干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍
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編者按： MRAM以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場。MRAM是以取代Flash為使命的。目前TDK已經(jīng)推出這種存儲技術(shù)的原型。
近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機(jī)訪問內(nèi)存，已經(jīng)存在一段時間了，但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/263809.htm
MRAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當(dāng)同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點。
TDK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片和一個NOR Flash閃存進(jìn)行了肩并肩對比，讀寫數(shù)據(jù)的速度是后者的7倍多——342MB/s VS. 48MB/s。
不過目前測試芯片的容量才8Mb(1MB)，實在微不足道。
TDK已經(jīng)讓手下的Headway Technologies(位于美國加州)試產(chǎn)了一塊8英寸(200毫米)的MRAM晶圓，但它沒有量產(chǎn)能力，商用的時候必須另外尋找代工伙伴。
至于MRAM何時能夠投入實用，目前還沒有確切時間表，但是TDK估計說可能需要長達(dá)10年。
Intel、IBM、三星、海力士、東芝也都在不同程度地研發(fā)STT-MRAM，而美國亞利桑那州的Everspin Technologies甚至已經(jīng)小批量出貨，Buffalo固態(tài)硬盤的緩存就用到了它。
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