存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

賽普拉斯公司與InPhase Technologies公司合作開(kāi)發(fā)全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器

賽普拉斯半導(dǎo)體公司宣布，該公司正在與全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的全球領(lǐng)先者InPhase Technologies公司合作，為InPhase的Tapestry™全息數(shù)據(jù)貯存系統(tǒng)供應(yīng)CMOS圖像傳感器解決方案。賽普拉斯和InPhase自2005年以來(lái)一直在合作開(kāi)發(fā)一種超靈敏和超高速的CMOS圖像傳感器，以滿足InPhase的Tapestry驅(qū)動(dòng)器所記錄數(shù)據(jù)的高速讀取要求。這款賽普拉斯的C
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6月連續(xù)下滑后 DRAM也將揚(yáng)眉吐氣

從國(guó)外媒體處獲悉：在看到6月DRAM和約價(jià)格連續(xù)下滑的終結(jié)后，業(yè)內(nèi)商家對(duì)近期內(nèi)存價(jià)格的上漲趨勢(shì)表示樂(lè)觀，原因是PC OEM制造商正在積極地力推更高的內(nèi)存容量。　　內(nèi)存交易企業(yè)DRAMeXchange看到，那些在季節(jié)上漲前不斷調(diào)高庫(kù)存的PC OEM制造商將逐步刺激需求。該機(jī)構(gòu)估計(jì)，7月DRAM內(nèi)存的平均銷(xiāo)售價(jià)格將在持續(xù)上漲基礎(chǔ)上至少增加10%。　　包括戴爾和惠普在內(nèi)的這類PC OEM制造商也在為價(jià)格上漲趨勢(shì)增磚填土。有消息來(lái)源稱，在第三和第四季度中，
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奇夢(mèng)達(dá)推出四列8GB DDR2全緩沖雙線內(nèi)存模組

奇夢(mèng)達(dá)公司近日宣布推出業(yè)界首款四列8GB DDR2全緩沖雙線內(nèi)存模組（FB-DIMM），該模組技術(shù)是推動(dòng)下一代多核服務(wù)器性能的重要技術(shù)，同時(shí)還可降低服務(wù)器的功耗。這些領(lǐng)先的FB-DIMM模組進(jìn)一步壯大了奇夢(mèng)達(dá)本已非常廣博的產(chǎn)品陣容，可更好地滿足服務(wù)器和高性能計(jì)算機(jī)工作站應(yīng)用日益增長(zhǎng)的要求。奇夢(mèng)達(dá)的新款FB-DIMM模組的速率最快可達(dá)800 MHz。800 MHz模組將提高今年晚些時(shí)候面市的下
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賽普拉斯與InPhase Technologies合作開(kāi)發(fā)全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，該公司正在與全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的全球領(lǐng)先者InPhase Technologies公司合作，為InPhase的Tapestry™全息數(shù)據(jù)貯存系統(tǒng)供應(yīng)CMOS圖像傳感器解決方案。　　賽普拉斯和InPhase自2005年以來(lái)一直在合作開(kāi)發(fā)一種超靈敏和超高速的CMOS圖像傳感器，以滿足InPhase的Tapestry驅(qū)動(dòng)器所記錄數(shù)據(jù)的高速讀取要求。這款賽普拉斯的CMOS圖像傳感器包含了一個(gè)數(shù)字接口，共有1696 X 1710個(gè)像素，像素間距8微米的。這款圖像傳感器
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Keil C動(dòng)態(tài)內(nèi)存管理機(jī)制分析及改進(jìn)

　Keil C是常用的嵌入式系統(tǒng)編程工具，它通過(guò)init_mempool、mallloe、free等函數(shù)，提供了動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)管理等功能。本文通過(guò)對(duì)init_mempool、mallloe和free這3個(gè)KeilC庫(kù)函數(shù)源代碼的分析，揭示其實(shí)現(xiàn)的原理和方法，并對(duì)其中的不足作了改進(jìn)，以使Keil C編程人員更好地應(yīng)用動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)管理。　　1 相關(guān)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、變量及說(shuō)明　　在Keil C安裝目錄下的＼c5l＼lib目錄下，有實(shí)現(xiàn)init_mempool、mallloe和free這3個(gè)函數(shù)的C源文件init_me
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RadioFrame獲授權(quán)采用CEVA-X DSP內(nèi)核及子系統(tǒng)無(wú)線基站

