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Infineon新一代TRENCHSTOP 5系列產(chǎn)品S5系列IGBT率先登陸Mouser

  • 　　貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 為首家分銷Infineon TRENCHSTOP? 5 S5絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 的全球分銷商。此新一代超薄晶圓TRENCHSTOP 5系列產(chǎn)品在175°C的溫度下，能夠提供業(yè)界領(lǐng)先的1.60 VCE(sat) 低典型飽和電壓，因此即使在高溫工作條件下，也能保持較高的能效?！　ouser分銷的Infineon TRENCHSTOP 5 S5 IGBT提高了開關(guān)性能，可降低電路復(fù)雜度，此外由于不需要電容與齊納二極管，還可以降低整體系統(tǒng)成本
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IRS2005 HVIC壯大面向中低壓電機變頻器的英飛凌驅(qū)動IC產(chǎn)品陣容，帶來很高的電源效率并提高系統(tǒng)可靠性

  • 　　英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大其200 V驅(qū)動IC產(chǎn)品陣容，推出支持高壓、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005(S, M)。全新驅(qū)動IC能為具有嚴(yán)格空間限制的電機變頻器應(yīng)用提供全面保護，比如電動園藝設(shè)備、高爾夫球車、電動工具及代步車等。IRS200x家族產(chǎn)品包括高邊和低邊驅(qū)動以及半橋式驅(qū)動，采用英飛凌成熟而強大的高壓結(jié)隔離(HVJI)工藝，以實現(xiàn)小型封裝，同時保持對負(fù)瞬變電壓的耐受性。這種200 V器件專為低壓(24 V、36 V和48 V)和中壓(60 V、80 V和100 V)應(yīng)用量身定制
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最簡單易用的7管封裝IGBT模塊

  • 　　IGBT的優(yōu)勢在于輸入阻抗很高，開關(guān)速率快，導(dǎo)通態(tài)電壓低，關(guān)斷時阻斷電壓高，集電極和發(fā)射機承受電流大的特點，目前已經(jīng)成為電力電子行業(yè)的功率半導(dǎo)體發(fā)展的主流器件。IGBT已經(jīng)由第三代發(fā)展到第五代了，由穿透型發(fā)展到非穿透型。IGBT模塊也在此基礎(chǔ)上同步發(fā)展，單管模塊，半橋模塊，6管模塊，到現(xiàn)在的7管模塊。IGBT驅(qū)動設(shè)計上比較復(fù)雜，需要考慮較多的因素，諸如合理的選擇驅(qū)動電壓Uge和門極驅(qū)動電阻Rg，過流過壓保護等都是很重要的。IGBT模塊廣泛用于UPS，感應(yīng)加熱，逆變焊機電源，變頻器等領(lǐng)域。 　　
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中國高鐵最核心電能芯片成功國產(chǎn)：世界最高難度

  • IGBT這技術(shù)國內(nèi)確實不夠，現(xiàn)在量產(chǎn)并使用在高鐵上，也是一大飛躍。
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IGBT開關(guān)式自并激微機勵磁系統(tǒng)的原理及應(yīng)用

  • 　　1. 概述 　　HWKT—09型微機勵磁調(diào)節(jié)器是武漢洪山電工技術(shù)研究所研制的新型的由IGBT作為功率輸出器件的自并激微機勵磁調(diào)節(jié)器。它的最大特點是結(jié)構(gòu)簡單，主控回路只需一塊面積為25×20(cm2)的印制電路板，以Intel公司準(zhǔn)16位單片機(8098)為核心，加上外圍接口芯片組成的控制系統(tǒng)。該裝置于2000年12月在我站#1、#5機上成功投運，目前運行良好。 　　2. IGBT自并激勵磁系統(tǒng)的組成及主回路原理 　　2.1 勵磁系統(tǒng)組成及接線方式 　　自并激勵磁系統(tǒng)也就
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意法半導(dǎo)體（ST）的650V IGBT可大幅提升20kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能效

