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Vishay Siliconix推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的超低最大導(dǎo)通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。 　　
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Diodes 推出強(qiáng)固型MOSFET

  • 　　Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發(fā)的新型60V N溝道器件，擴(kuò)展了其MOSFET產(chǎn)品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產(chǎn)生正極線和負(fù)極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開關(guān)時引起的雪崩能量而設(shè)計。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉(zhuǎn)換器對基本切換功能的嚴(yán)格要求。 　　Diodes 這次推出的四款產(chǎn)品提供四種不同的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
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IR 拓展堅固可靠、系統(tǒng)可擴(kuò)展的車用 DirectFET?2 功率 MOSFET 系列

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻，適用于重負(fù)載應(yīng)用，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、電源、混合動力汽車的電池開關(guān)、微型混合動力汽車的集成起動發(fā)電機(jī)系統(tǒng)等。 　　與傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝器件相比，IR 的車用 DirectFET®2 器件可以實現(xiàn)整個系統(tǒng)級尺寸和更低的成本，以及超高的性
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滿足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET

  • 當(dāng)維持相同的結(jié)點(diǎn)溫度時，可以獲得更高的輸出功率和改善功率密度。另外，散熱能力的提高使得電路在提供額定電流的同時，還可以額外提供不超過額定電流50%的更高電流，并使器件工作在更低的溫度、減少發(fā)熱對其他器件的影響，也提高了系統(tǒng)的可靠性。
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Vishay Siliconix 推出新款500V的 N溝道功率MOSFET超低導(dǎo)通電阻

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新型500V、16A的N溝道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.38Ω的超低最大導(dǎo)通電阻，柵極電荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝。 　　SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPA
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一種MOSFET雙峰效應(yīng)的簡單評估方法

  • 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機(jī)體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
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Diodes 推出強(qiáng)固型MOSFET 輕松應(yīng)對IP電話通信設(shè)備的嚴(yán)峻考驗

  • 　　Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發(fā)的新型60V N溝道器件，擴(kuò)展了其MOSFET產(chǎn)品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產(chǎn)生正極線和負(fù)極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開關(guān)時引起的雪崩能量而設(shè)計。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉(zhuǎn)換器對基本切換功能的嚴(yán)格要求。 　　Diodes 這次推出的四款產(chǎn)品提供四種不同的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
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硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的應(yīng)用

  • 　功率MOSFET作為雙極晶體管的替代品最早出現(xiàn)于1976年。與那些少數(shù)載流子器件相比，這些多數(shù)載流子器件速度更快、更堅固，并且具有更高的電流增益。因此開關(guān)型電源轉(zhuǎn)換技術(shù)得以真正商用化。早期臺式電腦的AC/DC開關(guān)電
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Panasonic電工PhotoMOS MOSFET的控制電路

  • 　　前言 　　Panansonic電工的PhotoMOS在輸出中采用了光電元件和功率MOSFET，是作為微小模擬信號用而開發(fā)出的SSD，以高功能型的HF型為首，正逐步擴(kuò)展系列，如通用型的GU型、高頻型的RF型。 　　上次介紹了PhotoMOS的概要，此次將介紹內(nèi)置在PhotoMOS中構(gòu)成控制電路的獨(dú)特的光電元件的特點(diǎn)、構(gòu)造、布線等。 　　FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路 　　圖1是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的最基本電路。在該電路中由于輸出
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瑞薩電子推出3款新型功率MOSFET產(chǎn)品

  • 　　高級半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)已于近日宣布開始供應(yīng)第12代新型功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)產(chǎn)品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率半導(dǎo)體器件，主要面向計算機(jī)服務(wù)器和筆記本電腦等的應(yīng)用。 　　本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存儲器的電壓轉(zhuǎn)換電路。例如，可作為降壓電路，用于將電池提供的12V電壓轉(zhuǎn)換為1.05V，以便為CPU所用。隨著公司進(jìn)一步推進(jìn)
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Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要2

  • 　　b觸點(diǎn)型“PhotoMOS”的開發(fā) 　　隨著PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解，人們將其用于信息通信設(shè)備、OA設(shè)備、FA設(shè)備及其他廣泛的領(lǐng)域。為了滿足大眾進(jìn)一步的需求，本公司開發(fā)出了“可通過機(jī)械實現(xiàn)、并擁有所有觸點(diǎn)構(gòu)成(b觸點(diǎn)、c觸點(diǎn))”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。 　　為實現(xiàn)該產(chǎn)品的開發(fā)，我們在功率MOSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
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IR 推出為 D 類應(yīng)用優(yōu)化的汽車用 DirectFET2 功率 MOSFET

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布推出汽車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，適合D 類音頻系統(tǒng)輸出級等高頻開關(guān)應(yīng)用。 　　新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 適用于汽車 D 類音頻系統(tǒng)的 DirectFET®2 功率 MOSFET 陣營，并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優(yōu)化，來改善總諧波失真
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基于功率MOSFET的激光器外觸發(fā)系統(tǒng)研制

  • 采用功率MOSFET及其驅(qū)動器和光纖收發(fā)器件，研究了激光觸發(fā)開關(guān)脈沖功率源控制技術(shù)中的快上升沿(≤5 ns)觸發(fā)信號產(chǎn)生、驅(qū)動、傳輸及光纖隔離、高耐壓脈沖變壓器使用等關(guān)鍵技術(shù)。給出了激光器外觸發(fā)控制電路的設(shè)計及測試結(jié)果，并對其應(yīng)用特點(diǎn)進(jìn)行了分析和討論。
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Diodes 推出小型SOT963封裝器件

  • 　　Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態(tài)抑制二極管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超過采用更大封裝的器件。 　　Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2，比SOT723封裝少30%，比SOT563封裝少60%，適合低功耗應(yīng)用。占板面積節(jié)省加上0.5 mm的離板高度，讓Diodes 的 SOT963 封裝器件能夠滿足各種超便攜式電子產(chǎn)品的要求。 　　現(xiàn)階段推出的SOT963封裝產(chǎn)品線包括6款通用雙極雙晶體管組合、3款小信號雙MOS
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MOSFET驅(qū)動器介紹及功耗計算

  • 我們先來看看MOS關(guān)模型：



    Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
    Cgd：是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
    耗盡區(qū)電容
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