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中國8英寸IGBT模塊地鐵車輛達(dá)國際領(lǐng)先水平

  • 　　2012年，株洲建設(shè)起國內(nèi)第一條8英寸IGBT專業(yè)芯片線。10月，自主IGBT模塊成功通過功率考核試驗，并于當(dāng)月底裝載至昆明地鐵1號線城軌車。據(jù)稱，載有首批8英寸IGBT芯片的模塊的列車，在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試，并穩(wěn)定運(yùn)行一萬公里，各項參數(shù)指標(biāo)均達(dá)國際先進(jìn)水平。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  晶閘管  整流管  

英飛凌推出額定電流高達(dá) 120A 的新型 TO-247PLUS 封裝

  • 　　英飛凌科技股份有限公司針對大功率應(yīng)用擴(kuò)大分立式 IGBT 產(chǎn)品組合，推出新型 TO-247PLUS 封裝，可滿足額定電流高達(dá) 120A 的 IGBT封裝，并在相同的體積和引腳內(nèi)裝有滿額二極管作為 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)TO-247-3。TO-247PLUS 可用于 UPS、焊接、太陽能、工業(yè)驅(qū)動等工業(yè)應(yīng)用以及傳動系統(tǒng)逆變器等汽車應(yīng)用，可更新高功率輸出的現(xiàn)有設(shè)計或者改進(jìn)這些應(yīng)用的熱環(huán)境，從而提高系統(tǒng)可靠性和延長系統(tǒng)使用壽命。TO-247PLUS 具備更高的電流承受能力，能夠在并聯(lián)時減少設(shè)備數(shù)量，實現(xiàn)更緊湊的產(chǎn)
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  IGBT  TO-247-3  

中國首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片裝車成功試運(yùn)行

  • 　　中國南車株洲所25日對外公布，裝有中國首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片的模塊在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試，并穩(wěn)定運(yùn)行一萬公里，各項參數(shù)指標(biāo)均達(dá)國際先進(jìn)水平。 　　這意味著，由中國南車株洲所下屬公司南車時代電氣自主研制生產(chǎn)的8英寸IGBT芯片已徹底打破國外高端IGBT技術(shù)壟斷，實現(xiàn)從研發(fā)、制造到應(yīng)用的完全國產(chǎn)化。 　　IGBT是一種新型功率半導(dǎo)體器件，中文全名“絕緣柵雙極型晶體管”。作為電力電子裝置的“心臟”，IGBT在國家戰(zhàn)略領(lǐng)域中不可或缺。 　　由
  • 關(guān)鍵字： IGBT  功率半導(dǎo)體  

Littelfuse推出額定值高達(dá)1700V和450A的模塊，以擴(kuò)充其IGBT功率控制半導(dǎo)體系列產(chǎn)品

  • 　　Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，已擴(kuò)充其專為電機(jī)控制和逆變器應(yīng)用設(shè)計的IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。 IGBT功率模塊提供廣泛的包裝設(shè)計，現(xiàn)包括半橋、六只裝以及S、D、H、W和WB封裝的PIM模塊，額定值高達(dá)1700V和450A。 這些模塊依托現(xiàn)代IGBT技術(shù)能夠可靠、靈活地提供高效快速的開關(guān)速度。 除了標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計外，Littelfuse還可提供定制解決方案以滿足客戶的具體規(guī)范。 這些模塊將被用于工業(yè)電子產(chǎn)品的眾多功率應(yīng)用中，包括工業(yè)驅(qū)動與運(yùn)動控制硬件、太陽能逆變器、不間斷電源/開關(guān)
  • 關(guān)鍵字： Littelfuse  IGBT  