  • 　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC)電機驅(qū)動、不間斷電源、太陽能轉(zhuǎn)換器以及所有的硬開關(guān)(hard-switching)電路拓?fù)?0kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。 　　采用意法半導(dǎo)體的第三代溝柵式場截止型(trench-gate field-stop)低損耗制造工藝，M系列IGBT有一個全新溝柵(trench gate)和特殊設(shè)計的P-N-P垂直結(jié)構(gòu)，可以在導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗之
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意法半導(dǎo)體（ST）新款1200V IGBT是業(yè)內(nèi)性能最好的低頻晶體管

  • 　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出S系列 1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管。當(dāng)開關(guān)頻率達(dá)到8kHz時，新系列雙極器件的導(dǎo)通和關(guān)斷綜合損耗創(chuàng)市場新低，大幅度提升不間斷電源、太陽能發(fā)電、電焊機、工業(yè)電機等類似設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換效率。 　　新S系列擁有當(dāng)前1200V IGBT市場上最低的飽和電壓(VCE(sat))，可確保更低的壓降與最小的功率耗散，從而簡化熱管理系統(tǒng)。此外，正VCE(sat)溫度系數(shù)結(jié)合緊密的參數(shù)分布，不僅簡化多支晶體管的并聯(lián)
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英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片 可提高牽引和工業(yè)傳動等高性能設(shè)備的可靠性

  • 　　英飛凌科技股份公今日發(fā)布一款采用可控逆導(dǎo)型IGBT，在同一芯片上集成了IGBT和續(xù)流二極管的6.5 kV功率模塊。新發(fā)布的這款RCDC(二極管可控逆導(dǎo)型IGBT)IGBT芯片，非常適合現(xiàn)代高速列車和高性能電力機車，以及未來的HVDC輸電系統(tǒng)和傳動裝置。較之安裝尺寸相同的前幾代模塊，采用RCDC IGBT的模塊電流密度提高了33%，散熱性能也有所增強。因此，它可以延長產(chǎn)品工作壽命并提高可靠性，進(jìn)而最大限度降低系統(tǒng)維護工作量。 　　通過推出RCDC IGBT芯片，英飛凌進(jìn)一步壯大其高性能6.5kV
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優(yōu)化高電壓IGBT造就高效率太陽能逆變器

  • 　　隨著綠色電力運動勢頭不減，包括家電、照明和電動工具等應(yīng)用，以至其他工業(yè)用設(shè)備都在盡可能地利用太陽能的優(yōu)點。為了有效地滿足這些產(chǎn)品的需求，電源設(shè)計師正通過最少數(shù)量的器件、高度可靠性和耐用性，以高效率把太陽能源轉(zhuǎn)換成所需的交流或者直流電壓。 　　要為這些應(yīng)用以高效率生產(chǎn)所需的交流輸出電壓和電流，太陽能逆變器就需要控制、驅(qū)動器和輸出功率器件的正確組合。要達(dá)到這個目標(biāo)，在這里展示了一個針對500W功率輸出進(jìn)行優(yōu)化，并且擁有120V及60Hz頻率的單相正弦波的直流到交流逆變器設(shè)計。在這個設(shè)計中，有一個DC/D
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英飛凌推出新款A(yù)dvantage系列 IGBT產(chǎn)品，為逆變焊機的持續(xù)發(fā)展注入動力

  • 　　近年來，中國的逆變焊機技術(shù)已日趨成熟，逆變焊機本身的技術(shù)和性能在不斷提高，且得到各行業(yè)用戶的認(rèn)可，并逐漸進(jìn)入國際市場。作為功率半導(dǎo)體市場領(lǐng)軍者，英飛凌憑借豐富的經(jīng)驗和創(chuàng)新實力，重視中國本土客戶的需求，全新推出針對于逆變焊機應(yīng)用的34毫米IGBT功率模塊Advantage系列，該系列產(chǎn)品包括1200V 50A、75A和100A, 具有高性價比，其品質(zhì)和可靠性達(dá)到英飛凌一貫高標(biāo)準(zhǔn)。 　　電焊機在工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用非常廣泛，如焊接機器人、機械制造、造船、石油化工、電力建設(shè)、建筑業(yè)等，隨著對焊機的利用率的提高，這
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SiC Mosfet管特性及其專用驅(qū)動電源

