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Nand Flash編程應(yīng)用難點(diǎn)淺析
- Nand Flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、記憶卡、體積小巧的U盤等?! ?989年,東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經(jīng)過十幾年的發(fā)展,NAND應(yīng)用越來越廣泛,但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些難點(diǎn):分區(qū)、ECC糾錯(cuò)、壞塊管理等。只有真正了
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群聯(lián)潘健成:未來五年 NAND供不應(yīng)求
- 內(nèi)存股王群聯(lián)電子昨(27)日舉行股東臨時(shí)會(huì)補(bǔ)選一席董事,由日商東芝內(nèi)存株式會(huì)社(TMC)當(dāng)選。在市場供需方面,群聯(lián)董事長潘健成樂觀表示,未來五年,儲(chǔ)存型閃存(NANDFlash)將持續(xù)供不應(yīng)求。 臺(tái)灣東芝先進(jìn)半導(dǎo)體因集團(tuán)組織調(diào)整,今年8月1日辭去群聯(lián)董事,群聯(lián)昨日召開股東臨時(shí)會(huì)補(bǔ)選,并順利由東芝內(nèi)存株式會(huì)社當(dāng)選。 潘健成表示,東芝內(nèi)存主導(dǎo)負(fù)責(zé)東芝的全球半導(dǎo)體事業(yè),東芝已將群聯(lián)股權(quán)移轉(zhuǎn)給東芝內(nèi)存;而群聯(lián)與東芝間不僅相互投資,也透過合作互補(bǔ),強(qiáng)化技術(shù),雙方關(guān)系將比過去15年更加緊密,在產(chǎn)業(yè)的競
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2018年NAND Flash供給年增42.9%,全年度供需由緊俏轉(zhuǎn)為平衡
- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,2017年NAND Flash產(chǎn)業(yè)需求受到智能手機(jī)搭載容量與服務(wù)器需求的帶動(dòng),加上供給面受到制程轉(zhuǎn)進(jìn)進(jìn)度不如預(yù)期的影響下,供不應(yīng)求的狀況自2016年第三季起已持續(xù)六個(gè)季度;展望2018年,NAND Flash供給將增加42.9%,需求端將成長37.7%,明年整體供需狀況將轉(zhuǎn)為供需平衡。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出,從NAND Flash的供給面來看,因?yàn)镹AND制程從2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D不如預(yù)期,導(dǎo)致2017年非三星陣營的新
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2017年全球存儲(chǔ)市場規(guī)模將達(dá)950億美元
- 日前,由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦的、以“中國存儲(chǔ) 全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(huì)在深圳圓滿落幕。本次峰會(huì)齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達(dá)、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、漢德資本、??荡鎯?chǔ)等企業(yè)重量級嘉賓,一起探討存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展和企業(yè)市場發(fā)展機(jī)會(huì)。峰會(huì)吸引全球近700家企業(yè)參會(huì),其中包括東芝、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長江存儲(chǔ)、華為、聯(lián)想、中興、網(wǎng)易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì),涵蓋領(lǐng)域包括存儲(chǔ)企業(yè)、手機(jī)、電腦、汽車、工業(yè)、大數(shù)據(jù)應(yīng)用等,參會(huì)觀眾超
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東芝宣布出售予美日聯(lián)盟,加速提升3D NAND產(chǎn)能追趕三星
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,東芝公司已正式在9月20日決定將旗下半導(dǎo)體事業(yè)以2兆日圓出售給由美國私募股權(quán)業(yè)者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯(lián)盟,,由于此出售案較預(yù)期延宕,對于NAND Flash市場的產(chǎn)能影響,預(yù)期要到明年上半年才會(huì)趨于明顯;中長期而言,在資金到位的情況下,將有助東芝在3D-NAND產(chǎn)能與技術(shù)上力拼三星。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出,此次出售案的收購對象日美韓聯(lián)盟成員中包括日本政府支持的產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)(INCJ)財(cái)團(tuán)、
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CFM:原廠加碼投資擴(kuò)產(chǎn)64層3D NAND,然部分市場仍缺貨到年底
- 9月6日,由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦以“中國存儲(chǔ)?全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(huì)(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會(huì)除了齊聚國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)鏈重要企業(yè)嘉賓演講,其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達(dá)、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業(yè)界知名企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)。 當(dāng)天吸引全球近700家企業(yè)參會(huì),其中包括西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長江存儲(chǔ)、金士頓、華為、聯(lián)想、中興、百度、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì),涵蓋領(lǐng)域包括存儲(chǔ)企業(yè)、手機(jī)、電腦、
