一種用于白光LED驅(qū)動的電荷泵電路設(shè)計

　　目前用于白光驅(qū)動的升壓型電路主要有電感型DC-DC電路和電荷泵電路。電感型DC-DC電路存在EMI等問題，而電荷泵電路結(jié)構(gòu)簡單，EMI較小，得到了廣泛的應(yīng)用。

　　白光LED驅(qū)動的電荷泵主要有兩種類型：電壓模式和電流模式。相對于電壓模式可能造成每個LED亮度不匹配的缺點，電流模式每路單獨輸出恒定電流，使亮度可以較好地匹配，而且不需要外圍平衡電阻，大大節(jié)省了空間。

　　本文設(shè)計了一種用于白光LED驅(qū)動的電流型電荷泵電路。采用1.5倍壓升壓，比傳統(tǒng)的2倍壓升壓模式提高了效率，并采用數(shù)字調(diào)光方式，可提供32級灰度輸出，滿足不同場合的要求。系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如圖1所示。主要可分為以下部分：帶隙基準電路，軟啟動電路，振蕩器，1.5倍壓電荷泵，數(shù)字調(diào)光模塊。當EN／SET端輸入高電平時，芯片啟動，Vin經(jīng)過1.5倍壓電荷泵升壓，使輸出電壓穩(wěn)定在5 V，如果EN／SET端輸入一串脈沖后置高電平，則數(shù)字調(diào)光模塊可記錄下脈沖個數(shù)，然后轉(zhuǎn)換成不同的輸出電流，實現(xiàn)調(diào)光功能。

　　1 1.5 倍壓電荷泵原理

　　1.1 基本原理

　　1.5倍壓電荷泵 原理如圖2所示，其基本控制思想如下：OSC通過驅(qū)動電路，控制S1～S7的導(dǎo)通與關(guān)斷。時序如下：第一時刻，開通S1、S4、S6，Vin對電容C1充電，C2短接，使VC1=V1，VC2=0；第二時刻，關(guān)閉S1、S4、S6，開通S2、S3、S5、S7，C1對C2充電，使VC1=VC2=1／2 V1，最后加上V1對C3充電，周而復(fù)始，VCUT經(jīng)過電阻分壓，與基準電壓做比較，控制上端MOS管的導(dǎo)通電阻，改變充電回路的RC充電常數(shù)，最終使輸出穩(wěn)定在5 V。圖3為控制脈沖時序圖，其中D1為S1的驅(qū)動信號，低有效；D2為S4、S6的驅(qū)動信號，高有效；D3為S2、S3、S5、S7的驅(qū)動信號，低有效。為了防止時鐘饋通，驅(qū)動電路中包含了非交疊時鐘電路。

　　1.2 實際電路設(shè)計

　　整個開關(guān)管網(wǎng)絡(luò)由5個PMOS管S1、S2、S3、S5、S7及2個NMOS管S4、S6組成，如圖4所示。以P管S1和N管S4為例，計算開關(guān)管的寬長比。根據(jù)版圖設(shè)計規(guī)則的要求，單個管子的寬長比W／L可以設(shè)定為2.8μm／0.6μm。假設(shè)S1的寬長比為x(W／L)，S4的寬長比為y(W／L)。本設(shè)計采用CSMC0.6 μm工藝，根據(jù)工藝及設(shè)計要求，V1=3.3 V，unCOX=50μA／V2 VTHN=0.7 V，|VTHP|=1 V，2up=un，因為

　　其它管子的寬長比也可以同理求得。由于流過開關(guān)管的電流比較大，開關(guān)管的寬長比很大，一般采用晶體管并聯(lián)的形式，在版圖上通常以waffle的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)。

　　如果開關(guān)管的襯底未與源端相接，則會產(chǎn)生襯底偏置效應(yīng)，使開關(guān)管產(chǎn)生閾值損失，導(dǎo)致電荷泵電壓無法升至設(shè)定值。如圖4所示，開關(guān)管S1、S3、S4、S5、S6的源漏端能比較容易的判斷出來，S2、S7的兩端電壓高低未定，因此如果處理不妥當，會引起襯底偏置效應(yīng)，本設(shè)計采用了一種方式，比較好地解決了這個問題。通過一個比較器對V1和Vout進行比較，如果Vout>V1，則讓S2、S7的襯底端接Vout端，如果Vout

　　2 調(diào)光功能實現(xiàn)

　　越來越多應(yīng)用場合希望白光LED驅(qū)動器能夠支持LED光亮度的調(diào)節(jié)。目前調(diào)光技術(shù)主要有兩種：PWM調(diào)光、數(shù)字調(diào)光。PWM(脈寬調(diào)制)調(diào)光方式是一種利用寬、窄不同的數(shù)字式脈沖，反復(fù)開關(guān)白光LED驅(qū)動器來改變輸出電流，從而調(diào)節(jié)白光LED的亮度。但需要一個專用PWM口，同時會產(chǎn)生人耳聽得見的噪聲。本設(shè)計采用一種新型的數(shù)字調(diào)光技術(shù)。相比PWM控制有明顯的優(yōu)點：將時序信號存儲在內(nèi)部的寄存器中，使數(shù)據(jù)寄存器輸出一連串的控制信號，如果需要改變白光LED的亮度，則重新通過EN／SET對ROM進行修改即可，不需要一直給EN／SET連續(xù)的PWM信號來控制白光LED的亮度，這個特性大大減輕了微處理器的負擔，也減少了噪聲。

