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五大領(lǐng)域齊發(fā)力 三菱電機創(chuàng)新產(chǎn)品持續(xù)搶占市場新高地

  •   隨著功率半導(dǎo)體的不斷發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步,功率器件下游產(chǎn)業(yè)的穩(wěn)步擴張,未來在政策資金支持以及國內(nèi)新能源汽車的蓬勃發(fā)展下,國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來黃金發(fā)展期?! ?月26日,PCIM 亞洲 2018展會在上海世博展覽館隆重舉行。作為全球500強企業(yè),同時也是現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件的開拓者,大中國區(qū)三菱電機半導(dǎo)體攜多款功率器件產(chǎn)品及相關(guān)解決方案亮相,同時發(fā)布了更高集成度、更小體積、更能降低生產(chǎn)成本,并擁有全面保護(hù)功能的表面貼裝型IPM,以及助力新能源發(fā)電應(yīng)用新封裝大功率IGBT模塊兩款最新產(chǎn)品?! ?圖一:2018
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發(fā)力新能源汽車市場 華虹宏力榮膺功率半導(dǎo)體十佳企業(yè)

  •   《“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》明確表示國家將大力發(fā)展新能源汽車,而IGBT、碳化硅器件等作為新能源汽車的核心器件,國產(chǎn)化替代需求巨大。6月22日,“2018國際新能源汽車功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)論壇”在北京舉行,旨在把行業(yè)最優(yōu)的核心器件推廣至新能源汽車應(yīng)用。作為全球第一家提供溝槽型場截止型(Trench FS, Field Stop)IGBT量產(chǎn)技術(shù)的8英寸代工廠,華虹宏力在IGBT代工領(lǐng)域有口皆碑,始終以深厚的技術(shù)底蘊和卓越的性能品質(zhì)深受客戶認(rèn)可,會上被授予“新能源汽車功率半導(dǎo)體十佳企業(yè)”。  
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英飛凌將在 PCIM Asia 2018 展示面向整個電能供應(yīng)鏈的前沿技術(shù)和解決方案

  •   英飛凌科技(中國)有限公司(以下簡稱英飛凌)將于6月26 - 28日參加在上海世博展覽館舉辦的 PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。英飛凌將在2號館的F 01展臺,展示涵蓋整個電能供應(yīng)鏈的領(lǐng)先產(chǎn)品和全套系統(tǒng)及應(yīng)用解決方案。此外,英飛凌的技術(shù)專家還將就產(chǎn)品和應(yīng)用發(fā)表多篇論文,并在同期的國際研討會上進(jìn)行交流?! 那把氐墓杌?MOSFET 和 IGBT 到數(shù)字化功率創(chuàng)新,以及最新的碳化硅和氮化鎵技術(shù),英飛凌芯片對于提高發(fā)電、輸電和用電效率起著至關(guān)重要的作用。此次,英飛凌將圍繞“賦能世
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超軟IGBT續(xù)流二極管具備行業(yè)領(lǐng)先的低損耗特性

  •   英飛凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出專為現(xiàn)代IGBT應(yīng)用而設(shè)計的新型二極管系列:英飛凌Prime Soft。該二極管具備改進(jìn)的關(guān)斷能力,關(guān)斷速度可達(dá)5 kA/μs。Prime Soft以廣受好評的基于單硅芯片設(shè)計的IGCT續(xù)流二極管系列為基礎(chǔ)。該二極管的典型應(yīng)用為使用電壓源變換器的HVDC/FACT和中壓驅(qū)動設(shè)備,這些應(yīng)用的特點是對功率損耗的要求很高?! 〔捎眯滦蚉rime Soft二極管的客戶將受益于行業(yè)領(lǐng)先的低導(dǎo)通損耗。這是通過單硅芯片設(shè)計實現(xiàn)的,與多芯片二極管相比,其
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創(chuàng)新和更迭 揭秘三菱電機半導(dǎo)體新品

