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各家爭鳴存儲器技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) 儲存技術(shù)之爭再掀戰(zhàn)火

  •   在2017年快閃存儲器高峰會(Flash Memory Summit)上,可見各主要NAND Flash供應(yīng)商持續(xù)推出更新式存儲器芯片以期能主導(dǎo)競爭優(yōu)勢,幾乎各主要供應(yīng)商也都在談?wù)摵喕疐lash儲存系統(tǒng)內(nèi)建軟件的必要性,以減少應(yīng)用在資料中心時出現(xiàn)的延遲問題,以及試圖定義固態(tài)硬盤(SSD)全新尺寸標(biāo)準(zhǔn),另值得注意的是,本屆大會上甚至連主要硬盤(HD)制造商,都已幾乎不在主題演說中提及硬盤相關(guān)技術(shù)資訊或發(fā)展趨勢。   根據(jù)科技網(wǎng)站EE Times報導(dǎo),在本屆大會上,三星電子(Samsung Electr
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3D NAND究竟出了什么問題?

  • 3D NAND比平面NAND更昂貴,但大家都期待它將有助于快速地降低NAND的成本,以及取代平面NAND,這是為什么呢?
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具有劃時代意義的芯片匯總,賽靈思FPGA和東芝NAND閃存在列

  •   對大多數(shù)人來說,微芯片是一些長著小小的金屬針,標(biāo)著看似隨機的字母或數(shù)字的字符串的黑盒子。但是對那些懂的人來說,有些芯片就像名人一樣站在紅毯上。有許多這樣的集成電路直接或間接地為改變世界的產(chǎn)品賦能,從而得到榮耀,也有一些芯片對整個計算環(huán)境造成了長期的影響。也有一些,它們的雄心壯志失敗后成為警世的故事?! 榱思o(jì)念這些偉大的芯片,并講述它們背后的人和故事,IEEE Spectrum 制作了這個“芯片名人堂”(Chip Hall of Fame)。登堂的是7
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1Tb V-NAND內(nèi)存即將面世

  •   三星計劃在明年推出容量達(dá)1-Tbit的V-NAND芯片,以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤。   三星(Samsung)計劃明年推出容量達(dá)1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND,以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(SSD)。 該公司并表示,去年發(fā)表的Z-NAND產(chǎn)品也開始出樣,據(jù)稱這款產(chǎn)品能夠達(dá)到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內(nèi)存的低延遲能力。   三星的Tbit NAND可支持高達(dá)每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率,并在一個堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達(dá)4
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三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒 容量高達(dá)1Tb

  •   相較于2.5寸SATA,M.2的SSD有著非常明顯的體積優(yōu)勢,如果總線走PCIe,速度上更是完爆。   在舊金山的閃存峰會上,三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒,容量高達(dá)1Tb,用于消費級產(chǎn)品。   三星表示,今后的2TB 3D閃存SSD產(chǎn)品將使用上這一新品,即一整顆芯片封裝16Tb Die,繼續(xù)減小體積。   如此精巧之后,連傳統(tǒng)M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了,三星據(jù)此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標(biāo)準(zhǔn)。   其
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東芝傳計劃砸1兆日元建新廠、增產(chǎn)3D NAND

  •   日刊工業(yè)新聞7日報導(dǎo) ,為了提高3D架構(gòu)的NAND型閃存(Flash Memory)產(chǎn)能、以因應(yīng)三星電子等競爭對手加快擴產(chǎn)腳步,東芝(Toshiba)將進一步祭出增產(chǎn)投資,計劃在日本巖手縣北上市興建新工廠,該座新廠預(yù)計于2018年度動工、 2021年度啟用,總投資額將達(dá)1兆日圓的規(guī)模。 東芝目前已在四日市工廠廠區(qū)內(nèi)興建3D NAND專用廠房「第6廠房」。   該座3D NAND新工廠興建計劃由東芝半導(dǎo)體事業(yè)子公司「東芝內(nèi)存(Toshiba Memory Corporation、以下簡稱TMC)」負(fù)責(zé)
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存儲器分類匯總,DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎?

  •   RAM:由字面意思就可以理解,SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍(lán)色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM,random?access?memory(隨機存取存儲器)的縮寫,下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區(qū)別?! RAM:靜態(tài)隨機存儲器,就是它不需要刷新電路,不像動態(tài)隨機存儲器那樣,每隔一段時間就要刷新一次數(shù)據(jù)。但是他集成度比較低,不適合做容量大的內(nèi)存,一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
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半導(dǎo)體人才流失中國,三星呼吁韓國政府幫忙

  •   根據(jù)韓國英文媒體 《The Korea Times》 的報導(dǎo),三星副總裁權(quán)五鉉 (Kwon Oh-hyun) 日前就像韓國政府喊話,要韓國政府給予半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更多的支持,以解決人才荒的問題。   報導(dǎo)中指出,目前是三星副總裁,也是領(lǐng)導(dǎo)三星顯示器部門的權(quán)五鉉,日前在一項公開演講中指出,韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自認(rèn)為有其競爭的實力。 不過,卻面臨當(dāng)當(dāng)前半導(dǎo)體人才不足的問題。 權(quán)五鉉進一步指出,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是第 4 次工業(yè)革命的重要基礎(chǔ),因此希望韓國政府能藉由科技培訓(xùn)的管道,持續(xù)為半導(dǎo)體與設(shè)備產(chǎn)業(yè)供應(yīng)需要的人才。
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解讀:上半年中國固態(tài)硬盤市場發(fā)展現(xiàn)狀

