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Vishay推出第三代TrenchFET?功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK? SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。 　　
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MOSFET基礎(chǔ)：理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

  • 通常，許多資料和教材都認(rèn)為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫...
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Vishay推出新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET?技術(shù)，在具有4.5V電壓等級(jí)的100V MOSFET中具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
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DC/DC 控制器驅(qū)動(dòng)5V 邏輯電平 MOSFET 以實(shí)現(xiàn)高效率

  • 近日（2010年11月2日）凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出窄/寬輸入電壓范圍(2.7V至5...
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IR新款高性能PQFN功率MOSFET系列

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國(guó)際整流器公司(InternationalRectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出一系列25V及3...
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Linear 推出 LTC4444/-5 的 H 級(jí)版本

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 級(jí)版本，該器件是一款高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計(jì)。該驅(qū)動(dòng)器與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器之一相結(jié)合，可構(gòu)成完整的高效率同步穩(wěn)壓器。LTC4444H/-5 在 -40°C 至 150°C 的節(jié)溫范圍內(nèi)工作，而 I 級(jí)版本的工作溫度范
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利用低門限電壓延長(zhǎng)電池壽命

  •         降低能量消耗、延長(zhǎng)電池壽命，這是每個(gè)工程師在設(shè)計(jì)便攜式電子產(chǎn)品時(shí)努力的目標(biāo)。電池技術(shù)的進(jìn)步非常緩慢，所以便攜式產(chǎn)品的設(shè)計(jì)者把延長(zhǎng)電池壽命的重點(diǎn)放在電源管理上。多年以來(lái)，從事電源管理業(yè)務(wù)的半導(dǎo)體制造商盡力跟上終端系統(tǒng)用戶的需求。越來(lái)越多的便攜式電子產(chǎn)品在功能上花樣翻新，這些產(chǎn)品需要峰值性能，要求設(shè)計(jì)者在設(shè)備的物理尺度內(nèi)實(shí)現(xiàn)盡可能高的效率。雖然電池行業(yè)努力開(kāi)發(fā)具有比傳統(tǒng)鎳鎘(NiCd)電池電量更高的替代電池技術(shù)，但還遠(yuǎn)不能滿
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用創(chuàng)新封裝簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)

  •          今天，電源工程師面臨的一個(gè)主要挑戰(zhàn)是如何減小商用電子產(chǎn)品中電源電路的電路板空間。在任何電子產(chǎn)品零售商店里轉(zhuǎn)上一圈，你就會(huì)發(fā)現(xiàn)個(gè)人電腦已經(jīng)變得更小，甚至小型化已經(jīng)成為許多電子設(shè)備的發(fā)展趨勢(shì)。隨著這些產(chǎn)品的尺寸不斷減小，它們的功能正在增加。在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更多功能，意味著要縮小留給電源電路的面積，這會(huì)導(dǎo)致一系列熱、功率損耗和布局方面的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。 　　工程師應(yīng)對(duì)這種挑戰(zhàn)的一個(gè)辦法是利用在MOSFET硅技術(shù)和封裝
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英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線

  • 　　英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過(guò)不斷改進(jìn)芯片架構(gòu)，使得CoolMOS晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 　　
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安森美半導(dǎo)體推出6款單通道功率MOSFET

  • 　　應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出6款新的通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證邏輯電平單通道功率MOSFET，用于汽車模塊，采用小型扁平引腳(FL)封裝。 　　
  • 關(guān)鍵字： 安森美  MOSFET  

IR推出車用平面MOSFET系列

  • 　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出車用平面 MOSFET 系列，適用于內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、混合動(dòng)力和全電動(dòng)汽車平臺(tái)的多種應(yīng)用。 　　
  • 關(guān)鍵字： IR   MOSFET  

在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開(kāi)關(guān)損耗

  • 摘要：升壓變換器通常應(yīng)用在彩色監(jiān)視器中。為提高開(kāi)關(guān)電源的效率，設(shè)計(jì)者必須選擇低開(kāi)關(guān)損耗的MOSFET。在升壓變換器中，利用QFET新型MOSFET能夠有效地減少系統(tǒng)損耗。1引言　　在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中，效率是一個(gè)關(guān)鍵性的參
  • 關(guān)鍵字： 減少  開(kāi)關(guān)  損耗  MOSFET  新型  變換器  利用  升壓  

安森美半導(dǎo)體推出六款汽車用功率MOSFET器件

  • 六款新的邏輯電平功率MOSFET通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，采用小型扁平引腳封裝，兼具大額定電流及低導(dǎo)通阻抗，針對(duì)汽車...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  安森美半導(dǎo)體  

UniFET?II MOSFET功率轉(zhuǎn)換器[飛兆半導(dǎo)體]

電源設(shè)計(jì)小貼士 28：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升――第 1 部分

  • 在本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。
  • 關(guān)鍵字： 溫升  1部分  MOSFET  估算  設(shè)計(jì)  電源  TI  德州儀器  
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