存儲器國產(chǎn)化為何選3D NAND作為突破口？

　　在上海一場以“匠心獨運，卓越創(chuàng)芯”為主題的IC技術(shù)峰會上，長江存儲CEO楊士寧先生參會并發(fā)表了題為《發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考》的演講。在演講中，他對為什么選擇發(fā)展存儲、為什么選擇3D NAND Flash作為突破口、還有3D NAND Flash將面臨什么樣的挑戰(zhàn)等問題，作了深刻的分析。

　　為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)

　　在詳細(xì)介紹為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)之前，楊士寧首先對存儲產(chǎn)業(yè)的整體狀況作了一個分析。根據(jù)他的說法，在全球的半導(dǎo)體存儲產(chǎn)品中，NAND 和 DRAM的產(chǎn)值占全球存儲總額的95%。

　　而隨著云計算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用的發(fā)展，未來NAND的需求會持續(xù)增加，這就意味在可見的未來里，存儲產(chǎn)品的需求量的大增，會帶來龐大的市場價值。

　　中國作為全球的制造基地，在存儲方面的消耗量是驚人的。根據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計，中國存儲器的消耗量占全球總消耗量的50%以上，但是當(dāng)中能由國產(chǎn)廠商供應(yīng)的存儲產(chǎn)品則是屈指可數(shù)。楊士寧表示，目前全球的存儲產(chǎn)品(包括DRAM和Flash)都是由幾家廠商承包，這個對于發(fā)展自主可控的中國信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)是一個很大的挑戰(zhàn)。因此發(fā)展國產(chǎn)的存儲產(chǎn)業(yè)就被提上給了日程。

　　從另一方面看，存儲產(chǎn)業(yè)供應(yīng)的高度集中，缺少強(qiáng)力的競爭對手，尤其是三星電子在DRAM和NAND上面的全球壟斷，讓很多終端廠商有了顧慮，不少的同行競爭者也是有了其他想法，這就促使具有龐大存儲消耗量的中國去發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)。

　　再加上國家推行集成電路發(fā)展綱領(lǐng)，成立國家大基金支持集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。于是存儲就成為了發(fā)展的重點。

　　就這樣，以發(fā)展國產(chǎn)存儲為目的的長江存儲順勢成立。

　　為什么以3D NAND作為突破口

　　在選定而來聚焦存儲方向以后，接下來就要選擇合適的產(chǎn)品方向，尋求更好的突破。

　　楊士寧指出，選擇3D NAND作為突破口，是企業(yè)需求、外部機(jī)遇和市場動力的吻合。這是個技術(shù)的問題，更是個經(jīng)濟(jì)的問題。

　　他在演講中表示，NAND和DRAM都是需要的存儲產(chǎn)品，但是考慮到DRAM有兩個增加難度：1.競爭對手有大量折舊完的產(chǎn)能，這樣的問題也發(fā)展在2D NAND上;需求增長相對緩慢，因此長江存儲就選擇了增量巨大，且全球的廠商正在追逐的3D NAND產(chǎn)品作為突破口。

　　再加上看一下全球競爭對手的布局，與2D NAND和DRAM不一樣，前者是一個高度成熟的市場，且在那個維度沒有什么突破，競爭對手的深厚布局，讓長江存儲沒有更多的機(jī)會。而3D NAND 相對來說，則是一個很好的機(jī)遇。

　　會面臨什么樣的挑戰(zhàn)?

　　楊士寧指出，我們要明確一點，由于對高學(xué)歷人才和高端設(shè)備的需求，IC制造是一個耗資巨大的產(chǎn)業(yè)，這是需要面臨的第一個挑戰(zhàn)。

　　其次，從存儲產(chǎn)品的的發(fā)展來看，在未來的發(fā)展也要面臨多方面的挑戰(zhàn)。

　　其中包括了制程，cell架構(gòu)，集成度、可靠性、陣列架構(gòu)和芯片設(shè)計等多方面的挑戰(zhàn)，尤其是對于基礎(chǔ)懦弱的中國來說，挑戰(zhàn)更是巨大。

　　怎樣才能成功

　　在找準(zhǔn)了方向，認(rèn)識到了和國外競爭對手的差距，知道了技術(shù)的挑戰(zhàn)所在之后，長江存儲的下一步就是如何發(fā)揮自己的優(yōu)勢，取長補(bǔ)短，收獲成功了。

　　楊士寧指出，要成功必須要做到這三點，那就是找對人，砸對錢，做對事，這是長江存儲堅持的做事準(zhǔn)則。

　　從現(xiàn)狀看來，長江存儲已經(jīng)取得了不錯的成果。

　　“長江存儲的32層 3D NAND產(chǎn)品目前進(jìn)展順利，生產(chǎn)的產(chǎn)品指標(biāo)都非常良好，并將會在2019年實現(xiàn)滿載產(chǎn)能，這對于長江存儲是一個巨大的挑戰(zhàn)。”楊士寧說。

　　對于未來的發(fā)展方向，楊士寧指出，未來3D NAND帶來的挑戰(zhàn)還是巨大的，但是長江存儲不會簡單跟隨業(yè)界的步伐發(fā)展，而是選擇通過跳躍式的發(fā)展，展望到2019年實現(xiàn)與世界前沿的半代技術(shù)差距，2020追上世界領(lǐng)先技術(shù)。