首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt

IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的檢測方法

  • IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的檢測方法-　IGBT就是一個開關(guān)，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當柵源極加+12V（大于6V，一般取12V到15V）時IGBT導通，柵源極不加電壓或者是加負壓時，IGBT關(guān)斷，加負壓就是為了可靠關(guān)斷。
  • 關(guān)鍵字： igbt  

新型功率半導體器件及應用創(chuàng)新中心成立

  • 　　“新型功率半導體器件及應用創(chuàng)新中心的成立，將推動形成‘技術(shù)創(chuàng)新—轉(zhuǎn)化—規(guī)模化應用—投資再創(chuàng)新’的閉環(huán)，推動創(chuàng)新成果在先進軌道交通、智能電網(wǎng)、消費電子、電動汽車等重要領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化應用。”日前，在湖南株洲召開的“湖南省IGBT產(chǎn)業(yè)對接會”上，中國工程院院士、中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長丁榮軍說。 　　新型功率半導體是關(guān)系國民經(jīng)濟命脈的共性關(guān)鍵技術(shù)，涉及先進軌道交通裝備、節(jié)能與新能源汽車、電
  • 關(guān)鍵字： IGBT  功率半導體  

給世界一顆“中國芯”

  • 　　一個國家老工業(yè)城市如何在新時期取得成功? 　　美國硅谷的經(jīng)驗值得我們借鑒。第三次科技革命以來，硅谷不斷創(chuàng)造和孕育出世界上最偉大的公司，并不斷匯聚世界各地的人才、技術(shù)和資本，歷經(jīng)歲月變遷而始終屹立于世界科技浪潮的前沿。硅谷的創(chuàng)新覆蓋了很多領(lǐng)域(互聯(lián)網(wǎng)、通信、生物制藥、電動汽車等)，以至于很難講它的支柱產(chǎn)業(yè)是什么。 　　硅谷的成功源于它唯一且持之以恒的核心競爭力——創(chuàng)新。 　　如今，中國內(nèi)陸的老工業(yè)基地株洲，也開始了基于創(chuàng)新的城市全方位轉(zhuǎn)型升級。這座素有“動力之都
  • 關(guān)鍵字： 中國芯  IGBT  

三菱電機應用于電動汽車驅(qū)動的IGBT模塊解決方案

  • 三菱電機起初根據(jù)客戶的要求設(shè)計定制化的汽車級模塊，并且從1997年起就將汽車級IGBT模塊成功地應用于電動汽車中。隨后推出了非定制型的J-系列汽車級功率模塊T-PM和IPM;目前針對全球推出了新一代汽車級功率模塊J1-系列EV PM。
  • 關(guān)鍵字： 三菱  電機  IGBT  

東芝推出具有2.5A峰值輸出電流、采用低高度封裝的柵極驅(qū)動光電耦合器

  • 　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出采用低高度SO8L封裝的新型柵極驅(qū)動光電耦合器“TLP5832”。該產(chǎn)品提供2.5A峰值輸出電流，可直接驅(qū)動中級IGBT。出貨即日啟動?！　⌒翴C采用SO8L封裝，封裝高度比東芝采用SDIP6和DIP8(LF1選項)封裝的現(xiàn)有產(chǎn)品降低約54%，可為封裝高度有限的電路板安裝提供支持，同時有助于實現(xiàn)芯片組小型化。盡管尺寸小，但是該IC可保證爬電距離和至少8mm的電氣間隙，使其適合需要高隔離性能的應用?！　〈送?，該新型柵極驅(qū)動光電耦合器可在–40至+110
  • 關(guān)鍵字： 東芝  IGBT  

【E問E答】如何減輕米勒電容所引起的寄生導通效應

  • 　　當IGBT在開關(guān)時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應在單電源門極驅(qū)動的應用中影響是很明顯的?；陂T極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會產(chǎn)生一個很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會引發(fā)門極VGE間電壓升高而導通，這是一個潛在的風險(如圖1)?！　?nbsp;  　　圖1：下管IGBT因為寄生米勒電容而引起導通　　寄生米勒電容引起的導通　　在半橋拓撲中，當上管IGBT(S1)正在導通， 產(chǎn)生變化的電壓dV/dt加在下管IGBT(S1)C-E間。電流流經(jīng)S
  • 關(guān)鍵字： 米勒電容  IGBT  

采用TO-247PLUS封裝的高功率密度單管IGBT

  • 　　英飛凌科技股份公司進一步壯大1200 V單管IGBT產(chǎn)品組合陣容，推出最高電流達75 A的新產(chǎn)品系列。TO-247PLUS封裝同時還集成全額定電流反并聯(lián)二極管。全新TO-247PLUS 3腳和4腳封裝可滿足對更高功率密度和更高效率不斷增長的需求。需要高功率密度1200VIGBT的典型應用包括變頻器、光伏逆變器和不間斷電源(UPS)。其他應用包括電池充電和儲能系統(tǒng)?！　∠啾瘸Ｒ?guī)TO-247-3封裝而言，全新TO-247PLUS封裝可實現(xiàn)雙倍額定電流。由于去除了標準TO-24
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  IGBT  