  •   自上世紀(jì)八十年代后期推出IGBT模塊后,三菱電機至今已成功將第七代IGBT模塊推向市場。在持續(xù)性和創(chuàng)造性的研發(fā)下,三菱電機在變頻家電、工業(yè)新能源、電動汽車、軌道牽引四大領(lǐng)域不斷深耕,致力于提供低損耗、高性能和高可靠性的產(chǎn)品。  一年一度的PCIM亞洲展今年將于6月26-28日在上海世博展覽館舉辦,屆時,三菱電機將攜19款功率模塊將集體亮相,而其中有7款新型功率模塊備受期待。(三菱電機展位號:D09)  在變頻家電領(lǐng)域,三菱電機成功發(fā)布面向變頻冰箱和風(fēng)機驅(qū)動的SLIMDIP-S以及面向變頻空調(diào)和洗衣機的
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在低功率壓縮機驅(qū)動電路內(nèi),意法半導(dǎo)體最新超結(jié)MOSFET與IGBT技術(shù)能效比較

  •   摘要  電機驅(qū)動市場特別是家電市場對系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來越高?! 闈M足市場需求,意法半導(dǎo)體針對不同的工況提供多種功率開關(guān)技術(shù),例如, IGBT和最新的超結(jié)功率MOSFET?! ”疚脑趯嶋H工況下的一個低功耗電機驅(qū)動電路(例如,小功率冰箱壓縮機)內(nèi)測試了基于這兩種功率技術(shù)的SLLIMM?-nano(小型低損耗智能模壓模塊),從電熱性能兩個方面對這兩項技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的分析和比較?! ?前言  家電廠商不斷地尋求更高的產(chǎn)品能效,以符合日益趨嚴(yán)的能效法規(guī),達(dá)到降低能耗和節(jié)省電費的目的。更具體地講
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汽車芯片完全自主化難實現(xiàn),從周邊蠶食是突破口

  • 目前全球三分之一的汽車在中國制造,但令人尷尬的現(xiàn)狀是,整車中幾乎所有的芯片都要依賴進(jìn)口。從自主、可控、安全角度來看,汽車主控國產(chǎn)化同樣緊迫。
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650V IGBT采用表面貼裝D2PAK封裝實現(xiàn)最大功率密度

  •   英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大其薄晶圓技術(shù)TRENCHSTOP?5 IGBT產(chǎn)品陣容。新的產(chǎn)品家族可提供最高40 A 650V IGBT,它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3(亦稱D2PAK)封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率密度日益增長的需求,適于使用自動化表面貼裝生產(chǎn)線。要求最大功率密度和能效的典型應(yīng)用包括太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、電池充電和蓄電等?! ∮w凌的超薄TRENCHSTOP 5技術(shù)可以縮小芯片尺寸、提高
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這一廣泛使用的器件中國技術(shù)不差,差距在于產(chǎn)業(yè)化

  •   特朗普政府發(fā)起的貿(mào)易戰(zhàn)雖然收場,但這幾個月,人們開始尋找中國可能被卡脖子的短板,中國大量進(jìn)口的IGBT也被挖了出來。有媒體就認(rèn)為,由于中國IGBT需要大量進(jìn)口,而這個產(chǎn)業(yè)又被西方國家把持,對于中國正在大力發(fā)展的高鐵和新能源汽車來說是一個潛在的威脅。不過,在IGBT技術(shù)上,中國其實并不差,大量依賴進(jìn)口,并非技術(shù)水平不行?! ≡斐纱罅窟M(jìn)口國外產(chǎn)品的局面,只是因為商業(yè)上和其他一些原因?! GBT市場基本被外商壟斷  IGBT英文全稱是Insulated Gate Bipolar Transistor,也就
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青銅劍科技獲得中車時代投資的戰(zhàn)略投資

  •   2018年5月17日,中國中車旗下中車時代投資與青銅劍科技在湖南株洲簽署了戰(zhàn)略投資協(xié)議?! ≈熊嚂r代投資董事長王鵬博士、副總經(jīng)理潘藝、投資管理部部長陽燦與青銅劍科技董事長汪之涵博士、研發(fā)總監(jiān)黃輝、營銷總監(jiān)陳恒星出席了簽約儀式。  弘揚中國制造,鑄就民族品牌,堅持自主創(chuàng)新是中國中車和青銅劍科技的共同話題和重要紐帶。此次戰(zhàn)略投資的達(dá)成,表明了中國中車對青銅劍科技在電力電子核心芯片與器件領(lǐng)域創(chuàng)新能力的認(rèn)可?! ≈袊熊囀侨蛞?guī)模領(lǐng)先、品種齊全、技術(shù)一流的軌道交通裝備供應(yīng)商,具有強大的技術(shù)研發(fā)能力和科技創(chuàng)新能
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高效能IGBT為高功率應(yīng)用加把勁

