存儲器文章進(jìn)入存儲器技術(shù)社區(qū)

NAND Flash下半年將出現(xiàn)供不應(yīng)求現(xiàn)象

　　根據(jù)內(nèi)存市場研究公司集邦科技(DRAMeXchang)所發(fā)表的最新報(bào)告，七月上旬NAND Flash合約價(jià)出爐；SLC市場供給吃緊、合約價(jià)大漲，平均漲幅約15%~30%。而根據(jù)集邦的研究數(shù)據(jù)來觀察，整體NAND Flash需求將在本季超過供給，下半年NAND Flash產(chǎn)出將供不應(yīng)求。　　在MLC部分，集邦表示，因供貨商持續(xù)將產(chǎn)能轉(zhuǎn)往8Gb以上的產(chǎn)品，另外加上iPhone題材所帶來的預(yù)期心理，4Gb產(chǎn)出日益降低而大漲30%，高容量MLC也順勢漲了
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SanDisk成為NAND閃存缺貨潮大贏家

NAND閃存產(chǎn)業(yè)風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)，變化相當(dāng)快速，原本第一季度頭號存儲卡廠商SanDisk還被第二名的金士頓（Kingston）苦苦追趕，飽受價(jià)格大跌之苦，然經(jīng)過這一波缺貨潮的洗禮之后，SanDisk成為了閃存存儲卡產(chǎn)業(yè)中的最大贏家。從上游NAND閃存晶圓，到終端成品制造一條鞭掌握的模式，在缺貨時(shí)期的優(yōu)勢發(fā)揮淋漓盡致。 SanDisk2007年第一季度受到NAND閃存價(jià)格大跌、終端需求疲弱不振的影響，財(cái)報(bào)出現(xiàn)了赤字，SanDisk在2007年第一季度凈虧損57.5萬美元，每股剛好損益平衡，第二季度受到了NAND閃
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相變內(nèi)存成為研發(fā)熱點(diǎn) 趕超F(xiàn)eRAM與MRAM

　　相變內(nèi)存(Phase Change Memory，PCM)是近年來內(nèi)存業(yè)界熱門研發(fā)主題之一，針對此一新式內(nèi)存技術(shù)發(fā)展趨勢與廠商專利現(xiàn)況，工研院IEK-ITIS計(jì)劃發(fā)表最新研究報(bào)告指出，臺灣地區(qū)已有不少廠商投入該技術(shù)的研發(fā)，相較于FeRAM與MRAM，在PCM領(lǐng)域發(fā)展機(jī)會較大。　　工研院IEK-ITIS計(jì)劃分析師陳俊儒表示，相變化材料在1970年代開始有重量級的公司投入研究資源，但受限于當(dāng)時(shí)半導(dǎo)體工藝技術(shù)，相變化材料在2000年以前的商業(yè)應(yīng)用還是以光盤片為主
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FRAM存儲器加入DSP基礎(chǔ)的數(shù)字式汽車音頻系統(tǒng)中

Ramtron International Corporation宣布，韓國的Daesung-Eltec公司已將FRAM存儲器設(shè)計(jì)于其以數(shù)字信號處理 (DSP) 為基礎(chǔ)的汽車音頻平臺中。Daesung-Eltec選擇了64kb連2-wire串行接口的FRAM器件 -- FM24C64，以實(shí)現(xiàn)精密的存儲器功能如存儲音頻、頻道和喜愛的歌手/歌曲設(shè)置，以及恢復(fù)播放和喜愛的演員/歌曲提示功能。FRAM的非易失性、No Delay™&
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受三星停電事件影響 NAND價(jià)格上漲15-25%

根據(jù)集邦科技資料，8月上旬NAND型閃存價(jià)格受韓國三星停電事件影響，平均上漲約15-25%。集邦分析師指出，由于短期內(nèi)旬NAND型閃存市場供貨不足，預(yù)估8月下旬價(jià)格將持平或小漲。據(jù)港臺媒體報(bào)道，三星半導(dǎo)體廠區(qū)在8月3日下午發(fā)生停電事件，使得該公司的6、7、8、9以及14廠的生產(chǎn)均受到停電中斷的影響，但三星已宣布于8月4日下午恢復(fù)到正常生產(chǎn)狀況，根據(jù)該公司初步估計(jì)損失約4300萬美元。 &
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Spansion NOR閃存完成在聯(lián)發(fā)科參考設(shè)計(jì)平臺上預(yù)先驗(yàn)證

