單片機(jī)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)陣161 文章進(jìn)入單片機(jī)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)陣161技術(shù)社區(qū)

臺(tái)積電高雄廠已完成2nm營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)建設(shè)，未來或切入1.4nm

據(jù)中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電高雄廠正式編定為臺(tái)積22廠（Fab 22），并且完成該廠2nm營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)建設(shè)。臺(tái)積電供應(yīng)鏈認(rèn)為，臺(tái)積電或許可能將高達(dá)逾7000億新臺(tái)幣的1.4nm投資計(jì)劃轉(zhuǎn)向高雄，但仍視其他縣市爭(zhēng)取臺(tái)積電進(jìn)駐態(tài)度及臺(tái)積電全盤規(guī)劃而定。報(bào)道指出，臺(tái)積電打破在不同產(chǎn)區(qū)同時(shí)生產(chǎn)最先進(jìn)制程的慣例，將高雄廠原計(jì)劃切入28納米及7納米的規(guī)劃，改為直接切入2納米。同時(shí)在新竹寶山興建2納米第一期工廠之際，也立刻于高雄第一期工廠作為生產(chǎn)2納米制程。此前據(jù)TechNews消息，臺(tái)積電在北部（新竹寶山）、中部（臺(tái)中
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 2nm 1.4nm

芯科科技為新發(fā)布的Matter 1.2版本提供全面開發(fā)支持

Silicon Labs（亦稱“芯科科技”）接續(xù)著連接標(biāo)準(zhǔn)聯(lián)盟（CSA，Connectivity Standards Alliance）宣布其全面支持最新發(fā)布的Matter 1.2標(biāo)準(zhǔn)。Matter 1.2版本是該協(xié)議自2022年秋季發(fā)布以來的第二次更新。基于一年進(jìn)行兩次更新的步調(diào)，可以幫助開發(fā)者引入新的設(shè)備類型，將Matter擴(kuò)展到新的市場(chǎng)，同時(shí)可帶來互操作性和用戶體驗(yàn)提升方面的其他改進(jìn)。Matter協(xié)議旨在利用Wi-Fi和Thread等現(xiàn)有的IP網(wǎng)絡(luò)技術(shù)來實(shí)現(xiàn)智能家居設(shè)備的互聯(lián)互通，以建立一種新的開放
關(guān)鍵字：芯科 Matter 1.2

使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝

●? ?介紹隨著技術(shù)推進(jìn)到1.5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，后段器件集成將會(huì)遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強(qiáng)化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實(shí)現(xiàn)具有挑戰(zhàn)性的制造工藝，需要進(jìn)行工藝調(diào)整。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，我們嘗試在1.5nm節(jié)點(diǎn)后段自對(duì)準(zhǔn)圖形化中使用半大馬士革方法。我們?cè)趇mec生產(chǎn)了一組新的后段器件集成掩膜版，以對(duì)單大馬士革和雙大馬士革進(jìn)行電性評(píng)估。新掩膜版的金屬間距分別為14nm、16nm、18nm、20nm和22nm，前兩類是1.5nm節(jié)點(diǎn)后段的最小目標(biāo)金屬間距
關(guān)鍵字：半大馬士革后段器件集成 1.5nm SEMulator3D

蘋果承認(rèn)部分 iPhone 15 機(jī)型存在燒屏問題，iOS 17.1 將修復(fù)

10 月 18 日消息，蘋果公司今天發(fā)布了 iOS 17.1 RC 版本更新，特別針對(duì)蘋果 iPhone 15、iPhone 15 Pro 系列機(jī)型，修復(fù)了“可能導(dǎo)致圖像殘留”的問題。蘋果自推出 iPhone 15 手機(jī)以來，陸續(xù)有用戶反饋稱新款機(jī)型出現(xiàn)嚴(yán)重?zé)羻栴}。有人猜測(cè)這可能是 OLED 顯示屏的硬件問題，現(xiàn)在蘋果通過軟件方式修復(fù)了燒屏問題。雖然大多數(shù)顯示問題的報(bào)告來自“iPhone 15”用戶，但也有一些使用 iPhone 13 Pro 和 iPhone 12 Pro 設(shè)備的用戶看到了類似的問題，
關(guān)鍵字：蘋果 iPhone 15 iOS 17.1 燒屏

大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于onsemi產(chǎn)品的PD3.1電源適配器方案

致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1680、NCP13994、NCP4306和FAN65004芯片的PD3.1電源適配器方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi產(chǎn)品的PD3.1電源適配器方案的展示板圖隨著USB PD3.1協(xié)議的頒布，快充技術(shù)也迎來了新的時(shí)代。相比于之前主流的PD3.0標(biāo)準(zhǔn)，PD3.1標(biāo)準(zhǔn)不僅新增28V、36V、48V三種拓展輸出電壓，還將最大輸出功率由100W提升至240W，這突破了現(xiàn)有的大功率使用場(chǎng)景，
關(guān)鍵字：大聯(lián)大友尚 onsemi PD3.1 電源適配器

