微電子工藝專有名詞（3）
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102 LAYOUT 布局 此名詞用在IC設計時，是指將設計者根據(jù)客戶需求所設計之線路，經(jīng)由CAD（計算機輔助設計），轉換成實際制作IC時，所需要之光罩布局，以便去制作光罩。因此此一布局工作，關系到光罩制作出后是和原設計者之要求符何，因此必須根據(jù)一定之規(guī)則，好比一場游戲一樣，必須循一定之規(guī)則，才能順利完成，而布局完成后之圖形便是IC工廠制作時所看到的光罩圖形。
103 LOAD LOCK 傳送室 用來隔絕反應室與外界大器直接接觸，以確保反應室內之潔凈，降低反應是受污染之程度。一般用于電漿蝕刻及金屬濺度等具有真空反應室之設備。
104 LOT NUMBER 批號 批號乃是為線上所有材料之身份證，KEY IN批號如同申報流動戶口，經(jīng)由COMAX系統(tǒng)藉以管制追蹤每批材料之所在站別，并得以查出每批材料之詳細相關資料，固為生產過程中之重要步驟。批號為7，其編排方法如下： X X X X X 年碼 流水序號92 0000193 0000294 00003以下類推※批號之產生乃于最投片時由SMS系統(tǒng)自動產生。
105 LPCVD（LOW PRESSURE） 低壓化學氣相沉積 LPCVD的全名是Low Pressure Chemical Vapor Deposition，即低壓化學氣相沉積。這是一種沉積方法。在IC制程中，主要在生成氮化硅、復晶硅、二氧化硅及非晶硅等不同材料。
106 LP SINTER 低壓燒結 低壓燒結（Low Pressure Sinter, LP Sinter），指在低于大氣壓力下（一般為50 Pa或更地），加熱組件。目地在使金屬膜內之原子，籍由熱運動重新排列，以減少原有之晶格缺陷，形成較佳之金屬結晶顆粒以增加膜之品質。由于在低壓下熱傳導之途徑主要為輻射（Radiation）而非對流（Convection）或傳導（Conduction），因此控溫之方式須選以加熱線圈為監(jiān)控溫度（Spike Control）而非實際芯片或管內之溫度（Profile Control），以避免過熱（Over-Shooting）之現(xiàn)象。
107 LPY（LASER PROBE YIELD） 雷射修補前測試良率 針測出能夠被雷射修補后，產生出全功能的芯片，比便送入雷射修補機，完成雷射修補的動作。此測試時由全功能芯片一開始就是全功能芯片，須要經(jīng)過雷射修補前測試，計算出缺陷多寡及位置，以便進行雷射修補，將缺陷較少的芯片修補成全功能芯片。（缺陷超過一定限度時無法修補成全功能芯片）
108 MASK 光罩 MASK原意為面具，而事實上光罩在整個IC制作流程上，所扮演之角色藝有幾分神似。光ˋ照主要之用途在于利用光阻制程，將我們所需要之圖形一直復印在芯片上，制作很多之IC晶方。而光罩所用只對準機臺，也分為1X，5X，10X,MASK（即1:1,5:1,10:1）等，而根據(jù)其制作之材質又可分為石英光罩（QUARTY），綠玻璃光罩等。
109 MICRO,MICROMETER,MICRON 微，微米 1.定義：Micro為10-6 1 Micro=10-61 Micrometer =10-6 m=1 Micro=1μm通常我們說1μ即為10-6 m又因為1?=10-8㎝=10-10m（原子大小）故1μ=10，000?約唯一萬個原子堆積而成的厚度或長度。
110 MISALIGN 對準不良 1.定義：這層光阻圖案和上層【即留在芯片上者】圖案疊對不好，超出規(guī)格?？梢勒詹煌瑢哟蔚囊?guī)格決定要不要修改。原因：人為、機臺、芯片彎曲、光罩
111 MOS 金氧半導體 1.定義：構成IC的晶體管結構可分為兩型－雙載子型（bipolar）和MOS型（Metal-Oxide-Semiconductor）。雙載子型IC的運算速度較快但電力消耗較大，制造工程也復雜，并不是VLSI的主流，而MOS型是由電廠效應晶體管（FET）集積化而成。先在硅上形成絕緣氧化膜之后，再由它上面的外加電極（金屬或復晶硅）加入電場來控制其動作，制程上比較簡單，，。也較不耗電，最早成為實用化的是P-MOS，但其動作速度較慢，不久更高速的N-MOS也被采用。一旦進入VLSI的領域之后，NMOS的功率消耗還是太大了于是由P-MOS及 N_MOS組合而成速度更高，電力消耗更少的互補式金氧半導體（CMOS，Complementary MOS）遂成為主流。
112 MPY（MULTI PROBE YIELD） 多功能偵測良率 針測出符合電路特性要求的芯片，以便送刀封包工廠制成內存成品；此測試時得到的良品率稱之。每片晶圓上并不是每一個芯片都能符合電路特性的要求，因此須要多功能針測以找出符合要求的芯片。
113 MTBF（MEAN TIME BETWEEN FAILURE） MTBF為設備可靠度的評估標準之一，其意指設備前后發(fā)生故障的平均時間。MTBF時間愈短表示設備的可靠度愈佳，另外MTTR為Mean Time to Repair為評估設備修復的能力。
114 N2,NITROGEN 氮氣 定義：空氣中約4/5是氮氣。氮氣勢一安定之惰性氣體，由于取得不難且安定，故Fib內常用以當作Purge管路，除去臟污、保護氣氛、傳送氣體（Carrier Gas）、及稀釋（Dilute）用途。另外，氮氣在零下196℃（77F）以下即以液態(tài)存在，故常被用作真空冷卻源。現(xiàn)在Fab內Clean House用之氮氣為廠務提供99.999﹪純度者，生產線路所用之氮氣為瓶裝更高純度者。因氮氣之用量可局部反應生產成本，故應節(jié)約使用以降低成本。