北京，2007年8月7日——全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（NASDAQ:SPSN）今天宣布，其MirrorBit® NOR閃存已完成在MediaTek主流手機(jī)參考設(shè)計(jì)平臺上的預(yù)先驗(yàn)證。MediaTek總部位于臺灣，是全球前十大提供無線通信和數(shù)字媒體解決方案的半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)公司之一。在MediaTek參考設(shè)計(jì)平臺上完成對Spansion閃存解決方案的預(yù)先驗(yàn)證，將使生產(chǎn)商能夠?qū)⒕哂谐杀拘实母咝阅苁謾C(jī)更快地推向中國及其它高速增長市場。在未來幾年內(nèi)，中國將成為推動新型手機(jī)發(fā)
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iSuppli：金士頓居全球DRAM供應(yīng)商排行之首

　　7月26日消息，據(jù)最新一份市場調(diào)查報(bào)告，如果按照公司營收標(biāo)準(zhǔn)計(jì)算，內(nèi)存制造商金士頓在全球記憶體模組（DRam）供應(yīng)商排行榜上名列第一。　　據(jù)vnunet報(bào)道，此份調(diào)查報(bào)告由iSuppli提供，憑借產(chǎn)品利潤率方面的優(yōu)勢，在2006年中金士頓公司創(chuàng)造了DRam產(chǎn)品總銷量22億美元的新紀(jì)錄，幾乎比前一年提高了8億美元。按照該數(shù)字計(jì)算，金士頓公司在全球市場的占有率攀升到了18.1％，幾乎是市場第二名Smart Modular科技公司的三倍之多，后者只有可憐的5.5％。“能夠成為iSuppli排行榜上的第
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個(gè)人存儲市場火爆年均增長幅度將超過20%

　　7月25日消息，市場調(diào)研廠商IDC估計(jì)，在2006-2011年間，個(gè)人存儲市場的年均復(fù)合增長率將超過20%。　　據(jù)國外媒體報(bào)道，2006年個(gè)人存儲市場增長了近70%，截止到目前，2007年增長速度為30%。越來越多的廠商都瞄上了這一快速增長的市場。分析認(rèn)為，小型企業(yè)和消費(fèi)者的數(shù)據(jù)保護(hù)和備份需求推動了這一市場的增長。　　IDC負(fù)責(zé)移動存儲業(yè)務(wù)的調(diào)研主管沃爾夫?qū)硎荆瑐€(gè)人存儲是一種快速增長的產(chǎn)品，已經(jīng)成為許多存儲廠商產(chǎn)品線中的重要部分。個(gè)人存儲供應(yīng)商的機(jī)會在于簡單、安全、有效的解決方案。企業(yè)存
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存儲廠清貨 MP3價(jià)格將受影響

　　市場研究公司iSuppli近日發(fā)表報(bào)告稱，今年以來境況一直不佳的內(nèi)存芯片制造商們短期內(nèi)會見到一絲希望的曙光。內(nèi)存芯片(DRAM)價(jià)格在七月上半個(gè)月里終于停止了漫長的下滑。不過，這種價(jià)格停滯不前狀況很可能只是短暫的，原因是內(nèi)存芯片商們倉庫中仍然有大量的庫存有待清貨。　　iSupply公司的首席分析師Nam Hyung Kim指出，由于三星和海力士半導(dǎo)體等廠商最終還需要清理庫存以獲得額外收入，所以內(nèi)存芯片的價(jià)格很可能會再次下降。為此，Nam Hyung Kim將短期內(nèi)的內(nèi)存芯片市場評級從“負(fù)面”提高
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Altera實(shí)現(xiàn)對新的JEDEC DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)的支持

　　Altera宣布，在FPGA業(yè)界實(shí)現(xiàn)了對高性能DDR3存儲器接口的全面支持。在最近通過的JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)下，Altera Stratix® III系列FPGA可以幫助設(shè)計(jì)人員充分發(fā)揮DDR3存儲器的高性能和低功耗優(yōu)勢，這類存儲器在通信、計(jì)算機(jī)和視頻處理等多種應(yīng)用中越來越關(guān)鍵。　　這些應(yīng)用處理大量的數(shù)據(jù)，需要對高性能存儲器進(jìn)行快速高效的訪問。符合JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)可滿足DDR3存儲器的1.5V低功耗電壓供電要求，在下一
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iSuppli提升近期內(nèi)存市場條件評測等級

