半導體廠商資本支出戰(zhàn)爭愈演愈烈
2014年半導體產(chǎn)業(yè)好年冬,各廠紛紛調(diào)升資本支出,半導體三巨頭臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、英特爾(Intel)資本支出維持高檔,GlobalFoundries、SK海力士(SKHynix)、中芯國際、東芝(Toshiba)、華亞科、華邦等也都調(diào)升資本支出,晶圓代工廠產(chǎn)能滿載,DRAM和NANDFlash產(chǎn)業(yè)未來一年內(nèi)也是供需健康,芯片價格走揚。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/256699.htm晶圓代工廠2013年資本支出即明顯攀升,2014年眼見先進制程的戰(zhàn)局越來越激烈,28納米產(chǎn)能吃緊,20納米制程加入戰(zhàn)場,16/14納米制程卡位戰(zhàn)開打,各大半導體廠資本支出戰(zhàn)爭更是不手軟。
臺積電2014年資本支出接近百億元,2015年也接近此水準,將是連續(xù)3年資本支出大手筆,日前在28納米世代不論是ploySiON或是HKMG制程都大獲全勝,大客戶搶下單使得產(chǎn)能極度吃緊,南科Fab14廠第六、七期將開始加入營運,20納米制程也開始為蘋果生產(chǎn)A8處理器芯片,業(yè)界預計臺積電年底20納米制程將擴產(chǎn)至6萬片上下。
韓系半導體大廠三星、海力士日前都傳出將擴產(chǎn)DRAM芯片,三星被臺積電搶去蘋果的處理器芯片訂單后,空出來的邏輯產(chǎn)能填不滿,也考慮要轉去生產(chǎn)DRAM芯片,日前已決定原本要生產(chǎn)移動處理器芯片的華城Line17產(chǎn)線S3,第一階段將轉去生產(chǎn)DRAM芯片,預計2015年開始生產(chǎn),勢必會再擴大資本支出。
GlobalFoundries陸續(xù)投資紐約州廠房,以及新加坡廠升級為12吋晶圓廠,2014年資本支出較前一年45億美元提升至55億美元。GlobalFoundries和三星電子針對14納米FinFET制程合作,2015年會有更近一步的效益。
存儲器大廠美光(Micron)2014年資本支出約30.5億美元,較前一年19億美元成長,近3年來投資超過70億美元。
美光旗下華亞科2014年準備轉進下世代的20納米先進制程技術,預計資本支出為新臺幣220億美元水準,業(yè)界預期2015年資本支出也維持高檔。
華亞科2014年上半獲利高達新臺幣218億元,毛利率56%,2014年第3季將再攀升,預計沒有新臺幣升值造成匯損影響,第3季獲利將再攀高峰,營運越走越穩(wěn)也使得公司持續(xù)大膽擴大資本支出,轉進20納米制程搶進DDR4芯片世代商機。
華邦轉型有成,2014年第2季毛利率和獲利攀上近年來新高點,利基型存儲器(SDRAM)、NORFlash芯片市占率均提升,2014年也將擴大旗下12吋晶圓廠產(chǎn)能,從單月4萬片拉升至4.4萬片,因此資本支出二度調(diào)升至新臺幣138億元,預計2015年第1季產(chǎn)出可達4.4萬片水準。
華邦日前也成功搶進車用市場,根據(jù)2014年第2季各產(chǎn)品線營收比重,車用市場已攀升至7%,其他為電腦31%、通訊產(chǎn)品34%、消費性電子產(chǎn)品28%,在產(chǎn)能有限下極力調(diào)升產(chǎn)品組合,帶動毛利率攀升,旗下三大產(chǎn)品線營收貢獻分別為SDRAM占營收51%、快閃存儲器Flash占36%,移動式存儲器MobileDRAM占營收13%,預計移動式存儲器本季比重攀至20%。
另外,中芯國際2014年也擴大資本支出,從2013年6.51億美元,提升至8.8億美元。根據(jù)市調(diào)機構ICInsights統(tǒng)計,全球前十大半導體廠2014年資本支出超過500億美元,較前一年成長10%,累計2012年到2014年資本支出為1,411億美元。
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