115 N,P TYPE SEMICONDUCTOR N,P型半導體 1. 定義：一般金屬由于阻值相當?shù)停?0-2Ω－㎝以下），因此稱之為良導體，而氧化物阻值高至105Ω－㎝以上，稱之非導體或絕緣體。若阻值在10-2～105Ω－㎝之間，則名為半導體。IC工業(yè)使用的硅芯片，阻值就是在半導體的范圍，但由于Si（硅）是四價鍵結（共價鍵）的結構，若參雜有如砷（As）磷（P）等五價元素，且占據(jù)硅原子的地位（Substitutional Sites），則多出一個電子，可用來導電，使導電性增加，稱之為N型半導體。若參雜硼（B）等三價元素，且仍占據(jù)硅原子的地位，則鍵結少了一個電子，因此其它鍵結電子在足夠的熱激發(fā)下，可以過來填補，如此連續(xù)的電子填補，稱之為電洞傳導，亦使硅之導電性增加，稱之為P型半導體。因此N型半導體中，其主要帶電粒子為帶負電的電子，而在P型半導體中，則為帶正電的電洞。在平衡狀況下（室溫）不管N型或P型半導體，其電子均與電洞濃度的乘積值不變。故一方濃度增加，另一方即相對減少。
116 NSG（NONDOPED SILICATE GLASS） 無參入雜質硅酸鹽玻璃 NSG為半導體集成電路中之絕緣層材料，通常以化學氣相沉積的方式聲稱，具有良好的均勻覆蓋特性以及良好的絕緣性質。主要應用于閘極與金屬或金屬與金屬間高低不平的表面產生均勻的覆蓋及良好的絕緣，并且有助于后績平坦化制程薄膜的生成。
117 NUMERICAL APERTURE（N.A.） 數(shù)值孔徑 1. 定義：NA是投影式對準機，其光學系統(tǒng)之解析力（Resolution）好壞的一項指針。NA值越大，則其解析力也越佳。依照定義，數(shù)值孔徑 NA=n.sin?=n.D/2/f=n.D/2f換算成照相機光圈值f-number（f/#）可得f/#=f/d=1/2NA（D：鏡面直徑。f：鏡頭焦距。n：鏡頭折射率。f/#即我們在照相機鏡頭之光圈值上常見的f/16,8,5.6,4,5.3,2.8等即是）亦即，鏡片越大，焦距越短者，解析力就越佳，但鏡片的制作也就越困難，因為易產生色差（Chromatic Aberration）及像畸變（Distorsion），以CANON Stepper為例，其NA=0.42，換算成照相機光圈,Stepper鏡片之昂貴也就不足為奇了。
118 OEB（OXIDE ETCH BACK ） 氧化層平坦化蝕刻 將Poly-1上之多余氧化層（Filling OX）除去，以達到平坦化之目的。
119 OHMIC CONTACT 歐姆接觸 1. 定義：歐姆接觸試紙金屬與半導體之接觸，而其接觸面之電阻值遠小于半導體本身之電阻，使得組件操作時，大部分的電壓降在于活動區(qū)（Active region）而不在接觸面。欲形成好的歐姆接觸，有兩個先決條件：A.金屬與半導體間有低的接口能障（Barrier Height）B.半導體有高濃度的雜質滲入（ND>=1018 ㎝-3）前者可使接口電流中熱激發(fā)部分（Thermionic Emission）增加；后者則使接口空乏區(qū)變窄，電子有更多的機會直接穿透（Tunneling），而同時Rc阻值降低。若半導體不是硅晶，而是其它能量間隙（Energy Gap）較大的半導體（如GaAs），則較難形成歐姆接觸（無適當?shù)慕饘倏捎茫仨氂诎雽w表面參雜高濃度雜質，形成Metal-n+ -n or Metal-P+ -P等結構。
120 ONO（OXIDE NITRIDE OXIDE） 氧化層-氮化層-氧化層 半導體組件，常以ONO三層結構做為介電質（類似電容器），以儲存電荷，使得資料得以在此存取。在此氧化層 - 氮化層 – 氧化層三層結構，其中氧化層與基晶的結合較氮化層好，而氮化層居中，則可阻擋缺陷（如pinhole）的延展，故此三層結構可互補所缺。
121 OPL （OP LIFE）（OPERATION LIFE TEST） 使用期限（壽命） 任何對象從開始使用到失效所花時間為失敗時間（Time of Failure: TF），對產品而言，針對其工作使用環(huán)境（Operation），所找出的TF，即為其使用期限（Operation Life Time）。其方法為：AF = exp [? (Estress-Eop)] *exp [ Ea / k (1 / Top – / Tstress)]..(1)K = 8.63 * 10-5Failure Rate λ (t) = No. of Failure * 109 / Tatal Test Time * AF * Device, in FITTotal Test Time * AF = Operation Hours
122 OXYGEN 氧氣 OXYGEN氧氣無色,無氣味,無味道雙原子氣體。在－183℃液化成淺藍色的液體，在218℃固化。在海平面上，空氣中約占20﹪體積的氧，溶于水和乙醚，不可燃，可以助燃。在電漿光阻去除中，氧氣主要用來去除光阻用。在電漿干蝕刻中，氧混入CF4氣體中，可增加CF4氣體的蝕刻速度。目前氧氣主要用途在于電漿光阻去除；利用氧氣在電漿中產生氧的自由基（RADICAL）與光阻中的有機物反應，產生二氧化碳和水氣體蒸發(fā)，達到去除光阻的效果。
123 P31 磷
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