DC-DC電源模塊的設(shè)計及優(yōu)化方案匯總，提供完整軟硬件設(shè)計指南

  • 　　DC-DC是一種新研制的小型化電源開關(guān)模塊，它是采用微電子技術(shù)，把小型表面安裝集成電路與微型電子元器件組裝成一體而構(gòu)成。dc-dc電源模塊的使用有利于簡化電源電路設(shè)計縮短研制周期，實現(xiàn)最佳指標(biāo)等，可廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字儀表和智能儀器中。本文為大家介紹相關(guān)DC-DC電源設(shè)計方案及優(yōu)化方案。 　　隔離型全橋DC-DC電源的設(shè)計方案 　　本文介紹了一種基于全橋DC-DC的隔離電源設(shè)計。文中提及的半橋IGBT板為兩組隔離的正負(fù)電壓輸出，這樣做是為了能夠成為IGBT的驅(qū)動及保護(hù)。并且在實踐設(shè)計時，需要根據(jù)選擇
  • 關(guān)鍵字： 元器件  IGBT  智能儀器  

IR為高功率工業(yè)應(yīng)用推出新IGBT模塊系列

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商， 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出完善的IGBT模塊系列，適合電機(jī)驅(qū)動逆變器、開關(guān)模式電源、不間斷電源、太陽能逆變器及焊接應(yīng)用等高功率工業(yè)應(yīng)用。 　　全新模塊系列采用IR極為堅固可靠的IGBT技術(shù)(包括非擊穿平面柵極和場截止溝道柵極技術(shù))及成熟的二極管技術(shù)，提供一系列穩(wěn)健的高效模塊。這些產(chǎn)品采用了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，加上寬泛的配置及電流額定值范圍，有助于設(shè)計師靈活、輕易地部署高功率系統(tǒng)。這72款模塊提供600V或1200V
  • 關(guān)鍵字： 國際整流器  IGBT  

先進(jìn)攜手北車構(gòu)建中國IGBT核心競爭力

  • 　　上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份公司(ASMC)與中國北車股份有限公司(CNR)10月22日在上海就雙方“建設(shè)戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟合作協(xié)議”簽約，上海先進(jìn)總裁王慶宇、中國北車總工王勇智分別代表雙方在協(xié)議書上簽字，上海先進(jìn)董事長陳建明、中國北車副總裁孫永才均表示，通過雙方戰(zhàn)略聯(lián)盟的合作，在充分利用各自競爭優(yōu)勢基礎(chǔ)上聯(lián)手打造出具有核心競爭力的國產(chǎn)化IGBT大規(guī)模商用產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈。 　　據(jù)悉，戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟合作主要包括4個方面：一是通過成立聯(lián)盟形成從設(shè)計、制造到封裝、測試的完整IGBT產(chǎn)業(yè)鏈;二是簽訂合
  • 關(guān)鍵字： 北車  IGBT  

中國變頻器工業(yè)遠(yuǎn)景光亮

  • 　　在大規(guī)模的分布式可再生能源發(fā)電中，變頻器在電力電子技術(shù)與信息通訊技術(shù)雙方面都扮演著重要的角色。據(jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，全球再生能源用變頻器市場在2011年為72億美元的規(guī)模。預(yù)測今后5年該規(guī)模將會倍增，到2017年將超越190億美元。變頻器可使電機(jī)系統(tǒng)節(jié)電率達(dá)30%左右，甚至40%～60%。未來幾年中低壓變頻器需求將保持20%以上的增速，高壓變頻器行業(yè)保持40%以上的增速。絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是變頻器的核心部件，目前國內(nèi)IGBT市場仍主要由外資企業(yè)所把控，擁有技術(shù)優(yōu)勢的企業(yè)有望率先實現(xiàn)進(jìn)口替代。
  • 關(guān)鍵字： 變頻器工業(yè)  IGBT  

IGBT等功率器件：芯片更薄，封裝散熱更好，集成度更高

  • 　　近日，三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體制作所參加了上海2014年P(guān)CIM亞洲展，總工程師佐藤克己介紹了IGBT等功率器件的發(fā)展趨勢。 　　IGBT芯片發(fā)展進(jìn)程 　　IGBT芯片始于19世紀(jì)80年代中期。30年以來，就FOM(優(yōu)點指數(shù))來說，今日的IGBT芯片比第一代性能提升了20倍左右，其中改良技術(shù)包括：精細(xì)化加工工藝、柵式IGBT的開發(fā)(如三菱電機(jī)的CSTBT)，以及薄晶圓的開發(fā)等等。如今，三菱電機(jī)的IGBT芯片已經(jīng)踏入第7代，正朝第8代邁進(jìn)。 　　隨著產(chǎn)品的更新?lián)Q代，功耗越來越低，尺寸越來越小。從80
  • 關(guān)鍵字： 三菱電機(jī)  IGBT  晶圓  201408  

