07年第三季NAND Flash廠營(yíng)收逼近39億美元

　　根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營(yíng)收市占率報(bào)告指出，NANDFlash品牌廠商在2007年第三季整體營(yíng)收表現(xiàn)亮麗，逼近三十九億美元，比第二季增長(zhǎng)了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長(zhǎng)約30%;而就營(yíng)收排行而言，三星(Samsung)如預(yù)期再度蟬連冠軍，東芝(Toshiba)居次，而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營(yíng)收均有顯著的增長(zhǎng)。

　　由于第三季為傳統(tǒng)NANDFlash下游客戶的備貨旺季，加上三星八月初突發(fā)的停電事件影響，造成NANDFlash市場(chǎng)供應(yīng)吃緊，使得第三季NANDFlash均價(jià)上漲約5%以上。雖然廠商在第三季有提高NANDFlash的投片量及MLC的生產(chǎn)比重，但由于部份NANDFlash廠商5Xnm新制程仍處在調(diào)整期階段，因此整體的位出貨量，比第二季增長(zhǎng)約30%。

　　前三名NANDFlash廠商整體營(yíng)收市占率為87.1%，市場(chǎng)集中度仍然很高

　　三星NANDFlash在第三季的營(yíng)收市占率為39.8%，雖比第二季的44.3%稍微下滑，但仍然穩(wěn)坐NANDFlash廠的營(yíng)收龍頭。由于三星的器興(Giheung)廠區(qū)在八月初發(fā)生停電的突發(fā)事件，使產(chǎn)出量稍微受到影響，加上50nm新制程技術(shù)在第三季仍處于調(diào)整期，因此NANDFlash位出貨量?jī)H較第二季增長(zhǎng)約3%，但因?yàn)镾LC與MLC的價(jià)格都有明顯的上漲，因此營(yíng)收仍比第二季增長(zhǎng)了22.9%，約十五億五千萬(wàn)美元。

　　位居亞軍的東芝，在第三季NANDFlash營(yíng)收市占率為24.9%，與第二季相近，主因是東芝持續(xù)增加了12"Fab3NANDFlash的投片量及制程技術(shù)的提升，使得出貨量仍然持續(xù)增加，因此營(yíng)收仍比第二季增長(zhǎng)了36.1%，約九億七千萬(wàn)美元。

　　第三名的海力士在第三季的營(yíng)收市占率為22.4%，比第二季的16.9%明顯提高，主要是因?yàn)楹Ａκ吭诘谌緦?2"FabM10也投入NANDFlash的生產(chǎn)，使得第三季的位出貨量大幅增長(zhǎng)92%。雖因促銷策略使第三季NANDFlash均價(jià)小跌約6%，但NANDFlash整體營(yíng)收仍比第二季增加81.1%，達(dá)到八億七千萬(wàn)美元。

　　IMFlash成績(jī)亮眼，營(yíng)收QoQ大幅增長(zhǎng)

　　英特爾與美光合資的IMFlash在第三季受惠于NANDFlash價(jià)格持續(xù)上漲，NANDFlash投片量及制程技術(shù)的持續(xù)提升，帶動(dòng)美光與英特爾的NANDFlash營(yíng)收分別都比第二季大幅增長(zhǎng)達(dá)73.7%及77.8%，所以第三季的營(yíng)收市占率也分別上升到6.1%及2.5%。

　　意法半導(dǎo)體(STMicro)在第三季因來(lái)自MCP(多芯片封裝技術(shù))的相關(guān)應(yīng)用業(yè)務(wù)仍持續(xù)增加，使得NANDFlash營(yíng)收增長(zhǎng)約12.2%，意法半導(dǎo)體的營(yíng)收市占率則為2.4%。同時(shí)2007年底前，意法半導(dǎo)體也計(jì)劃與英特爾合資成立Numonyx來(lái)生產(chǎn)Flashmemory的產(chǎn)品。

　　瑞薩(Renesas)因策略上自2007年起將會(huì)持續(xù)降低自有AG-ANDFlash的生產(chǎn)比重，并轉(zhuǎn)由合作伙伴力晶為其代工，所以瑞薩/力晶陣營(yíng)營(yíng)收比第二季下滑約33.9%，而瑞薩/力晶第三季的營(yíng)收市占率則為2.1%，同時(shí)力晶在今年第四季將會(huì)開始生產(chǎn)NANDFlash新產(chǎn)品。