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打破市場壟斷 國產(chǎn)32層堆棧3D閃存將于2019年量產(chǎn)
- NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷,中國公司在此領(lǐng)域毫無話語權(quán),甚至連收購、合作外資公司都沒可能,想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地,該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工,2019年全速量產(chǎn),預(yù)計2020年會在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。 長江存儲科技前身是武漢新芯公司,該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地,
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三星穩(wěn)居全球NAND Flash龍頭地位 估供應(yīng)吃緊整年
- 市調(diào)機構(gòu)集邦科技預(yù)期,今年儲存型快閃存儲器(NAND Flash)整年都將維持供應(yīng)吃緊的情況,NAND Flash廠商業(yè)績可望逐季攀高。 集邦科技調(diào)查,隨著NAND Flash缺貨達(dá)到高峰,產(chǎn)品平均售價走揚,加上終端出貨暢旺,去年第4季NANDFlash產(chǎn)值達(dá)120.45億美元,季增達(dá)17.8%,各NANDFlash廠獲利也攀上去年高峰。 集邦科技指出,三星去年第4季市占率37.1%,穩(wěn)居全球NAND Flash龍頭地位;東芝市占率18.3%,居第2大廠;西部數(shù)據(jù)市占率17.7%,居第3大
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各大廠搶進3D NAND致存儲器價格大漲
- 據(jù)海外媒體報道,去年下半年以來NANDFlash市場供不應(yīng)求,主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2DNANDFlash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進3DNAND,但3DNAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期,2DNAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小,NANDFlash市場出現(xiàn)貨源不足問題,價格也因此明顯上漲。 不過,隨著3DNAND加速量產(chǎn),下半年產(chǎn)能若順利開出,將成為NANDFlash市場最大變數(shù)。 2DNANDFlash制程持續(xù)往1y/1z納米進行微縮,如三星及SK海力士去年已轉(zhuǎn)進14納米,東芝及西部數(shù)據(jù)(WD)進入15納米,美光導(dǎo)
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比NAND閃存更快千倍 40nm ReRAM在中芯國際投產(chǎn)
- 非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存(ReRAM)開發(fā)商CrossbarInc.利用非導(dǎo)電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料,并透過電場轉(zhuǎn)換機制,開發(fā)出號稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件,同時就像先前在2016年所承諾地如期實現(xiàn)量產(chǎn)。 根據(jù)Crossbar策略營銷與業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁SylvainDubois表示,專為嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存(eNVM)應(yīng)用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能,密度比DRAM更高40倍,耐久度與寫入速度更高1,000倍,單芯片尺寸約200mm2左右,即可實現(xiàn)高達(dá)
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迎需求熱潮!三星或追投西安3D NAND廠43億美元
- 據(jù)海外媒體報道,傳三星電子于2017~2018年,將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠,業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元),以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。 Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出,三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進行商議,2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資,皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設(shè)備及人力費用。 三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
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東芝分拆半導(dǎo)體業(yè)務(wù) 提升東芝/西數(shù)陣營的NAND Flash競爭力
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查顯示,東芝公司為提升半導(dǎo)體業(yè)務(wù)競爭力,已正式宣布將在今年三月三十一日前將完成分拆內(nèi)存業(yè)務(wù)。預(yù)期分拆出來的新公司將有更多經(jīng)營彈性及更佳的籌資能力,長期而言對東芝/西數(shù)(Western Digital)電子陣營在NAND Flash產(chǎn)能提升、產(chǎn)品開發(fā)均有所幫助。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,東芝公司這一做法,一方面為的是應(yīng)付日漸沉重的產(chǎn)業(yè)競爭環(huán)境,另一方面是為緩解經(jīng)營壓力,并滿足籌措營運資金的需求。從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來看,DRAMeX
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傳SK海力士有意投資東芝新存儲器公司
- 據(jù)報道,東芝(Toshiba)慘虧,將分拆旗下賺錢的半導(dǎo)體部門,成立新公司,賣股籌錢。由于東芝是全球NAND Flash二哥,各方都興趣濃厚。據(jù)傳韓國存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)有意投資,借此強化NAND Flash布局。 韓媒BusinessKorea 24日報導(dǎo),業(yè)界專家表示,SK海力士可能會投資東芝獨立出來的存儲器公司,取得決定NAND Flash表現(xiàn)的控制器技術(shù)。東芝在NAND市場表現(xiàn)出色,去年第三季市占率為19.8%,僅次于龍頭三星電子(36.6%)。SK海力士落后,市占排
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新興市場智能手機需求增 2017年NAND供貨仍吃緊
- 隨著全球?qū)τ谑謾C、電腦、汽車等消費性產(chǎn)品需求持續(xù)增強,NAND FLASH始終處于供不應(yīng)求的情況,特別是印度、印尼及越南等新興智慧手機市場,當(dāng)?shù)叵M者智慧手機持有率大增,進而使得NAND FLASH需求大幅攀升。因此,預(yù)計2017年NAND FLASH全年供貨仍將持續(xù)吃緊,特別是在第2、3季最為嚴(yán)重。 群聯(lián)董事長潘建成表示,預(yù)計NAND FLASH今年將持續(xù)缺貨,特別是在第2、第3季最為明顯,原因在于手機、電腦、汽車等終端消費性產(chǎn)品需求仍舊強勁。因應(yīng)此一情況,有些記憶體業(yè)者將部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)去做3D
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2017年中國興建晶圓廠支出金額將超40億美元
- 根據(jù) SEMI (國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會) 的最新研究數(shù)據(jù)表示,當(dāng)前中國正掀起興建晶圓廠的熱潮,預(yù)估 2017 年時,中國興建晶圓廠的支出金額將超過 40 億美元,占全球晶圓廠支出總金額的 70%。而來到2018年,中國建造晶圓廠相關(guān)支出更將成長至 100 億美元,而其中又將以晶圓代工占其總支出的一半以上。 SEMI 中國臺灣地區(qū)產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆指出,2017 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)產(chǎn)值可望達(dá)到 7.2% 的年成長率。其中,存儲為其中成長的關(guān)鍵。而未來 5 年之內(nèi),全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍將持續(xù)成長,到了 2
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賽普拉斯子公司AgigA Tech宣布推出符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的DDR4 NVDIMM-N解決方案
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司旗下子公司,高速、高容量和免電池非易失性存儲器解決方案領(lǐng)先提供商AgigA Tech公司今日宣布,正式發(fā)布其符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的AGIGARAM? DDR4 NVDIMM-N系列解決方案。該解決方案與AgigA業(yè)界領(lǐng)先的在JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布之前就已量產(chǎn)的傳統(tǒng)DDR4 NVDIMM產(chǎn)品一起,為最新公布的NVDIMM-N解決方案JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD248和JESD245A)提供了一系列完整的交鑰匙式模塊產(chǎn)品和控制器解決方案?! g
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存儲器國產(chǎn)化為何選3D NAND作為突破口?
- 在上海一場以“匠心獨運,卓越創(chuàng)芯”為主題的IC技術(shù)峰會上,長江存儲CEO楊士寧先生參會并發(fā)表了題為《發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考》的演講。在演講中,他對為什么選擇發(fā)展存儲、為什么選擇3D NAND Flash作為突破口、還有3D NAND Flash將面臨什么樣的挑戰(zhàn)等問題,作了深刻的分析。 為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè) 在詳細(xì)介紹為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)之前,楊士寧首先對存儲產(chǎn)業(yè)的整體狀況作了一個分析。根據(jù)他的說法,在全球的半導(dǎo)體存儲產(chǎn)品中,NAND 和
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?nand介紹
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