英特爾介紹酷睿 Ultra 第 1 代核顯：每瓦性能翻倍

9 月 20 日消息，在今天舉辦的英特爾 ON 技術(shù)創(chuàng)新峰會(huì)上，英特爾介紹了酷睿 Ultra 第 1 代（代號(hào)：Meteor Lake）的核顯升級(jí)。據(jù)介紹，英特爾全新的核顯從 Xe LP 升級(jí)到 Xe LPG，相較于上一代的 Iris Xe 核顯每瓦性能翻倍。此外，新一代核顯有更高的頻率，同等電壓下的頻率直接可以沖擊到 2GHz 以上。新核顯還針對(duì) DX12U 進(jìn)行了優(yōu)化，支持倍幀功能，支持新特性“Out of Order Sampling”。此外，英特爾還推出了全新的 Xe 媒體引擎，支持最
關(guān)鍵字：英特爾酷睿 Ultra 第 1 代核顯

貿(mào)澤開售適合LTE IoT 應(yīng)用的Digi XBee 3全球GNSS LTE CAT 1開發(fā)套件

提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨Digi XBee? 3全球GNSS LTE CAT 1開發(fā)套件。該套件預(yù)裝了三個(gè)月的蜂窩數(shù)據(jù)服務(wù)，已提前激活并可隨時(shí)使用。利用Digi XBee? 3全球LTE Cat 1嵌入式調(diào)制解調(diào)器，設(shè)計(jì)師可以省去耗時(shí)、昂貴的FCC和運(yùn)營(yíng)商終端設(shè)備認(rèn)證過程，將先進(jìn)的LTE蜂窩連接快速集成到其設(shè)備和應(yīng)用中。通過貿(mào)澤供應(yīng)的Digi XBee 3全球GNSS LTE CAT 1開發(fā)套件，用戶
關(guān)鍵字：貿(mào)澤 LTE IoT GNSS LTE CAT 1

Bourns推出高壓二電極氣體放電管(GDT) 符合IEC 62368-1設(shè)備和電子線保護(hù)

2023年8月14日 - 美國(guó)柏恩 Bourns 全球知名電源、保護(hù)和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，正式推出其新一代氣體放電管 (GDT) 產(chǎn)品線的最新成員，引入了高電壓雙極過壓保護(hù)器家族。Bourns? GDT28H 系列產(chǎn)品旨在滿足當(dāng)今通用工業(yè)用電力設(shè)備的保護(hù)需求，同時(shí)也應(yīng)對(duì)不斷增長(zhǎng)的能源需求電氣化解決方案的迫切需求，完全滿足消費(fèi)者和商業(yè)用途。隨著市面上眾多的電氣和電子設(shè)備均要求符合 IEC 62368-1 等電氣安全標(biāo)準(zhǔn)，GDT28H 系列的顯著優(yōu)勢(shì)之一在于其適用于交流電隔離解決方案。這需要通
關(guān)鍵字： Bourns 氣體放電管 GDT IEC 62368-1 電力線保護(hù)

如何將1-Wire主機(jī)復(fù)用到多個(gè)通道

摘要具有許多1-Wire節(jié)點(diǎn)的1-Wire?網(wǎng)絡(luò)可能需要專用1-Wire通道。本文討論了一種在網(wǎng)絡(luò)中只使用一個(gè)1-Wire主機(jī)而擁有多個(gè)1-Wire通道的方法。?簡(jiǎn)介1-Wire網(wǎng)絡(luò)最初設(shè)計(jì)用于與單條1-Wire總線上的單個(gè)1-Wire主機(jī)和多個(gè)1-Wire節(jié)點(diǎn)進(jìn)行通信。對(duì)于1-Wire網(wǎng)絡(luò)，理想的拓?fù)涫前恢匾种Ь€的線性拓?fù)?。然而，包含長(zhǎng)分支線的星形拓?fù)涑３Ｊ遣豢杀苊獾模瑢?dǎo)致確定有效限制的難度加大。解決這些難題的一種方法是利用模擬多路復(fù)用器(mux)將星形拓?fù)浞纸獬稍S多通道。使用多個(gè)通道的
關(guān)鍵字： 1-Wire主機(jī) ADI

基于FPGA的8K分屏器設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)了一款8k分屏器，主控采用FPGA芯片，支持一路HDMI2.1、8k、60 Hz信號(hào)輸入；支持4路HDMI2.0、4k、60 Hz信號(hào)輸出；分屏器支持將輸入的8k信號(hào)進(jìn)行“田”字型切片處理，輸出4路4k信號(hào)，這4路4K信號(hào)的畫面拼接起來就是1幅完整的8k畫面。
關(guān)鍵字： 202307 8K分屏器 1進(jìn)4出 HDMI2.1