　　其工作原理如下，EN／SET的第一個上升沿脈沖開啟IC并且初始化設(shè)置LED電流到最低的549 μA。當最終的時鐘序列輸入為想得到的亮度級別時，EN／SET引腳維持高電平來維持裝置輸出電流在程序設(shè)置的級別。當EN／SET引腳置低TOFF=480μs以后，裝置關(guān)閉。整個調(diào)光模塊可分為四大部分：延時控制，計數(shù)器，ROM，恒流源。

　　(1) ROM與恒流源

　　白光LED的亮度和通過它的電流成正比。本設(shè)計采用并聯(lián)恒流源的方式，最大輸出為20 mA，亮度分為32個等級。如圖7所示。ROM總共為8塊，組成32×8 bit容量。恒流源由PMOS管組成，由電荷泵輸出的5 V電源供電，每個恒流源icell電流為19.6μA。恒流源具有使能端，根據(jù)ROM中的數(shù)據(jù)決定該恒流源是否有效，其中ROM輸出“0”為該恒流源有效，“1”為該恒流源無效。

　　以第5級亮度為例，如圖8所示，EN／SET端輸入5個脈沖后保持高電平，經(jīng)過減數(shù)計數(shù)器計數(shù)輸出Q4～Q0數(shù)據(jù)為“11011”，ROM輸出×7～×0數(shù)據(jù)為“11110100”，即×3，×1，×0所接恒流源有效。輸出電流為：

　　icell×32+icell×8+icell×4=0.863 mA

　　表1列出了32級調(diào)光×7～×0的數(shù)據(jù)及對應(yīng)輸出電流。

　　數(shù)字調(diào)光部分的仿真波形如圖9所示，32個脈沖為一個循環(huán)。

　　(2) 數(shù)字延時

　　本設(shè)計設(shè)置了如下功能，如果EN端輸入低電平時間超過480 us，則裝置關(guān)閉。其原理如圖10所示，其中IN為EN進行脈沖整形后得到的波形，時序與EN相同。IN端輸入高電平時，PMOS管M3導(dǎo)通，VDD對C1進行充電，使NMOS管M5導(dǎo)通，施密特觸發(fā)器輸入被拉低，OUT端輸出低電平，芯片正常工作。當IN端輸入低電平時，M3截止，C1通過電流源M2進行放電，使M5截止，施密特觸發(fā)器輸入被拉高，OUT端輸出高電平。放電時問由C1的電容值和放電電流決定。仿真波形如圖11所示。在IN端輸入低電平超過478 μs后，OUT端輸處高電平，使芯片關(guān)閉。

　　3 振蕩器

　　本文設(shè)計一個600 kHz定頻率電流控制振蕩器，原理如圖12，首先假設(shè)Q端為“0”，則PMOS管M1導(dǎo)通，電流源通過M1向C1充電，同時PMOS管M3導(dǎo)通，R1無效，此時比較器反相端電壓VTH=VDD-R2I3，等C1兩端電壓略大于VTH時，比較器輸出高電平，使Q端變?yōu)?ldquo;1”，C1通過NMOS管M2進行放電，同時M3截止，R1與R2串聯(lián)，此時比較器反相端電壓VTL=VDD-(R1+R2)I3，等到C1兩端電壓略小于VTL時，比較器輸出又發(fā)生翻轉(zhuǎn)，周而復(fù)始。波形通過4個反相器的整形，輸出600 kHz的方波。設(shè)I1為充電電流，I2為放電電流，T1為充電周期，T2為放電周期，則振蕩器的頻率為：

　　調(diào)節(jié)充放電電流，使I1=I2=IC，則振蕩頻率可表示為：

　　式中：IC為充放電電流。圖13為振蕩器輸出及C1電容上的電壓仿真波形。

　　該電荷泵還包括帶隙基準電路，溫度保護電路，軟啟動電路等等，限于篇幅，在此不作累述。

　　4 結(jié) 論

　　本文設(shè)計了一個用于白光LED驅(qū)動的電流型電荷泵，周邊只使用3個小的陶瓷電容器，可驅(qū)動4個白光LED，單路最大輸出電流20 mA。與電壓型電荷泵相比，不同LED之間亮度匹配較好，由于不需要鎮(zhèn)流電阻，因此節(jié)省了面積。電路采用1.5×分數(shù)倍頻模式，效率可達93％。具有32級數(shù)字調(diào)光功能，可以滿足不同需要。根據(jù)CSMC 0.6 μm工藝，通過Cadence Spectre軟件進行了仿真，仿真結(jié)果表明，該電路滿足設(shè)計要求，具有較廣闊的應(yīng)用前景