中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機(jī)遇之IGBT產(chǎn)業(yè)

  • IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢，是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，中國市場的諸多因素將推進(jìn)IGBT應(yīng)用的發(fā)展，在電力領(lǐng)域、消費(fèi)電子、汽車電子、新能源等傳統(tǒng)和新興領(lǐng)域，市場前景廣闊。
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  IGBT  

中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機(jī)遇之三：IGBT產(chǎn)業(yè)

  • 　　IGBT 　　是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品，是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復(fù)合器件。既有功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點。又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點?；诩夹g(shù)和功能上的優(yōu)勢，IGBT產(chǎn)品可以實現(xiàn)對以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢。IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)能減排，具有很好的環(huán)境保護(hù)效益。IGBT被公認(rèn)為是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是未來應(yīng)
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  IGBT  

IGBT崛起——國產(chǎn)功率器件的曙光

  • 　　IGBT是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品，是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復(fù)合器件。既有功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點。又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點。基于技術(shù)和功能上的優(yōu)勢，IGBT產(chǎn)品可以實現(xiàn)對以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢。IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)能減排，具有很好的環(huán)境保護(hù)效益。IGBT被公認(rèn)為是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是未來應(yīng)用發(fā)展的必然
  • 關(guān)鍵字： 功率器件  IGBT  

意法半導(dǎo)體(ST)推出先進(jìn)的1200V IGBT,可實現(xiàn)更長的使用壽命、節(jié)省更多能源

  • 　　意法半導(dǎo)體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術(shù)提升太陽能逆變器、電焊機(jī)、不間斷電源和功率因數(shù)校正(PFC, Power-Factor Correction)轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的能效和耐用性。 　　意法半導(dǎo)體的新H系列1200V IGBT將關(guān)斷損耗和導(dǎo)通損耗降低多達(dá)15%。飽和電壓(Vce(sat))減低至2.1V (在標(biāo)準(zhǔn)集極電流和100°C下的典型值)，這能確?？傮w損耗降至最低，在20k
  • 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體  IGBT  H系列  

詳解IGBT驅(qū)動系統(tǒng)方案

  • 　　IGBT作為一種大功率的復(fù)合器件，存在著過流時可能發(fā)生鎖定現(xiàn)象而造成損壞的問題。在過流時如采用一般的速度封鎖柵極電壓，過高的電流變化率會引起過電壓，為此需要采用軟關(guān)斷技術(shù)，因而掌握好IGBT的驅(qū)動和保護(hù)特性是十分必要的。 　　IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極-發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有μA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。但I(xiàn)GBT的柵極-發(fā)射極間存在著較大的寄生電容(幾千至上萬pF)，在驅(qū)動脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數(shù)A的充放電電流，才能滿足開通和關(guān)斷的動態(tài)要求，這使得它的驅(qū)
  • 關(guān)鍵字： LED  驅(qū)動  IGBT  

世界第二條8英寸IGBT專業(yè)芯片線將在株洲投產(chǎn)

  • 　　6月20日上午，被業(yè)界認(rèn)為現(xiàn)代變流工業(yè)“皇冠上的明珠”的關(guān)鍵 技術(shù)在中國南車取得產(chǎn)業(yè)化突破：公司投資近15億元的IGBT產(chǎn)業(yè)化基地建成并即將投產(chǎn)。這是國內(nèi)首條、世界第二條8英寸IGBT專業(yè)芯片生產(chǎn)線，首期將實現(xiàn)年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬只IGBT模塊，真正實現(xiàn)IGBT的國產(chǎn)化。它的投產(chǎn)，將打破國外公司在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷。 　　國家多部委關(guān)注IGBT研發(fā) 　　IGBT，是一種實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和 控制的電力電子器件，中文名叫絕緣柵雙極型晶體管。自從
  • 關(guān)鍵字： IGBT  芯片  
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