igbt 文章進(jìn)入 igbt技術(shù)社區(qū)

Littelfuse推出額定值高達(dá)1700V和450A的模塊，以擴(kuò)充其IGBT功率控制半導(dǎo)體系列產(chǎn)品

　　Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，已擴(kuò)充其專為電機(jī)控制和逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。 IGBT功率模塊提供廣泛的包裝設(shè)計(jì)，現(xiàn)包括半橋、六只裝以及S、D、H、W和WB封裝的PIM模塊，額定值高達(dá)1700V和450A。這些模塊依托現(xiàn)代IGBT技術(shù)能夠可靠、靈活地提供高效快速的開(kāi)關(guān)速度。除了標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)外，Littelfuse還可提供定制解決方案以滿足客戶的具體規(guī)范。這些模塊將被用于工業(yè)電子產(chǎn)品的眾多功率應(yīng)用中，包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)與運(yùn)動(dòng)控制硬件、太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源/開(kāi)關(guān)
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DC-DC電源模塊的設(shè)計(jì)及優(yōu)化方案匯總，提供完整軟硬件設(shè)計(jì)指南

　　DC-DC是一種新研制的小型化電源開(kāi)關(guān)模塊，它是采用微電子技術(shù)，把小型表面安裝集成電路與微型電子元器件組裝成一體而構(gòu)成。dc-dc電源模塊的使用有利于簡(jiǎn)化電源電路設(shè)計(jì)縮短研制周期，實(shí)現(xiàn)最佳指標(biāo)等，可廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字儀表和智能儀器中。本文為大家介紹相關(guān)DC-DC電源設(shè)計(jì)方案及優(yōu)化方案。　　隔離型全橋DC-DC電源的設(shè)計(jì)方案　　本文介紹了一種基于全橋DC-DC的隔離電源設(shè)計(jì)。文中提及的半橋IGBT板為兩組隔離的正負(fù)電壓輸出，這樣做是為了能夠成為IGBT的驅(qū)動(dòng)及保護(hù)。并且在實(shí)踐設(shè)計(jì)時(shí)，需要根據(jù)選擇
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IR為高功率工業(yè)應(yīng)用推出新IGBT模塊系列

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商，國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出完善的IGBT模塊系列，適合電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器、開(kāi)關(guān)模式電源、不間斷電源、太陽(yáng)能逆變器及焊接應(yīng)用等高功率工業(yè)應(yīng)用。　　全新模塊系列采用IR極為堅(jiān)固可靠的IGBT技術(shù)(包括非擊穿平面柵極和場(chǎng)截止溝道柵極技術(shù))及成熟的二極管技術(shù)，提供一系列穩(wěn)健的高效模塊。這些產(chǎn)品采用了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，加上寬泛的配置及電流額定值范圍，有助于設(shè)計(jì)師靈活、輕易地部署高功率系統(tǒng)。這72款模塊提供600V或1200V
關(guān)鍵字：國(guó)際整流器 IGBT

先進(jìn)攜手北車構(gòu)建中國(guó)IGBT核心競(jìng)爭(zhēng)力

　　上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份公司(ASMC)與中國(guó)北車股份有限公司(CNR)10月22日在上海就雙方“建設(shè)戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟合作協(xié)議”簽約，上海先進(jìn)總裁王慶宇、中國(guó)北車總工王勇智分別代表雙方在協(xié)議書(shū)上簽字，上海先進(jìn)董事長(zhǎng)陳建明、中國(guó)北車副總裁孫永才均表示，通過(guò)雙方戰(zhàn)略聯(lián)盟的合作，在充分利用各自競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)基礎(chǔ)上聯(lián)手打造出具有核心競(jìng)爭(zhēng)力的國(guó)產(chǎn)化IGBT大規(guī)模商用產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈。　　據(jù)悉，戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟合作主要包括4個(gè)方面：一是通過(guò)成立聯(lián)盟形成從設(shè)計(jì)、制造到封裝、測(cè)試的完整IGBT產(chǎn)業(yè)鏈;二是簽訂合
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中國(guó)變頻器工業(yè)遠(yuǎn)景光亮