  •   IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是電源應(yīng)用中相當(dāng)常見的器件,可用于交流電的電機控制輸出。由安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)所推出的TO247-4L IGBT將可為相關(guān)應(yīng)用提供更高的效能與更佳的成本效益,究竟它是如何辦到的?讓我們來進(jìn)一步深入了解。  通過TO-247-4L IGBT封裝減少Eon損耗  IGBT是主要用作電子開關(guān)的三端子功率半導(dǎo)體器件,正如其開發(fā)的目的,結(jié)合了高效率和快速的開
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Power Integrations可提供已涂覆三防漆的SCALE門極驅(qū)動器

  •   中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日宣布可為其SCALE? IGBT和MOSFET驅(qū)動器出廠提供涂覆三防漆服務(wù)。三防漆可防止電子元器件遭受污染物、灰塵和冷凝液等的腐蝕,從而提高系統(tǒng)可靠性。Power Integrations的門極驅(qū)動器出廠涂覆三防漆,生產(chǎn)廠商無需將板子發(fā)送至分包商進(jìn)行清洗噴漆,可縮減庫存成本、縮短交付周期和降低總體擁有成本?! ower Integrations所使用的是高級丙烯
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ROHM開發(fā)出業(yè)界頂級高效率與軟開關(guān)兼?zhèn)涞?50V耐壓IGBT “RGTV/RGW系列”

  •   <概要>  全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM新開發(fā)出兼?zhèn)錁I(yè)界頂級低傳導(dǎo)損耗※1和高速開關(guān)特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列(短路耐受能力※3保持版)”和“RGW系列(高速開關(guān)版)”,共21種機型。這些產(chǎn)品非常適用于UPS(不間斷電源)、焊接機及功率控制板工業(yè)設(shè)備、空調(diào)、IH(感應(yīng)加熱)等消費電子產(chǎn)品的通用變頻器及轉(zhuǎn)換器的功率轉(zhuǎn)換?! ?nbsp;    此次開發(fā)的新系列產(chǎn)品采用薄晶圓技術(shù)及ROHM獨有結(jié)構(gòu),在具有權(quán)衡關(guān)系的低導(dǎo)通損耗和高速開關(guān)特性方面,獲得了業(yè)界頂級的性能
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直擊“上汽英飛凌”開幕式,面向新能源車模塊,大佬展望未來

  •   2018年3月2日,英飛凌科技股份公司與上海汽車集團股份有限公司在無錫宣布成立合資企業(yè)。電子產(chǎn)品世界的編輯也受邀參加了無錫工廠的開幕典禮,報道如下?! ?nbsp;    上汽英飛凌公司總部設(shè)在上海,工廠在無錫,主要進(jìn)行汽車級IGBT模塊HybridPACK的封測,及針對中國的應(yīng)用開發(fā)。上汽持股51%,英飛凌持股49%。       上汽英飛凌工廠規(guī)劃  主要是HybridPACK模塊的測試和封裝,該模塊主要用于新能源汽車的電驅(qū)(注:新能源車通常電力有三部分:電機、電
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集成分流器的EconoDUAL? 3 IGBT模塊有助于降低系統(tǒng)成本

  •   英飛凌科技股份公司將EconoDUAL??3模塊集成度提升到一個全新水平:通過集成分流電阻,在交流路徑上進(jìn)行電流監(jiān)測。這些器件的應(yīng)用有助于逆變器制造商降低成本、提高性能并簡化設(shè)計。集成分流器的EconoDUAL?3模塊可廣泛用于多種應(yīng)用領(lǐng)域,如通用變頻器、不間斷電源和太陽能逆變器等。另外,也非常適合用于電動農(nóng)業(yè)和商用車輛及電動客車?! ⌒乱淮孀兤髦荚诮档统杀静⒃黾庸β拭芏?,同時確保延長使用壽命。到目前為止,這方面的持續(xù)改進(jìn)仍局限于IGBT電氣性能、二極管及封裝技術(shù)。EconoDU
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