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說出你的故事：中國IC設(shè)計(jì)及應(yīng)用創(chuàng)新案例

  • 　　現(xiàn)代創(chuàng)新理論的提出者約瑟夫·熊彼特認(rèn)為，企業(yè)家的職能就是實(shí)現(xiàn)“創(chuàng)新”，引進(jìn)生產(chǎn)要素或生產(chǎn)條件的“新組合”，目的是最大限度地獲取超額利潤。創(chuàng)新催生利潤，因此“創(chuàng)新”一詞得到狂熱追捧，幾乎所有企業(yè)都在打出各式各樣的創(chuàng)新口號。 　　不僅業(yè)內(nèi)企業(yè)在摸索和實(shí)踐著創(chuàng)新，作為“深圳(國際)集成電路技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用展覽會”的組織機(jī)構(gòu)——深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會也在積極行動。他們在深入調(diào)研了
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飛兆半導(dǎo)體功率級非對稱雙MOSFET器件

  • 電源工程師一直面對減小應(yīng)用空間和提高功率密度的兩個(gè)主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負(fù)載點(diǎn)、服務(wù)器、游戲和電信應(yīng)用中，上述兩點(diǎn)尤為重要。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊。
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IR推出新款PQFN 2mm x 2mm封裝

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案?！?/li>
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IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET登場

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
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2011年中國功率MOSFET市場放緩的兩個(gè)因素

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場快速增長，銷售額達(dá)到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。 　　直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時(shí)間都處于供應(yīng)不足局面，難以滿足中國各行業(yè)的需求，包括本地?cái)?shù)據(jù)處理、消費(fèi)與通信領(lǐng)域。功率MOSFET是為處理較高的功率級而設(shè)計(jì)的功率半導(dǎo)體器件，主要用于電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器中的低電壓開關(guān)?！?/li>
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同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

  • 在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常，作為設(shè)計(jì)過程的一個(gè)組
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混合動力電動車應(yīng)用中大功率器件的五大要素

  • 盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車載系統(tǒng)的電氣需...
  • 關(guān)鍵字： 混合動力  電動車  大功率器件  IGBT  MOSFET  

2011年中國功率MOSFET市場放緩的兩個(gè)因素

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場快速增長，銷售額達(dá)到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。 　　直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時(shí)間都處于供應(yīng)不足局面，難以滿足中國各行業(yè)的需求，包括本地?cái)?shù)據(jù)處理、消費(fèi)與通信領(lǐng)域。功率MOSFET是為處理較高的功率級而設(shè)計(jì)的功率半導(dǎo)體器件，主要用于電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器中的低電壓開關(guān)。 　　去年功率MOSFET在中國市場強(qiáng)勁增長，可能主要?dú)w功于中國政府的推動。為了鼓勵(lì)投資和刺激經(jīng)濟(jì)，中國政府推出了一系
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飛兆半導(dǎo)體推出60V PowerTrench MOSFET器件

  • 　　DC-DC電源、馬達(dá)控制、熱插拔和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用，以及服務(wù)器的次級同步整流應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員，需要使用具有更低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗的MOSFET器件以期提高設(shè)計(jì)的效率。 　　
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Vishay發(fā)布2011年“Super 12”特色產(chǎn)品

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，Vishay發(fā)布2011年的“Super 12”特色產(chǎn)品。這些元器件具有業(yè)界領(lǐng)先的規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)，如導(dǎo)通電阻、導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積(FOM)、溫度范圍和電流等級。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 進(jìn)行展示，是許多關(guān)鍵應(yīng)用的上佳之選，也充分反映出Vishay產(chǎn)品線之豐富。　
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恩智浦NextPower MOSFET具有行業(yè)最低RDS (on)

  • 　　恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產(chǎn)品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個(gè)關(guān)鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點(diǎn)，并且具有行業(yè)最低的RDS (on) (25V和30V均為亞1 mΩ級)，是高性能、高可靠性開關(guān)應(yīng)用的理想之選。
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英飛凌新一代高壓MOSFET設(shè)立能效新標(biāo)準(zhǔn)

  • 　　英飛凌的最新一代高壓CoolMOS? MOSFET取得了又一項(xiàng)創(chuàng)新，設(shè)立了能效的新標(biāo)準(zhǔn)。在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上，英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS? CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個(gè)新的CFD2器件延續(xù)了600V CFD產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，不僅可以提高能效，而且具備更軟的交換功能，從而降低了電磁干擾(EMI)，提升產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢。
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Diodes推出超小型封裝的高性能MOSFET

  • 　　Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間，其結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻 (ROJA) 為256oC/W，在連續(xù)條件下功耗高達(dá)1.3W，而同類產(chǎn)品的功耗則多出一倍。 　　
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利用DAC、運(yùn)算放大器和 MOSFET 晶體管 構(gòu)建多功能高精度可編程電流源

  • 電路功能與優(yōu)勢 數(shù)字控制電流源在許多應(yīng)用中至關(guān)重要，如電源管理、電磁閥控制、電機(jī)控制、阻抗測量、傳 ...
  • 關(guān)鍵字： 實(shí)驗(yàn)室電路    MOSFET  運(yùn)算放大器  

Diodes全新DFN3020封裝MOSFET節(jié)省七成空間

  • 　　Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補(bǔ)器件。這些雙DFN3020 MOSFET的電學(xué)性能與較大的SOT23封裝器件不相上下，可以替代兩個(gè)獨(dú)立的SOT23封裝MOSFET，節(jié)省七成的電路板空間。　
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