　　在大規(guī)模的分布式可再生能源發(fā)電中，變頻器在電力電子技術(shù)與信息通訊技術(shù)雙方面都扮演著重要的角色。據(jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，全球再生能源用變頻器市場(chǎng)在2011年為72億美元的規(guī)模。預(yù)測(cè)今后5年該規(guī)模將會(huì)倍增，到2017年將超越190億美元。變頻器可使電機(jī)系統(tǒng)節(jié)電率達(dá)30%左右，甚至40%～60%。未來(lái)幾年中低壓變頻器需求將保持20%以上的增速，高壓變頻器行業(yè)保持40%以上的增速。絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是變頻器的核心部件，目前國(guó)內(nèi)IGBT市場(chǎng)仍主要由外資企業(yè)所把控，擁有技術(shù)優(yōu)勢(shì)的企業(yè)有望率先實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。
關(guān)鍵字：變頻器工業(yè) IGBT

IGBT等功率器件：芯片更薄，封裝散熱更好，集成度更高

　　近日，三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體制作所參加了上海2014年P(guān)CIM亞洲展，總工程師佐藤克己介紹了IGBT等功率器件的發(fā)展趨勢(shì)。　　IGBT芯片發(fā)展進(jìn)程　　IGBT芯片始于19世紀(jì)80年代中期。30年以來(lái)，就FOM(優(yōu)點(diǎn)指數(shù))來(lái)說(shuō)，今日的IGBT芯片比第一代性能提升了20倍左右，其中改良技術(shù)包括：精細(xì)化加工工藝、柵式IGBT的開(kāi)發(fā)(如三菱電機(jī)的CSTBT)，以及薄晶圓的開(kāi)發(fā)等等。如今，三菱電機(jī)的IGBT芯片已經(jīng)踏入第7代，正朝第8代邁進(jìn)。　　隨著產(chǎn)品的更新?lián)Q代，功耗越來(lái)越低，尺寸越來(lái)越小。從80
關(guān)鍵字：三菱電機(jī) IGBT 晶圓 201408

中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機(jī)遇之IGBT產(chǎn)業(yè)

IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢(shì)，是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，中國(guó)市場(chǎng)的諸多因素將推進(jìn)IGBT應(yīng)用的發(fā)展，在電力領(lǐng)域、消費(fèi)電子、汽車電子、新能源等傳統(tǒng)和新興領(lǐng)域，市場(chǎng)前景廣闊。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 IGBT

中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機(jī)遇之三：IGBT產(chǎn)業(yè)

　　IGBT 　　是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品，是未來(lái)功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復(fù)合器件。既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)。又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)?；诩夹g(shù)和功能上的優(yōu)勢(shì)，IGBT產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)對(duì)以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢(shì)。IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)能減排，具有很好的環(huán)境保護(hù)效益。IGBT被公認(rèn)為是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是未來(lái)應(yīng)
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 IGBT

IGBT崛起——國(guó)產(chǎn)功率器件的曙光

　　IGBT是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品，是未來(lái)功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復(fù)合器件。既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)。又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)?；诩夹g(shù)和功能上的優(yōu)勢(shì)，IGBT產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)對(duì)以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢(shì)。IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)能減排，具有很好的環(huán)境保護(hù)效益。IGBT被公認(rèn)為是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是未來(lái)應(yīng)用發(fā)展的必然
關(guān)鍵字：功率器件 IGBT

意法半導(dǎo)體(ST)推出先進(jìn)的1200V IGBT,可實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的使用壽命、節(jié)省更多能源

　　意法半導(dǎo)體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場(chǎng)截止型高速技術(shù)提升太陽(yáng)能逆變器、電焊機(jī)、不間斷電源和功率因數(shù)校正(PFC, Power-Factor Correction)轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的能效和耐用性。　　意法半導(dǎo)體的新H系列1200V IGBT將關(guān)斷損耗和導(dǎo)通損耗降低多達(dá)15%。飽和電壓(Vce(sat))減低至2.1V (在標(biāo)準(zhǔn)集極電流和100°C下的典型值)，這能確?？傮w損耗降至最低，在20k
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 IGBT H系列

