2013半導(dǎo)體研發(fā)支出英特爾蟬聯(lián)冠軍 臺積第6

　　隨著晶圓代工廠于先進(jìn)制程的競爭態(tài)勢越發(fā)激烈，而4GLTE時(shí)代的來臨，也促使IC設(shè)計(jì)廠商紛紛推出高規(guī)格(比方八核心、64位元)晶片，半導(dǎo)體巨擘為維持在業(yè)界的領(lǐng)頭羊位置，砸錢研發(fā)顯然不手軟。根據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)ICInsights出具的最新報(bào)告，2013年全球半導(dǎo)體企業(yè)中，仍以英特爾投入116.11億美元的研發(fā)支出居冠。值得注意的是，臺積電(2330)則以16.23億美元的研發(fā)支出，排名第6。

　　ICInsights指出，相較于其他產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體企業(yè)為跟上產(chǎn)業(yè)日新月異的技術(shù)演進(jìn)，透過密集資本支出來鞏固其領(lǐng)導(dǎo)地位的態(tài)勢更為明顯。而2013年，半導(dǎo)體企業(yè)的研發(fā)支出，仍以英特爾年增5%、來到116.11億美元稱冠，并創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。且在前10名投入最多研發(fā)支出的半導(dǎo)體企業(yè)中，英特爾的金額更占據(jù)了37%的份額，單是英特爾這一家公司，研發(fā)支出就占了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的19%。

　　根據(jù)ICInsights的統(tǒng)計(jì)，2013年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研發(fā)支出第2名的則是高通(Qualcomm)，年增28%來到33.95億美元，僅是英特爾的三分之一。2013年排行第3的則是三星，研發(fā)支出僅微幅年增2%、來到28.2億美元。值得注意的是，三星研發(fā)支出自2011年以來，就一直僅維持在28億美元上下的水準(zhǔn)。

　　ICInsights進(jìn)一步分析，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前兩大IDM巨擘─英特爾與三星，近年來雖持續(xù)擴(kuò)充于先進(jìn)制程的產(chǎn)能，不過在研發(fā)支出的投入上卻不同調(diào)。三星之所以能夠壓低研發(fā)支出，主要是得力于參與IBM的通用平臺聯(lián)盟(CommonPlatformjointdevelopmentalliance)所致。而格羅方德(GlobalFoundries)則同樣是該聯(lián)盟的一員。

　　根據(jù)ICInsights，2013年半導(dǎo)體研發(fā)支出的4~10名則分別是博通(Broadcom)的24.86億美元(年增7%)、意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)的18.16億美元(年減25%)、臺積電的16.23億美元(年增18%)、東芝(Toshiba)的15.6億美元(年減9%)、德儀(TI)的15.22億美元(年減19%)、美光(Micron)的14.87億美元(年增64%)、瑞薩(Renesas)的13.43億美元(年減29%)。

　　ICInsights指出，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)往Fabless(無晶圓廠)以及Fab-lite(輕晶圓廠)規(guī)則挪移，IDM廠商持續(xù)擴(kuò)大委外釋單，臺積電也將在此趨勢中受惠。ICInsights表示，臺積于2010年研發(fā)支出大幅年增44%，當(dāng)年度也是首度有純晶圓代工廠躋身半導(dǎo)體研發(fā)支出的前10名。