  •   受NAND Flash供貨緊張影響,以及數(shù)據(jù)中心、企業(yè)、移動設(shè)備等領(lǐng)域SSD強勁需求,2017年上半年NAND Flash價格持續(xù)走高。根據(jù)ZDC統(tǒng)計,NAND Flash價格累計漲幅達(dá)26%,消費類每GB銷售價格突破了0.3美金。    ?   2017年上半年,中國市場智能手機、平板電腦等移動設(shè)備需求出現(xiàn)下滑,再加上NAND Flash的價格持續(xù)走高,高價壓力下的SSD市場呈現(xiàn)一片低迷景象。但隨著6月份需求旺季的到來,固態(tài)硬盤的關(guān)注度有所回升。    ?  
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ICinsights:DRAM、NAND售價已暴漲一年

  •   IC Insights的報告顯示,DRAM及NAND Flash售價已經(jīng)連續(xù)四個季度上漲。    不過因為原廠紛紛提出擴產(chǎn)計劃,IC Insights稍早憂心忡忡認(rèn)為,未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長江存儲,都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能,大陸還有新建廠商也會加入戰(zhàn)場,3D NAND Flash產(chǎn)能供過于求的可能性相當(dāng)高。     近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元,進行3D NAND Flash和DRAM兩大內(nèi)存
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NAND閃存供應(yīng)短缺,三星斥資186億美元投資芯片

  •   韓國三星電子有限公司本周二表示,計劃在韓國投資至少21.4萬億韓元(約合186.3億美元),以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。   作為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商,三星將在2021年前對位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬億韓元。此外,位于華城市的半導(dǎo)體生產(chǎn)線也將拿到6萬億韓元的投資。剩下的1萬億韓元,將分配給三星位于韓國的OLED屏幕工廠。同時,三星還計劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線。   近年來,三星、東芝和SK海力士已投入了數(shù)百億美元來推動NAND閃存的
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ICinsights:DRAM、NAND漲勢第四季微幅逆轉(zhuǎn)

  •   ICinsights認(rèn)為,全球內(nèi)存下半年價格上漲動能可能減緩,包含DRAM與NAND閃存均是如此。   盡管漲勢減緩,但DRAM與NAND今年營收預(yù)料仍將創(chuàng)新高記錄,這完全都是拜先前平均售價快速上漲之賜。 以DRAM為例,DRAM平均售價今年預(yù)估年漲幅高達(dá)63%,此為1993年有記錄以來之最。   內(nèi)存價格從去年第三季起漲,ICinsights預(yù)期動能可能持續(xù)至2017年第三季,第四季可能微幅轉(zhuǎn)負(fù),為這波正向循環(huán)劃下休止符。   ICinsights指出,隨著價格走揚,內(nèi)存制造商也再次增加資本投
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KBS:聚焦韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

  •   韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展風(fēng)生水起。世界上最大的內(nèi)存芯片供應(yīng)商三星電子公司宣布,其在韓國平澤的新建半導(dǎo)體生產(chǎn)線已經(jīng)開始量產(chǎn)。NAND閃存技術(shù)開發(fā)商SK海力士公司已經(jīng)加入了一個同盟,將投標(biāo)收購日本東芝的內(nèi)存部門。今天,我們邀請到了韓國真好經(jīng)濟研究院的李仁喆(音譯:???)先生,與他共同聊一聊韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來。首先,我們了解一下7月4日三星電子公司在平澤投產(chǎn)的半導(dǎo)體工廠的意義。   根據(jù)IT市場研究公司的數(shù)據(jù),第一季度三星電子公司在NAND閃存市場上的份額為35.4%。 這個數(shù)字具有絕對優(yōu)勢,但平澤半導(dǎo)體廠
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NOR Flash行業(yè)趨勢解讀:供不應(yīng)求或成常態(tài) 大陸存儲雄心勃勃

  •   這個時間點我們討論NorFlash行業(yè)趨勢與全年景氣度,一方面是Nor廠商二季度業(yè)績即將公布,而相關(guān)公司一季度業(yè)績沒有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關(guān)標(biāo)的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預(yù)期大賣以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會反饋意見等),同時我們調(diào)高AMOLED與TDDINor的需求拉動預(yù)期,詳細(xì)測算供需缺口,以求對未來趨勢定性、定量研究;   汽車電子與工控拉動行業(yè)趨勢反轉(zhuǎn)TDDI+AMOLED新需求錦上添花   1、汽車與工控拉動2016趨勢反轉(zhuǎn)   從各方面驗證,2016年是NOR的拐點
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三星電子全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線投產(chǎn)

  •   據(jù)韓聯(lián)社報道,三星電子平澤工廠全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線近日正式投產(chǎn)。三星電子將在該工廠生產(chǎn)第四代64位V-NAND,月產(chǎn)能可達(dá)20萬片,并計劃持續(xù)擴充生產(chǎn)設(shè)備,解決近年來全球半導(dǎo)體市場上供不應(yīng)求的局面。   據(jù)了解,位于韓國京畿道平澤市的三星電子平澤工廠于2015年5月動工建設(shè),日均投入1.2萬名施工人員,耗時兩年多建成全球最大的單一產(chǎn)品生產(chǎn)線。   三星宣布,至2021年為止,要對位于平澤市的NAND型快閃存儲器廠房投入14.4萬億韓圜(約合125.4億美元),并對華城市新建的半導(dǎo)體生產(chǎn)線投入6
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