三星宣布開始量產(chǎn)其功耗最低的車載UFS 3.1存儲(chǔ)器解決方案

今日，三星電子宣布，已開始量產(chǎn)為車載信息娛樂系統(tǒng)（IVI）優(yōu)化的全新車載UFS 3.1存儲(chǔ)器解決方案。該解決方案擁有三星車載存儲(chǔ)器最低的功耗，可助力汽車制造商為消費(fèi)者打造優(yōu)秀的出行體驗(yàn)。為滿足客戶的不同需求，三星的UFS 3.1（通用閃存）將推出128、256和512千兆字節(jié)（GB）三種容量。在未來的汽車（電動(dòng)汽車或自動(dòng)駕駛汽車）應(yīng)用中，增強(qiáng)的產(chǎn)品陣容能夠更有效地管理電池壽命。其中，256GB容量的產(chǎn)品，功耗較上一代產(chǎn)品降低了約33%，還提供了每秒700兆字節(jié)(MB/s)的順序?qū)懭胨俣群?000MB/
關(guān)鍵字：三星車載UFS 3.1 存儲(chǔ)器

凌陽(yáng)與WiSA Technologies實(shí)現(xiàn)高達(dá)7.1.4的Atmos條形音箱應(yīng)用

美國(guó)俄勒岡州比弗頓市 — 2023年6月15日 — 為智能設(shè)備和下一代家庭娛樂系統(tǒng)提供沉浸式無線聲效技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商WiSA Technologies股份有限公司（NASDAQ股票代碼：WISA），與領(lǐng)先的多媒體和汽車應(yīng)用芯片供應(yīng)商凌陽(yáng)科技（Sunplus Technology Co., Ltd，TWSE股票代碼: 2401）聯(lián)合宣布，雙方將攜手面向Atmos條形音箱市場(chǎng)推出多聲道沉浸式音頻系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）?！拔覀兎浅８吲d與WiSA Technologies攜手
關(guān)鍵字：凌陽(yáng) WiSA Technologies 7.1.4 Atmos 條形音箱

高能效、小外形的240W USB PD3.1 EPR適配器的參考設(shè)計(jì)

更大容量電池需具備相同或更快充電時(shí)間的趨勢(shì)正在加速USB-C PD采用更大的功率及更高的輸出電壓， USB PD組織發(fā)布了最新的USB PD3.1 EPR規(guī)范，使得最大的輸出達(dá)到48V 5A, 240W的功率。在設(shè)計(jì)USB PD適配器和充電器時(shí)，要滿足COC V5 Tier2 等最新的能效標(biāo)準(zhǔn)，并考慮小型化設(shè)計(jì)以配合移動(dòng)便攜式設(shè)備等輕薄短小但功能豐富多樣的趨勢(shì)。安森美(onsemi)最新推出的240 W圖騰柱PFC配合最新的高頻準(zhǔn)諧振 (QR)控制器所構(gòu)成的雙管反激變換器 USB PD3.1 EPR適配器
關(guān)鍵字： USB PD3.1 EPR 適配器安森美

Flex Power Modules將1/4磚型DC/DC轉(zhuǎn)換器的額定功率提升至1600W（連續(xù)）、2320W（峰值）

Flex Power Modules，其1/4磚非隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器系列引入了一款新產(chǎn)品，可將功率密度提升至新的水平。這款BMR351具有40-60 V的輸入電壓范圍，并提供標(biāo)稱值為12.2 V的非隔離但完全穩(wěn)壓的輸出電壓。其額定輸出電流為連續(xù)136 A（最大1600 W），并可在長(zhǎng)達(dá)500 ms下輸出峰值電流200 A（最大2320 W）。該轉(zhuǎn)換器擁有極高的效率水平，峰值超過 98%，在54 Vin和半負(fù)載下的典型值為97.8%。BMR351轉(zhuǎn)換器使用下垂負(fù)載并聯(lián)技術(shù)以獲取更高功率，它還包含一個(gè)用于
關(guān)鍵字： Flex Power Modules 1/4磚型 DC/DC轉(zhuǎn)換器

開始1-γ芯片制程開發(fā)？美光日本廠擬引入ASML光刻機(jī)

知情人士稱，美國(guó)美光科技公司準(zhǔn)備在日本廣島的工廠安裝荷蘭ASML公司的先進(jìn)芯片制造設(shè)備EUV（極紫外光刻機(jī)），以制造下一代存儲(chǔ)芯片（DRAM）。而其也將獲得日本政府提供的約2000億日元（15億美元）的補(bǔ)貼。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大臣西村康稔之后證實(shí)了美光在日的進(jìn)一步投資。他指出，日本政府正與臺(tái)積電討論擴(kuò)大在日投資的可能性，美光也有意在廣島開始大規(guī)模生產(chǎn)先進(jìn)存儲(chǔ)芯片。今日（周四），日本首相岸田文雄會(huì)見了美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在內(nèi)的芯片高管代表團(tuán)，而有關(guān)芯片的詳細(xì)計(jì)劃可能在之后陸續(xù)宣布。自201
關(guān)鍵字： 1-γ 芯片制程美光 ASML 光刻機(jī)

共436條 3/30 « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

單片機(jī)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)陣16*1介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條單片機(jī)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)陣16*1!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)單片機(jī)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)陣16*1的理解，并與今后在此搜索單片機(jī)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)陣16*1的朋友們分享。創(chuàng)建詞條