊密合作，臺(tái)積電積極推動(dòng)3D IC設(shè)計(jì)的創(chuàng)新，致力于為全球市場(chǎng)提供最先進(jìn)的AI芯片解決方案; 隨著技術(shù)的不斷演進(jìn)，臺(tái)積電繼續(xù)引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，為未來(lái)AI應(yīng)用提供無(wú)限可能。