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美光科技推出業(yè)界首款基于領(lǐng)先的64層3D NAND技術(shù)構(gòu)建的企業(yè)級SATA固態(tài)硬盤

  • 　　美光科技有限公司今日推出 Micron® 5200 系列 SATA 固態(tài)硬盤 (SSD)，該產(chǎn)品可提供業(yè)界領(lǐng)先的性能、一致性、容量、可靠性和整體基礎(chǔ)設(shè)施價(jià)值。美光 5200 系列固態(tài)硬盤基于美光科技業(yè)界領(lǐng)先的全新 64 層 3D NAND 技術(shù)構(gòu)建，對于OLTP、BI/DSS、VDI、塊/對象和媒體流等在硬盤上無法一展身手的業(yè)務(wù)關(guān)鍵型虛擬化工作負(fù)載，可為其提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的 SATA 平臺(tái)。 　　利用廣受好評的 5100 SATA 固態(tài)硬盤的成熟架構(gòu)和業(yè)界領(lǐng)先的性能及容量，美光 5200 系列提
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2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情

  • 　　2017年，整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash，都度過了一個(gè)黃金好年，那么2018年可否持續(xù)榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法，DRAM熱度可望延續(xù)，供不應(yīng)求態(tài)勢依舊，但NAND部分，恐怕就不會(huì)那么樂觀了，由于大廠3D NAND良率大躍進(jìn)，供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會(huì)太理想， 最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時(shí)產(chǎn)業(yè)由悲轉(zhuǎn)喜。 　　DRAM無新增產(chǎn)能 　　首先就DRAM部分，以大方向來說，2018年在Fab端并無新增產(chǎn)能，頂多就
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Linux驅(qū)動(dòng)之Nand Flash四問，原理、工作方式都包含了

  • 　　Nand Flash 是一個(gè)存儲(chǔ)芯片。　　那么：這樣的操作很理“讀地址A的數(shù)據(jù)，把數(shù)據(jù)B寫到地址A”　　問1：原理圖上的Nand Flash和SC2440之間只有數(shù)據(jù)線，怎么傳輸?shù)刂?　　答：在Data0-Data7上既傳輸數(shù)據(jù)，又傳輸?shù)刂?，?dāng)ALE為高電平時(shí)傳輸?shù)氖堑刂贰　?：從Nand Flash芯片手冊可知，要操作Nand Flash需要先發(fā)出命令，怎么傳入命令?！　〈穑涸贒ata0-Data7既傳輸數(shù)據(jù)，又傳輸?shù)刂罚矀鬏斆睢　‘?dāng)ALE為高
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3D NAND存儲(chǔ)助力智能手機(jī)應(yīng)用進(jìn)入新時(shí)代

  • 　　前言　　全球的智能手機(jī)用戶一直在不斷尋求更好的移動(dòng)體驗(yàn)。他們不僅下載比以往任何時(shí)候都更多的應(yīng)用，而且還使用更為復(fù)雜的應(yīng)用來支持?jǐn)z影、4K Ultra視頻的播放和錄制、電影流式播放、導(dǎo)航、圖像采集以及虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)/增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)等方面更大的技術(shù)進(jìn)步。　　在某些地區(qū)，智能手機(jī)是唯一與外界聯(lián)系的設(shè)備，因此用戶對它們的依賴程度非常高，已經(jīng)習(xí)慣于讓手機(jī)不間斷地運(yùn)行并管理他們的日常生活。中國擁有全球最大智能手機(jī)用戶群，這些用戶經(jīng)常使用高級在線支付服務(wù)(如Alipay(支付寶)和Tenpay(財(cái)付通
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美光科技和英特爾發(fā)布NAND存儲(chǔ)聯(lián)合開發(fā)計(jì)劃的最新動(dòng)態(tài)

  • 　　美光科技和英特爾今日發(fā)布了雙方 NAND 存儲(chǔ)聯(lián)合開發(fā)計(jì)劃的最新動(dòng)態(tài)。這段成功的合作關(guān)系已幫助兩家公司開發(fā)出行業(yè)領(lǐng)先的 NAND 技術(shù)并順利推向市場。　　此次發(fā)布內(nèi)容包括兩家公司商定將各自獨(dú)立開發(fā)新世代 3D NAND 技術(shù)。雙方同意共同完成第三代 3D NAND 技術(shù)的開發(fā)，該技術(shù)將在 2018 年末交付，并持續(xù)到 2019 年初。在此技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后，兩家公司將獨(dú)
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存儲(chǔ)器大廠3D NAND良率升 NAND Flash恐過剩

  • 三星、東芝等存儲(chǔ)器大廠已擬定3D NAND擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，新產(chǎn)能將在2019年后開出，屆時(shí)NAND Flash市場將供過于求。
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ARM平臺(tái)數(shù)據(jù)為何會(huì)莫名其妙丟失