  • 　　摘要：本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對電路設(shè)計的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點，推薦了金升陽可簡化設(shè)計隔離驅(qū)動電路的SIC驅(qū)動電源模塊。 　　關(guān)鍵詞：SiC Mosfet管;隔離驅(qū)動電路;驅(qū)動電源模塊;QA01C 　　一、引言 　　以Si為襯底的Mosfet管因為其輸入阻抗高，驅(qū)動功率小，驅(qū)動電路簡單，具有靠多數(shù)載流子工作導(dǎo)電特性，沒有少數(shù)載流子導(dǎo)電工作所需要的存儲時間，因而開關(guān)速度快，工作頻率
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一種智能型全自動快速充電機的設(shè)計

  • 　　1 充電機的現(xiàn)狀 　　目前，礦用電機車蓄電池的充電，無論是恒流充電、恒壓充電或是先恒流再恒壓的分段式充電，都有一個共同的問題，就是這種小電流慢充方式，蓄電池初充需70小時以上，進(jìn)行普通充電也需10小時以上，這種充電方式在充電過程的初期，充電電流遠(yuǎn)小于蓄電池可接受的充電電流，因而拉長了充電時間，造成電能的浪費。而在充電過程的后期，充電電流又大于蓄電池可接受的電流，蓄電池內(nèi)部溫度升高，產(chǎn)生大量析氣，并形成內(nèi)部硫化結(jié)晶，大大縮短了蓄電池的循環(huán)使用壽命，甚至有可能永久性地?fù)p壞電池。這不僅造成了浪費，也增加了
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IGBT產(chǎn)業(yè)基地 有望掛上“國字號”牌子

  • 　　今年省“兩會”期間，駐株省政協(xié)委員張國浩、余群明、謝一明等聯(lián)名提交了《關(guān)于在株洲建設(shè)IGBT項目千億產(chǎn)業(yè)園的建議》。5月22日，省經(jīng)信委有關(guān)人員就該建議來株答復(fù)委員。 　　正申報國家新型工業(yè)化示范基地 　　駐株省政協(xié)委員提出“將IGBT產(chǎn)業(yè)園作為省重點工業(yè)園”，省經(jīng)信委電子產(chǎn)業(yè)處副處長彭濤答復(fù)時表示，由于相關(guān)政策規(guī)定，IGBT產(chǎn)業(yè)建設(shè)產(chǎn)業(yè)園，可以以新型工業(yè)化示范基地或園中園形式建立。省經(jīng)信委將在項目用地、資金、政策等方面優(yōu)先保障。 　　據(jù)悉，目前，
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Power Integrations推出可替代光耦器的1200 V雙通道門極驅(qū)動核

  • IGBT驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者PowerIntegrations宣布推出適用于90 kW至500 kW逆變器和變頻器的2SC0115T2A0-12雙通道門極驅(qū)動核。新型驅(qū)動核采用SCALE?-2+集成電路以及適用于DC/DC電源和開關(guān)信號傳輸?shù)母綦x式變壓器技術(shù)，并且無需采用光耦器，大大提高了系統(tǒng)的可靠性和性能。該驅(qū)動核的增強電氣隔離專門針對工作電壓900V的系統(tǒng)，這種技術(shù)通常適用于1200V IGBT模塊，并且滿足IEC 60664-1和IEC 61800-5-1的PD2和OV II要求。2S
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變流器工作原理

  • ??? 導(dǎo)讀：本文主要介紹的是變流器的工作原理。變流器，顧名思義，就是使某些電量或特性發(fā)生變化的電氣設(shè)備，下面就隨小編一起學(xué)習(xí)一下變流器的工作原理吧~~~ 1. 變流器工作原理—簡介 　　變流器是使電源系統(tǒng)的電壓、頻率、相數(shù)和其他電量或特性發(fā)生變化的電器設(shè)備。變流器包括整流器(交流變直流)、逆變器(直流變交流)、交流變流器(交流變頻器)和直流變流器(直流斬波器)。按控制方式分開環(huán)控制電路和閉環(huán)控制電路。 2. 變流器工作原理—結(jié)構(gòu) 　　變流
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