三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒 容量高達(dá)1Tb

　　相較于2.5寸SATA，M.2的SSD有著非常明顯的體積優(yōu)勢，如果總線走PCIe，速度上更是完爆。

　　在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達(dá)1Tb，用于消費(fèi)級產(chǎn)品。

　　三星表示，今后的2TB 3D閃存SSD產(chǎn)品將使用上這一新品，即一整顆芯片封裝16Tb Die，繼續(xù)減小體積。

　　如此精巧之后，連傳統(tǒng)M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了，三星據(jù)此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標(biāo)準(zhǔn)。

　　其中單面16TB的樣品三圍是30.5mm x 110mm x 4.38mm，當(dāng)然這是極大值的情況。

　　按照三星的演示，典型的服務(wù)器可以塞入36張單面16TB NGSFF SSD，總存儲容量達(dá)到576TB。

　　當(dāng)然，相較技術(shù)、容量本身的進(jìn)步，用戶可能關(guān)注閃存第一廠何時(shí)能夠釋放更大的產(chǎn)能把SSD的價(jià)格降回去吧。