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莫大康:中國半導(dǎo)體業(yè)要奮力突圍
- 與美國在半導(dǎo)體先進(jìn)工藝制程等方面的差距,不僅表現(xiàn)在人材,技術(shù)等方面,可能更大的差距在于綜合的國力,以及產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的改善,所以此次奮力突圍一定要取得更大的進(jìn)步。 01引言 近期華爾街日報(bào)撰文“中國的下一個(gè)目標(biāo)奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚,它是站在美方的立場,歪曲事實(shí)。 此次中國半導(dǎo)體業(yè)的“奮力突圍”,有兩層意義: 一個(gè)是差距大,希望迅速的成長,至多是擴(kuò)大芯片的自給率。 另一個(gè)是西方千方百計(jì)的阻礙中國半導(dǎo)體業(yè)的進(jìn)步
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狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能 三星3D NAND、DRAM、7納米制程大擴(kuò)產(chǎn)
- 2017年三星電子(SamsungElectronics)同步啟動(dòng)DRAM、3DNAND及晶圓代工擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,預(yù)計(jì)資本支出上看150億~220億美元,遠(yuǎn)超過臺(tái)積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規(guī)模,三星為確保新產(chǎn)能如期開出,近期傳出已與多家硅晶圓供應(yīng)商洽談簽長約,狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能,并傳出環(huán)球晶已通知客戶自2018年起硅晶圓供應(yīng)量將減少30%,主要便是為支持三星產(chǎn)能需求做準(zhǔn)備。 三星為因應(yīng)DRAM和3DNAND市場強(qiáng)勁需求,加上在邏輯事業(yè)全力投入7納米制程,企圖與臺(tái)積電一較長短,搶
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三星電子波瀾再起 NAND芯片市場風(fēng)云變幻
- 8月28日,三星電子宣布,未來將投資70億美元用于擴(kuò)大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過,三星稱,“此筆投資意在滿足NAND芯片市場的需求。”可是,三星的投資真的只為滿足NAND芯片市場需求嗎? 波瀾的背后 據(jù)2017年第二季度財(cái)報(bào)顯示,三星電子營收額高達(dá)554.1億美元,同比增長19%,并且,三星電子以銷售額14億美元的成績拿下45.9%的NAND Flash市占有率。 有業(yè)者分析稱,三星第二季度如此強(qiáng)勁的主要原因是蘋果等其他電子類產(chǎn)品生產(chǎn)需求旺盛,同時(shí)其
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第二季NAND Flash品牌廠營收季成長8%,第三季價(jià)格續(xù)揚(yáng)
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響,即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季,各產(chǎn)品線合約價(jià)平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手機(jī)與平板計(jì)算機(jī)內(nèi)的eMMC/UFS以及SSD合約價(jià)仍持續(xù)小漲,2017年將是NAND Flash廠商營收表現(xiàn)成果豐碩的一年。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出,由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制,NAND Flash原廠紛紛轉(zhuǎn)進(jìn)垂直堆棧
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DIGITIMES:聲光暫掩的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展近況
- 開年以來大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展似乎進(jìn)入沉潛期。首先是年初長江存儲(chǔ)CEO楊士寧鄭重發(fā)布新聞稿澄清,表示從未發(fā)表過32層3DNANDFlash今年量產(chǎn)的消息。接下來是中芯國際董事長周子學(xué)表達(dá)的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“三步走”(注1),指出要花至少15年的時(shí)間,大陸才能發(fā)展出比較有市場競爭力的企業(yè)主體。再來是最近紫光集團(tuán)表示,由于長江存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器芯片工廠專案投資規(guī)模過大,目前尚處于建設(shè)初期,短期無法產(chǎn)生銷售收入,時(shí)機(jī)不成熟,停止收購長江存儲(chǔ)的股份。雖然似乎大陸整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)其發(fā)展動(dòng)能,但
- 關(guān)鍵字: 摩爾定律 NAND
三大內(nèi)存創(chuàng)最缺且漲勢最久紀(jì)錄,手機(jī)品牌包產(chǎn)能
- DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內(nèi)存會(huì)一直缺貨到明年,許多客戶搶貨,已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。 業(yè)界指出,未簽訂長約的客戶,內(nèi)存供貨將短缺,沖擊產(chǎn)品上市或出貨時(shí)程。 集邦、IC Insight等研究機(jī)構(gòu)最近紛紛出具報(bào)告,強(qiáng)調(diào)DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應(yīng)在下半年顯現(xiàn),缺貨問題更嚴(yán)重。 業(yè)界表示,三大內(nèi)存應(yīng)用范圍廣,尤其NOR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲(chǔ)存程序代碼關(guān)鍵組件,雖然單價(jià)遠(yuǎn)比DRAM
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對?nand的理解,并與今后在此搜索?nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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