  • 　　Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲(chǔ)器，為固態(tài)大容量存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-Flash存儲(chǔ)器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而越來越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機(jī)、云端存儲(chǔ)資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域。　　   　　圖1 Nand-Flash與eMMC芯片　　1.1存儲(chǔ)器件使用壽命　　使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象，是一個(gè)讓無數(shù)工程師毛骨悚然的
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東芝宣布興建第7座NAND Flash工廠

  • 　　2017 年是 NAND Flash 閃存廠商豐收的一年，零售價(jià)格的暴漲帶動(dòng)了廠商的營收，同時(shí)還對獲利有了巨大貢獻(xiàn)。 所以，當(dāng)前全球的 4 大 NAND Flash 廠商，包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來進(jìn)行新一波的投資。 而根據(jù)外電的報(bào)導(dǎo)，東芝就最新宣布，將拿出 70 億日圓的金額，準(zhǔn)備興建第 7 座閃存工廠(Fab7)，地點(diǎn)就在日本的四日市(Yokkaichi)。 　　事實(shí)上，目前東芝的第 6 座工廠(Fab 6)正在建設(shè)當(dāng)中，預(yù)計(jì)將于 2018 年第 4 季完工
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明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

  • DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，而明年上半年將轉(zhuǎn)為供過于求。
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明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

  • 　　內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào)，DRAM市場仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過于求。 　　DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，只是業(yè)界普遍預(yù)期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。 　　內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見指出，DRAM 市場供貨持續(xù)吃緊，價(jià)格未見松動(dòng)跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補(bǔ)供貨缺口。 　　另一內(nèi)存模塊廠威剛表示，短期內(nèi)全球 DRAM
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中國反壟斷機(jī)構(gòu)關(guān)注DRAM連漲七個(gè)季度,何處是盡頭?

  • 圍繞著此輪DRAM產(chǎn)業(yè)的上漲行情，無論是“供需論”還是“壟斷說”，在DRAM一路瘋漲的背后，展現(xiàn)的是耐人尋味的眾生相，有需求者的無奈，領(lǐng)軍者的得意，入局者的尷尬以及監(jiān)管者的警覺。
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DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長

  • 　　DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%，全球DRAM價(jià)格連續(xù)七季上揚(yáng)，是歷來漲勢最久的一次。 　　業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅(jiān)決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價(jià)格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認(rèn)為兩大韓廠打算調(diào)降售價(jià)格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 　　手機(jī)中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認(rèn)為，有人說三星瘋狂擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)器是為了將中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點(diǎn)太看得起自己，雖然明年大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)開始進(jìn)入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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潘健成：明年3D NAND進(jìn)入96層　群聯(lián)準(zhǔn)備好了

  • 　　今年全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)成功轉(zhuǎn)換至64/72層3D NAND規(guī)格，隨著制程轉(zhuǎn)換完成，全球缺貨問題也逐漸紓解，群聯(lián)董事長潘健成指出，2018年底將進(jìn)入96層的3D NAND技術(shù)世代，帶動(dòng)單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb，SSD控制芯片技術(shù)也全面提升至新層次，群聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)準(zhǔn)備好了，呈現(xiàn)蓄勢待發(fā)的姿態(tài)! 　　今年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到技術(shù)轉(zhuǎn)換不順、數(shù)據(jù)中心對于儲(chǔ)存容量需求快速攀升之故，導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)供需失衡，芯片價(jià)格一直高居不下，但這樣的狀況停留太久后，導(dǎo)致終端產(chǎn)品的需求被抑制，
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美光任命Derek Dicker為存儲(chǔ)產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理

  • 　　美光科技有限公司今日宣布任命 Derek Dicker 為存儲(chǔ)產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理?！　≡诖寺毼簧?，Dicker 將負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)和拓展美光的固態(tài)存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，包括打造世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案，從而把握云端、企業(yè)級和客戶端計(jì)算等大型細(xì)分市場中日漸增多的機(jī)遇。他將向美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana 匯報(bào)?！　icker 在半導(dǎo)體行業(yè)擁有 20 年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，包括在 Intel、
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旺宏NAND論文 獲國際肯定

  • 　　內(nèi)存大廠旺宏(2337)在3D NAND Flash研發(fā)獲得重成果，昨(29)日宣布，最新研發(fā)3D NAND記憶晶胞架構(gòu)的論文入選國際電子組件大會(huì)(IEDM)，被評選為「亮點(diǎn)論文」，是今年臺(tái)灣產(chǎn)學(xué)研界唯一獲選的廠商，彰顯旺宏在先進(jìn)內(nèi)存研發(fā)實(shí)力受到國際高度肯定，也顯示旺宏在業(yè)界最關(guān)注的3D NAND議題上扮演重要角色。 　　旺宏強(qiáng)調(diào)，獨(dú)立研發(fā)的平坦垂直渠道型晶體管結(jié)構(gòu)(SGVC)，相較其他大廠現(xiàn)有技術(shù)，以相同的堆棧層數(shù)，卻可達(dá)到二到三倍的內(nèi)存密度。 　　目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NA
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