- 隨電源管理零組件MOSFET在汽車智能化崛起后供不應求,為填補供應鏈中此一環(huán)節(jié)的不足,在半導體驗證分析領域深耕多年的宜特科技,近期正式跨攻「MOSFET晶圓后端工藝整合服務」,其中晶圓減薄-背面研磨/背面金屬化(簡稱BGBM,Backside Grinding/ Backside Metallization)工藝,在本月已有數家客戶穩(wěn)定投片進行量產,在線生產良率連續(xù)兩月高于99.5%?! ⊥瑫r為了協(xié)助客戶一站式接軌BGBM工藝,在前端的正面金屬化工藝(簡稱FSM)上,除了提供濺射沉積(Sputteri
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宜特 MOSFET
- 1 引言
MOSFET管的導通電阻具有正的溫度特性,可自動調節(jié)電流,因而易于并聯(lián)應用。但由于器件自身參數(柵極電路參數及漏源極電路參數不一致)原因,并聯(lián)應用功率MOSFET管會產生電流分配不均的問題,關于此問題,
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MOSFET 并聯(lián) 電流 分配
- 在電動和混合動力汽車中,需要一種方法將高壓電池與車輛的其他部分斷開連接。專門設計的大電流繼電器(接觸器)歷來一直是執(zhí)行此功能的首選方案。此繼電器的設計必須支持在負載下斷開連接,而不受損壞。這是通過使用帶有真空封裝觸點的繼電器來實現(xiàn)的。這些接觸器通常充滿惰性氣體,包圍觸點以消除空氣。通常,在高壓電池系統(tǒng)中,需要三個接觸器:一個用于兩個主要電池導體,另一個更小的版本用于預充電功能。傳統(tǒng)的電池斷開電路圖如圖1所示?! ‰妱悠囍圃焐涕L期以來一直希望有一種更小、更輕、更便宜的方案,以解決電池斷開問題。功率半導
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MOSFET,混合動力
- MOSFET已經是是開關電源領域的絕對主力器件。但在一些實例中,與MOSFET相比,雙極性結式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
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開關電源 BJT MOSFET
- 在看到MOSFET數據表時,你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數會十分的含糊不清、模棱
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MOSFET 數據 電感器 連續(xù)電流
- 本文主要介紹三極管原理最通俗的表達理解,希望對您的學習有所幫助。對三極管放大作用的理解,切記一點:能量不會無緣無故的產生,所以,三極管一定不
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MOSFET 電源
- 在電子電路設計中,散熱設計是非常重要的一項指標。但在很多設計環(huán)境下,空間的狹小程度限制了散熱功能設計與發(fā)揮。在大功率電源MOSFET當中這種情況尤
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大功率電 MOSFET 功率耗散
- 功率MOSFET目前在一些大中型開關電源的驅動電路中得到了廣泛的應用,此前我們曾經為大家總結了幾種MOSFET在驅動電路中的常見應用方式,在今天的文章中
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MOSFET 驅動電路 電源
- 功率開關器件MOSFET在驅動電路中的應用頻率在最近幾年直線上升,在一些中小功率的開關電源產品中,利用MOSFET完成驅動電路的設計不僅省時省力,還具有
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MOSFET 驅動電路 設計
- 功率器件MOSFET在很多電路系統(tǒng)的設計中都得到了廣泛的應用,而對于同步整流降壓式的DC-DC變換器來說,怎樣選擇合適的MOSFET則是非常重要的一環(huán),需要研
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MOSFET 同步整流 DC-DC
- 由于不間斷電源的興起,IGBT技術得以飛速發(fā)展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應,因此在關斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴格,需要負壓驅動進行輔助
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MOSFET IGBT 隔離驅動
- 摘要:為了有效解決金屬一氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現(xiàn)的開關損耗失效問題,通過對MOSFET柵極電荷、極間
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MOSFET 帶電插拔 緩啟動 開關損耗
- 1.MOSFET柵極驅動電平的上升時間和下降時間功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點,因而非常適合用作開關電源(switch-mode power supplies,S
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MOSFET 筆記本電源 降壓變換器
- 在傳統(tǒng)應用領域,功率半導體分立器件引領工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉變,實現(xiàn)家電工業(yè)轉型升級,優(yōu)化產業(yè)結構。而隨著物聯(lián)網、云計算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產業(yè)的高速發(fā)展,新興領域成為支撐功率半導體分立器件保持較好發(fā)展勢頭的重要市場。
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功率半導體 MOSFET
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