CFM：原廠加碼投資擴(kuò)產(chǎn)64層3D NAND，然部分市場仍缺貨到年底

　　9月6日，由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦以“中國存儲(chǔ)?全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(huì)(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會(huì)除了齊聚國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)鏈重要企業(yè)嘉賓演講，其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達(dá)、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業(yè)界知名企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)。

　　當(dāng)天吸引全球近700家企業(yè)參會(huì)，其中包括西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長江存儲(chǔ)、金士頓、華為、聯(lián)想、中興、百度、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì)，涵蓋領(lǐng)域包括存儲(chǔ)企業(yè)、手機(jī)、電腦、汽車、工業(yè)、大數(shù)據(jù)應(yīng)用等，觀眾超過1200人。中國閃存市場(China Flash Market)總經(jīng)理邰煒現(xiàn)場針對全球存儲(chǔ)市場格局變化和中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇進(jìn)行了存儲(chǔ)行業(yè)數(shù)據(jù)分析和報(bào)告。

　　NAND Flash大漲價(jià)，原廠技術(shù)向3D NAND切換是主因

　　眾所周知，原廠技術(shù)由于向3D NAND發(fā)展，技術(shù)轉(zhuǎn)換的空窗期導(dǎo)致市場缺貨，NAND Flash價(jià)格出現(xiàn)了有史以來最大且持續(xù)最長的上漲。據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket報(bào)價(jià)，NAND Flash每GB的價(jià)格從2016年的0.12美金一路上漲至0.3美金，主流的eMMC價(jià)格上漲60%以上，SSD價(jià)格超過80%，對產(chǎn)業(yè)影響巨大。

　　邰煒表示，3D NAND因?yàn)槭切录夹g(shù)，比2D技術(shù)要復(fù)雜，工時(shí)更長，而且各家都一起投產(chǎn)3D NAND，導(dǎo)致晶圓生產(chǎn)設(shè)備供應(yīng)不上，以至于原廠3D NAND量產(chǎn)時(shí)間是要比原計(jì)劃推遲，這也是2017年市場仍然供不應(yīng)求的一個(gè)原因。

　　市場缺貨、漲價(jià)到何時(shí)?原廠64層3D NAND量產(chǎn)進(jìn)程是關(guān)鍵

　　雖然2017年市場NAND Flash供貨緊缺的市況較2016年有所緩解，但原廠售價(jià)依然較高，部分供貨依然不足，而且現(xiàn)在正值需求旺季，業(yè)內(nèi)人士非常關(guān)心市場NAND Flash缺貨要到什么時(shí)候，后續(xù)市場將如何發(fā)展?

　　邰煒認(rèn)為，原廠64層3D NAND技術(shù)進(jìn)展，以及Fab工廠投產(chǎn)情況是影響NAND Flash市場后續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵。在2D制程技術(shù)方面，目前三星量產(chǎn)的是14nm的128Gbit MLC/TLC;東芝/WD還是量產(chǎn)的15nm 128Gbit MLC/TLC;美光和英特爾量產(chǎn)16nm 128Gbit MLC滿足高階市場;SK 海力士量產(chǎn)14nm的128Gbit TLC。

　　3D技術(shù)部分，三星、東芝/WD、美光/英特爾均量產(chǎn)的是64層3D NAND，SK海力士量產(chǎn)72層3D NAND，其中三星64層3D NAND已用于自家產(chǎn)品，64層3D NAND在Q4將供貨給客戶;東芝64層256Gbit已經(jīng)量產(chǎn);美光64層B16A(256Gbit)已經(jīng)量產(chǎn)，B17A要再等兩個(gè)月;SK海力士正在轉(zhuǎn)72層TLC 256Gbit/512Gbit。

　　可以看到，各家原廠64層和72層 3D NAND都是量產(chǎn)的256Gbit/512Gbit兩種規(guī)格容量，相較于2D制程工藝可極限量產(chǎn)的128Git，容量提升了3倍。3D技術(shù)下一個(gè)階段的96層，容量將可提升到1Tbit，將是2D可量產(chǎn)最大容量的8倍。

　　原廠新3D NAND產(chǎn)能優(yōu)先滿足手機(jī)和SSD市場需求，給部分市場供貨仍會(huì)缺到年底

　　邰煒介紹了原廠各家量產(chǎn)3D NAND和Fab工廠新的動(dòng)向，其中三星3D NAND生產(chǎn)工廠是中國西安工廠，F(xiàn)ab18工廠，另外西安工廠正在建設(shè)第二條產(chǎn)線;東芝和西部數(shù)據(jù)則主要是Fab 5和Fab 2工廠，并正在為96層量產(chǎn)新建Fab 6工廠，美光和英特爾主要是F10X和大連工廠，SK海力士主要是M14工廠。

　　中國閃存市場ChinaFlashMarket預(yù)計(jì)2017年NAND Flash存儲(chǔ)密度達(dá)到1620億GB當(dāng)量，年增長40%。邰煒表示，由于原廠全部集中在3D NAND上生產(chǎn)，2D NAND產(chǎn)出會(huì)減少，但因?yàn)槭袌鲂∪萘啃枨蟮拇嬖冢€有尺寸的關(guān)系，2D還是會(huì)持續(xù)2~3年的時(shí)間，用在工業(yè)、監(jiān)控、汽車等領(lǐng)域，3D NAND在某些領(lǐng)域還需要時(shí)間去驗(yàn)證。

　　雖然原廠新3D NAND產(chǎn)出增加，但也并不能完全解決缺貨的問題，因?yàn)樵瓘S會(huì)優(yōu)先供貨給服務(wù)器的SSD市場，以及手機(jī)市場的需求，預(yù)計(jì)2017年智能型手機(jī)出貨將達(dá)15億臺(tái)，且用戶對128GB需求較高，蘋果新iPhone最高容量可能再翻倍，預(yù)計(jì)部分市場供貨緊張將持續(xù)到年底。