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Power Integrations任命Thomas Simonis為大功率產(chǎn)品業(yè)務(wù)副總裁
- 高壓IGBT及SiC MOSFET驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導者Power Integrations今天宣布任命Thomas Simonis為公司大功率產(chǎn)品業(yè)務(wù)副總裁,負責產(chǎn)品管理、研發(fā)和營銷。Simonis先生在高壓電機驅(qū)動器及半導體領(lǐng)域從業(yè)超過25年,加入Power Integrations之前,他先后在ATB、CPM和Infineon等數(shù)家知名公司擔任技術(shù)及業(yè)務(wù)管理職務(wù),是一名業(yè)內(nèi)資深人士。Simonis先生是從退休的Wolfgang Ademmer手中接任該職的,Wolfgang Ademmer于20
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三菱電機IGBT和IPM比翼齊飛,力保市場優(yōu)勢地位
- 三菱電機半導體首席技術(shù)官GourabMajumdar博士,在PCIM Asia 2016展會期間提到,三菱電機的功率半導體模塊(包括其在美國合資企業(yè)Powerex)2014年和2015年的銷售額大約在4.3兆日元至4.4兆日元,約占全球總銷量的23%,位居功率模塊市場首位。 圖一:三菱電機半導體首席技術(shù)官GourabMajumdar博士記者會演講 雖然2016年整體經(jīng)濟環(huán)境不佳,預計銷售額會有所下降。但是,由于中國市場龐大,并且根據(jù)國家相應的十三五發(fā)展規(guī)劃,中國將從制造大國邁向制造強國
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“I”型三電平逆變器開關(guān)管不均壓研究
- 為解決“I”型三電平逆變拓撲中內(nèi)、外開關(guān)管的不均壓問題,在逆變拓撲開關(guān)管的控制方式及硬件電路上提出了優(yōu)化的方案。開關(guān)管發(fā)波控制中,在原有的時序控制中加入開機和關(guān)機的時序邏輯,開機時保證內(nèi)管先于外管開通,關(guān)機時保證外管先于內(nèi)管關(guān)斷,避免內(nèi)、外管承受電壓不一致的情況。在硬件電路中,對內(nèi)管增加阻容網(wǎng)絡(luò),消除了內(nèi)、外管同時關(guān)斷時由于其寄生參數(shù)不一致而導致的內(nèi)、外管承受電壓不一致的現(xiàn)象。實驗結(jié)果表明,該方法可以徹底解決“I”型三電平拓撲中內(nèi)、外管承受電壓不一致的問題。
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問專家提問-當我并聯(lián)連接兩顆或更多顆IGBT時需要顧及些什么?
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Mentor Graphics 推出獨特的 MicReD Power Tester 600A 解決方案,用于解決電動和混合動力車 IGBT 熱可靠性問題
- Mentor Graphics公司今天宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 產(chǎn)品,其在功率循環(huán)中能測試電動和混合動力車 (EV/HEV) 的功率半導體器件的可靠性。借助 MicReD Power Tester 600A 產(chǎn)品,EV/HEV 研發(fā)和可靠性工程師能測試功率半導體器件(如絕緣柵雙極性晶體管 – IGBT、MOSFET、晶體管以及充電器),以便檢查對完成任務(wù)來說至關(guān)重要的熱可靠性和生命周期性能。熱可靠性問題可能導致需要召回 EV/HEV 汽車,
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Fairchild推出適用于混合動力電動汽車和純電動汽車應用的分立式IGBT
- 隨著Fairchild最新汽車創(chuàng)新產(chǎn)品的上市,汽車制造商及其供應商在牽引逆變器 和其他電機驅(qū)動的元件方面將擁有更多的選擇 全球領(lǐng)先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 今天發(fā)布了新產(chǎn)品,即適用于混合動力電動汽車(HEV)、充電式混合動力電動汽車(PHEV)和電動汽車(EV)應用的新型分立式IGBT和二極管和裸片,從而擴展了其不斷增加的汽車級半導體解決方案產(chǎn)品組合。 這些IGBT和二極管非常適合牽引逆變器,牽引逆變器是所有HEV、PHEV和EV的核心組件,能夠?qū)㈦姵?/li>
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Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC,將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動器技術(shù)引入到1200 V應用中
- 中等電壓和高壓逆變器應用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動器IC,8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動,也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅(qū)動器應用的產(chǎn)品。Flux
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Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC,將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動器技術(shù)引入到1200 V應用中
- 中等電壓和高壓逆變器應用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動器IC,8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動,也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅(qū)動器應用的產(chǎn)品。Flux
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解析IGBT的工作原理及作用
- 本文通過等效電路分析,通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用,并精簡的指出了IGBT的特點??梢哉f,IGBT是一個非通即斷的開關(guān),兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。
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