詳解IGBT驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)方案

　　IGBT作為一種大功率的復(fù)合器件，存在著過(guò)流時(shí)可能發(fā)生鎖定現(xiàn)象而造成損壞的問(wèn)題。在過(guò)流時(shí)如采用一般的速度封鎖柵極電壓，過(guò)高的電流變化率會(huì)引起過(guò)電壓，為此需要采用軟關(guān)斷技術(shù)，因而掌握好IGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)特性是十分必要的。　　IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極-發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有μA級(jí)的漏電流流過(guò)，基本上不消耗功率。但I(xiàn)GBT的柵極-發(fā)射極間存在著較大的寄生電容(幾千至上萬(wàn)pF)，在驅(qū)動(dòng)脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數(shù)A的充放電電流，才能滿足開(kāi)通和關(guān)斷的動(dòng)態(tài)要求，這使得它的驅(qū)
關(guān)鍵字： LED 驅(qū)動(dòng) IGBT

世界第二條8英寸IGBT專業(yè)芯片線將在株洲投產(chǎn)

　　6月20日上午，被業(yè)界認(rèn)為現(xiàn)代變流工業(yè)“皇冠上的明珠”的關(guān)鍵技術(shù)在中國(guó)南車取得產(chǎn)業(yè)化突破：公司投資近15億元的IGBT產(chǎn)業(yè)化基地建成并即將投產(chǎn)。這是國(guó)內(nèi)首條、世界第二條8英寸IGBT專業(yè)芯片生產(chǎn)線，首期將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)12萬(wàn)片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬(wàn)只IGBT模塊，真正實(shí)現(xiàn)IGBT的國(guó)產(chǎn)化。它的投產(chǎn)，將打破國(guó)外公司在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷。　　國(guó)家多部委關(guān)注IGBT研發(fā) 　　IGBT，是一種實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和控制的電力電子器件，中文名叫絕緣柵雙極型晶體管。自從
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我國(guó)成功實(shí)現(xiàn)8英寸IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)

我國(guó)南車株洲所8英寸IGBT專業(yè)芯片生產(chǎn)線建成，真正實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，打破了國(guó)外公司在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷......
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我首條8英寸IGBT芯片線建成

　　我國(guó)首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)專業(yè)芯片線，6月20日在中國(guó)南車株洲電力機(jī)車研究所有限公司建成，打破了國(guó)外在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷，對(duì)保障國(guó)民經(jīng)濟(jì)安全和推動(dòng)節(jié)能減排具有重大戰(zhàn)略意義。　　與微電子技術(shù)中芯片技術(shù)一樣，IGBT芯片技術(shù)是電力電子行業(yè)中的“心臟”和“大腦”，控制并提供大功率的電力設(shè)備電能變換，有效提升設(shè)備的能源利用效率、自動(dòng)化和智能化水平，主要應(yīng)用于船舶、高壓電網(wǎng)、軌道交通等大功率電力驅(qū)動(dòng)設(shè)備中。　　IGBT芯
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國(guó)家“02專項(xiàng)”獲重大突破 8寸IGBT征名

　　(飛馳于大江南北的和諧號(hào)機(jī)樣同樣需要IGBT核心器件。) 　　(一個(gè)8英寸IGBT芯片的“誕生”，至少需要2個(gè)月以上、歷經(jīng)200多道工藝、由數(shù)6萬(wàn)個(gè)“細(xì)胞”完成。) 　　(中國(guó)南車株洲所功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)區(qū)域。) 　　(“中國(guó)智造”的南車株洲所辦公樓。) 　　紅網(wǎng)長(zhǎng)沙6月11日訊(記者喻向陽(yáng))6月下旬，一個(gè)長(zhǎng)期被發(fā)達(dá)國(guó)家玩轉(zhuǎn)的“魔方”——8英寸IGBT芯片將在
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