　　北京時(shí)間7月19日硅谷動力從國外媒體處獲悉：市場研究機(jī)構(gòu)iSuppli在內(nèi)存市場有增長跡象和貫穿2007年的內(nèi)存價(jià)格下滑結(jié)束的情況下，將近期DRAM內(nèi)存供應(yīng)商面臨市場條件等級由消極提升到中性，同時(shí)對NAND閃存的市場條件等級做了同樣的調(diào)整。　　iSuppli在今年一月中旬把DRAM內(nèi)存市場的條件等級降為消極，當(dāng)時(shí)DRAM內(nèi)存市場正處在嚴(yán)重低迷的狀態(tài)，到六月底DRAM內(nèi)存的價(jià)格下滑超過了70%。但是，iSuppli預(yù)期市場在6月底將跌到底部，7月上半月隨著內(nèi)存原始制造商DRAM內(nèi)存價(jià)格的上漲，內(nèi)存
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DRAM芯片價(jià)格終結(jié)下滑趨勢內(nèi)存廠現(xiàn)曙光

　　7月18國際報(bào)道本周二發(fā)布的一份報(bào)告顯示，隨著DRAM芯片價(jià)格在7月前半月結(jié)束長期以來的下滑趨勢，內(nèi)存芯片廠商在不無的將來或許能夠看到一絲曙光。　　iSuppli在這份報(bào)告中表示，由于內(nèi)存芯片廠商的庫存仍然過高，價(jià)格下跌趨勢的停止可能是短暫的。　　iSuppli分析師Nam Hyung Kim說，由于三星、Hynix Semiconductor等廠商會試圖甩賣這些庫存，內(nèi)存芯片價(jià)格可能會再次下跌。　　不斷下跌的DRAM芯片價(jià)格有助于PC、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品價(jià)格的降低，但
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三星利潤創(chuàng)4年新低 DRAM芯片價(jià)下跌

　　7月15國際報(bào)道由于計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片價(jià)格的下跌使得平板面板業(yè)務(wù)的改進(jìn)黯然失色，第二季度三星的利潤創(chuàng)下了4年來的新低。　　但三星下半年的前景要好得多，DDAM內(nèi)存業(yè)務(wù)將因季節(jié)性需求而轉(zhuǎn)強(qiáng)，手機(jī)和平板電視的銷售也將相當(dāng)強(qiáng)勁。　　Dongbu Securities分析師Lee Min-hee說，第三季度的業(yè)績會全面好轉(zhuǎn)，液晶業(yè)務(wù)部門的業(yè)績會進(jìn)一步增長，手機(jī)利潤率將達(dá)到進(jìn)一步提高。第三季度DRAM業(yè)務(wù)的業(yè)績也將好于第二季度。　　第二季度三星的凈利潤為1.42萬億韓元(合15.5億美元)，較上年同期
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粵港海關(guān)嚴(yán)打效應(yīng)持續(xù) 內(nèi)地內(nèi)存價(jià)大漲65%

僅僅一個(gè)多月，在全國內(nèi)存市場占80%的1GB DDR2-667內(nèi)存條的價(jià)格就從最低價(jià)的200元左右漲到330元以上，漲幅高達(dá)65%。　　昨日，《第一財(cái)經(jīng)日報(bào)》從深圳內(nèi)存廠家獲悉，引發(fā)此次內(nèi)存價(jià)格狂飆的主要原因是深圳的某兩家渠道商的走私貨物被深圳海關(guān)扣押，被扣押的貨物以內(nèi)存條為主，總值達(dá)1億元之巨。　　“這股嚴(yán)打風(fēng)潮不知道什么時(shí)候能過去。”深圳內(nèi)存廠家負(fù)責(zé)人黃偉(化名)透露，現(xiàn)在內(nèi)地內(nèi)存經(jīng)銷商已基本停止大宗走私行為，目前市場上所銷售的產(chǎn)品基本都是之前的庫存
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數(shù)據(jù)中心高能耗存儲市場迎來“綠色”商機(jī)

根據(jù)計(jì)世資訊的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，即使不包括集成設(shè)施的投入，2006年國內(nèi)數(shù)據(jù)中心IT投入超過103億元。2007年將超過2006年達(dá)到124億。數(shù)據(jù)中心正進(jìn)入發(fā)展的黃金時(shí)期。而這也正是問題的所在，數(shù)據(jù)中心的高增長意味著高能耗。根據(jù)斯坦福大學(xué)的一項(xiàng)研究，全球數(shù)據(jù)中心的能耗在2000至2005年間翻了一番，到2010年將再增75%。該研究以部署在美國的服務(wù)器和冷卻系統(tǒng)為例，該系統(tǒng)在2005年消耗450億千瓦時(shí)的電力，電費(fèi)為27億美元。而當(dāng)年全球服務(wù)器的能耗達(dá)到1230億千瓦時(shí)，電費(fèi)支出約為7
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]