英飛凌全新MOSFET系列為工業(yè)、消費和電信應用降低30%功耗

　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出三個全新的功率半導體系列，進一步豐富廣博的OptiMOSTM 3 N溝道MOSFET產(chǎn)品組合。OptiMOS3 40V、60V 和 80V系列可在導通電阻等重要功率轉換指標方面提供業(yè)內(nèi)領先的性能， 使其能夠在采用標準TO(晶體管外形)封裝的條件下，降低30%的功耗。OptiMOS3 40V、60V 和80V系列具備較低的開關損耗和導通電阻，與其他競爭性解決方案相比，可增加高達30%的功率密度，使相關應用的組件數(shù)降低25%以上。

　　這些全新的MOSFET適用于多種功率轉換和管理應用，包括計算機、家用電器、小型電動車、工業(yè)自動化系統(tǒng)、電信設備以及電動工具、電動剪草機和風扇等消費類設備采用的SMPS(開關模式電源)、DC/DC轉換器和直流電機驅動器。

　　全新OptiMOS 3系列可提供出類拔萃的RDS(on)(導通電阻)，OptiMOS 3 40V系列采用SuperSO8TM 封裝具備最低1.6 mΩ的導通電阻，OptiMOS 3 60V采用D-PAK封裝具備最低3.5 mΩ的導通電阻，OptiMOS 3 80V采用D2 –PAK封裝具備最低2.5 mΩ的導通電阻。這些器件的FOM(優(yōu)值，通過導通電阻乘以柵極電荷得出) 與同類競爭產(chǎn)品相比高出25%，能夠快速實現(xiàn)開關，同時最大程度降低傳導損耗和導通功耗，提高功率密度。此外，它還能降低驅動器產(chǎn)生的熱量，因此可提高系統(tǒng)的可靠性。另外，較低的導通電阻允許采用3 mm x 3 mm S3O8(Shrink SuperSO8)等小型封裝，因此在設計產(chǎn)品時只需較小的空間，提高了功率密度。

　　英飛凌電源管理與驅動產(chǎn)品業(yè)務部負責人Gerhard Wolf表示：“作為全球功率半導體市場領袖，英飛凌憑借豐富的OptiMOS MOSFET系列產(chǎn)品，使低壓功率轉換與管理應用實現(xiàn)了最佳的性能和效率。我們利用在功率半導體制造和封裝方面的領先技術，不斷改進器件性能，同時逐步降低外形尺寸，增大功率密度，提供出色的性價比。全新的OptiMOS3系列具有一流的效率和開關特性，有助于電源和電機設計者滿足日益嚴格的節(jié)能要求，同時保證提供用戶所需的卓越性能。”

　　OptiMOS3 40V、60V 和 80V產(chǎn)品詳情

　　OptiMOS 3 40V系列可滿足多種應用中的快速開關SMPS和DC/DC轉換器的需求，比如打印機、非絕緣工業(yè)轉換器和絕緣DC/DC轉換器，在這些應用中30V MOSFET不能提供足夠的擊穿電壓。在SuperSO8封裝下，OptiMOS 3 40V系列的導通電阻低至1.6mΩ，比最接近的競爭對手要低50%以上。該特性以及1°K/W的熱阻和100A的持續(xù)電流額定值為40V系列的低阻抗MOSFET設立了新基準。該系列還包括業(yè)界首款采用S3O8封裝的40V擊穿電壓MOSFET，其占位空間與標準SO8或SuperSO8器件相比減少了60%。

　　OptiMOS3 60V 和 80V系列主要用于SMPS和電機控制裝置及直流/直流無刷電機和有刷電機驅動器的二次側整流。OptiMOS3 80V系列也是適用于電信應用產(chǎn)品的理想器件。這種全新的MOSFET可提供一流的導通電阻;例如OptiMOS3 80V采用TO-220封裝可提供2.8 mΩ導通電阻，而其他同類競爭產(chǎn)品提供的導通電阻不低于3.3 mΩ。較低的導通電阻結合0.5° K/W的熱阻和100A的持續(xù)電流額定值，使英飛凌全新MOSFET成為60V與80 V系列功率半導體中首屈一指的產(chǎn)品。它們還采用了D-PAK封裝，與傳統(tǒng)的D2-PAK封裝相比，可使所需的板卡空間降低50%以上，同時使SMPS產(chǎn)品設計的封裝高度降低40%。

　　供貨與定價

　　全新OptiMOS 3 40V、60V與80V功率MOSFET系列采用標準TO封裝以及SuperSO8和S3O8封裝，具有不同的導通電阻額定值。OptiMOS 3 60V系列現(xiàn)已開始批量生產(chǎn)，40V 和 80V器件目前只提供樣品。采用SSO8封裝且導通電阻為1.6 mΩ的OptiMOS 3 40V，在訂購量達到萬件時其單價不超過0.99美元(0.68歐元)。在同樣訂購量下，采用D-PAK封裝的3.5 mΩ OptiMOS 3 60V的單價為0.99美元(0.68歐元)，而采用TO-220封裝的2.8 mΩ OptiMOS 3 80V的單價為1.99美元(1.37歐元)。