面向單管IGBT的TRENCHSTOP? Advanced Isolation封裝

  • 　　英飛凌科技股份公司推出全新封裝技術(shù)TRENCHSTOP??Advanced?Isolation。TRENCHSTOP??Advanced?Isolation可用于TRENCHSTOP和TRENCHSTOP?Highspeed?3?IGBT，確保一流的散熱性能并簡化制造流程。兩個版本均經(jīng)過性能優(yōu)化，可取代全塑封封裝(FullPAK)及標準和高性能絕緣箔。該新封裝適用于諸多應用，如空調(diào)功率因數(shù)校正(PFC)、不間斷電源(UPS)和變頻器
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  IGBT  

IGBT產(chǎn)業(yè)研究:中國“芯”希望

  • 　　2017年開年以來有這樣一些事件進入我們的視線:①2月,IGBT等電力電子功率器件被列入《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點產(chǎn)品和服務指導目錄》。②3月14日,捷捷微電上市,主營晶閘管等功率半導體器件的研發(fā)生產(chǎn)和銷售。③5月,國家科技重大專項(02專項)實施管理辦公室驗收中環(huán)股份“區(qū)熔硅單晶片產(chǎn)業(yè)化技術(shù)與國產(chǎn)設(shè)備研制”項目。④5月17日,國電南瑞公布非公開發(fā)行預案,募集配套中16.4億元用于IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項目。 　　一直以來,IGBT技術(shù)被國外半導體廠商壟斷,截至2015年我國IGBT市
  • 關(guān)鍵字： IGBT  新能源汽車  

基于風電系統(tǒng)單體變流器的結(jié)構(gòu)應用設(shè)計

  • 本文介紹了風電變流器核心組成部分的單體變流器在機柜結(jié)構(gòu)設(shè)計中空間狹小、工作環(huán)境惡劣等特點，本文進行了結(jié)構(gòu)設(shè)計分析。主要內(nèi)容包括：單體變流器的組成布局、功率器件維護、結(jié)構(gòu)受力，以及可維護性等。
  • 關(guān)鍵字： 風電變流器  IGBT  退火處理  

IGBT驅(qū)動電路的作用、工作特性與使用要求

  • 　　IGBT驅(qū)動電路的作用：　　IGBT驅(qū)動電路的作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大，以達到驅(qū)動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動電路起到至關(guān)重要的作用。　　IGBT的工作特性：　　IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負電壓來控制。當加上正柵極電壓時,管子導通;當加上負柵極電壓時,管子關(guān)斷。　　? ?　　IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關(guān)電源中的IGBT通過UGE電平
  • 關(guān)鍵字： IGBT  功率器件  

小小一顆IGBT如何撬動電動汽車逆變器？

  • 本文設(shè)計一種驅(qū)動供電電源，并通過實際測試證明其可用性。常見的驅(qū)動電源采用反激電路和單原邊多副邊的變壓器進行設(shè)計。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  逆變器  汽車  

基于IGBT模塊的電能質(zhì)量治理設(shè)備能耗狀況及節(jié)能分析

  • 本文重點研究了基于IGBT模塊的電能質(zhì)量類治理設(shè)備的能耗狀況及節(jié)能路徑。首先，對典型拓撲結(jié)構(gòu)的SVG、APF、MEC在額定輸出工況下的損耗特性進行了分析，確定了主要耗能部分;隨后，分析了 IGBT模塊能耗機理及降耗可行性路徑;最后，總結(jié)出現(xiàn)階段國內(nèi)基于IGBT模塊的電能質(zhì)量類治理設(shè)備降低自身工作能耗的重點改進方向。
  • 關(guān)鍵字： 電能質(zhì)量  能耗  節(jié)能  IGBT  APF  SVG  201706  

Power Integrations推出緊湊、高效的SCALE-iDriver? IC產(chǎn)品系列，可支持1700 V IGBT

  • 　　中高壓逆變器應用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導者今天推出SCALE-iDriver?系列電磁隔離的單通道門極驅(qū)動IC的擴展產(chǎn)品。新器件支持耐壓為1700 V以內(nèi)的IGBT，通常適用于400 VAC至690 VAC的應用。它們也適用于最新的三電平拓撲光伏逆變器，以及采用1500 V新直流母線標準的光伏陣列。擴展后的1700 V SCALE-iDriver產(chǎn)品系列允許OEM廠商在各類解決方案中使用相同的高度集成、安全可靠的驅(qū)動器方案。
  • 關(guān)鍵字： Power Integrations  IGBT  

【E課堂】IGBT淺析，IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理

  • 　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上
  • 關(guān)鍵字： IGBT  
共681條 16/46 |‹ « 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 » ›|

igbt介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條 igbt!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對 igbt的理解，并與今后在此搜索 igbt的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473