CEVA宣布授權(quán)RadioFrame Networks公司使用CEVA-X1620 DSP 內(nèi)核和 CEVA-XS1200 子系統(tǒng)來(lái)開(kāi)發(fā)其下一代毫微微蜂窩式 (femtocell) 基站。RadioFrame Networks是移動(dòng)和無(wú)線市場(chǎng)以IP為基礎(chǔ)的微微蜂窩式 (picocell) 和毫微微蜂窩式解決方案的領(lǐng)先廠商。　　毫微微蜂窩式基站的部署可以提高
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ConnectX：新型服務(wù)器和存儲(chǔ)應(yīng)用適配卡架構(gòu)

隨著實(shí)際應(yīng)用對(duì)性能要求的不斷提高，越來(lái)越多的集群服務(wù)器采用了多核處理器。連接這些服務(wù)器并使它們的性能得到最大提升的需求,使傳統(tǒng)的I/O連通技術(shù)面臨巨大的挑戰(zhàn)。當(dāng)前的解決方案一般包含多種互連技術(shù)及針對(duì)數(shù)據(jù)庫(kù)、存儲(chǔ)、管理應(yīng)用的軟件，但這些傳統(tǒng)的解決方案并不適用于將來(lái)的服務(wù)器和存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)。Mellanox公司的ConnectX架構(gòu)沿用了Infiniband技術(shù)，并在當(dāng)中集成了以太網(wǎng)技術(shù)。它的以太網(wǎng)性能符合IEEE工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，兼容早期的集群、計(jì)算、存儲(chǔ)和網(wǎng)絡(luò)接口應(yīng)用。目前，在國(guó)內(nèi)由石竹科技代理其產(chǎn)品。ConnectX
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KLA-Tencor發(fā)布最新存儲(chǔ)和邏輯器件明場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)

KLA-Tencor推出 28xx 明場(chǎng)檢測(cè)平臺(tái)的最新成員 2810 和 2815。通過(guò)特殊的光學(xué)配置，它們能有效地應(yīng)對(duì)亞 55 納米存儲(chǔ)器件和亞 45 納米邏輯器件生產(chǎn)中所面臨的獨(dú)特缺陷檢測(cè)挑戰(zhàn)。無(wú)論是適合存儲(chǔ)器件缺陷檢測(cè)的 2810 系統(tǒng)，還是適合邏輯器件檢測(cè)的 2815 系統(tǒng)，都依靠 KLA-Tencor 業(yè)界領(lǐng)先的全光譜光源技術(shù)以捕獲最廣泛的缺陷類型
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QuickLogic利用閃存卡主控制器擴(kuò)展存儲(chǔ)解決方案產(chǎn)品線

QuickLogic® 公司為其針對(duì)移動(dòng)設(shè)備的集成可編程連接解決方案再添新產(chǎn)品。該公司發(fā)布完整的閃存卡(Compact Flash) 主控制器，將使設(shè)計(jì)人員可以簡(jiǎn)單采用這一通用存儲(chǔ)技術(shù)。閃存卡于1994 年首次發(fā)表，最初是作為閃存數(shù)據(jù)卡存儲(chǔ)接口推出的。隨著時(shí)間的推移，它已得到了加強(qiáng)，可以支持微型硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，以及諸如Wi-Fi、全球定位系統(tǒng)（GPS）和掃描儀模塊等外圍設(shè)備。雖然安全數(shù)字(SD)卡因其更簡(jiǎn)單的接口而獲得了廣泛采用，但是閃存卡仍然是企業(yè)PDA、便
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瑞薩松下開(kāi)發(fā)45nm傳統(tǒng)CMOS片上SRAM技術(shù)

　　瑞薩科技公司與松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司宣布共同開(kāi)發(fā)出一種可以使45nm工藝傳統(tǒng)CMOS*1的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）穩(wěn)定工作的技術(shù)，這種SRAM可以嵌入在SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）器件和微處理器（MPU）當(dāng)中。采用這種技術(shù)的512Kb SRAM的實(shí)驗(yàn)芯片的測(cè)試已經(jīng)得到證實(shí)，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩(wěn)定工作，而且在工藝發(fā)生變化時(shí)具有較大的工作電壓范圍裕量。采用45nm CMOS工藝生產(chǎn)的用于實(shí)驗(yàn)的SRAM芯片集成了兩種不同的存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)，一個(gè)
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Intel突破 65nm 70MbitSRAM制造成功

日前，Intel宣布，他們采用最新的65納米工藝制造SRAM（靜態(tài)存儲(chǔ)器）取得了突破，他們成功的用65nm的工藝制造出了70Mbit的大容量靜態(tài)存儲(chǔ)器。　　靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）主要用作高速的存儲(chǔ)設(shè)備，例如處理器內(nèi)部的高速緩存等存儲(chǔ)設(shè)備。　　05年11月，Intel首次宣布65nm制造工藝的時(shí)候就曾宣布成功制造了4Mbit的SRAM，現(xiàn)在能夠生產(chǎn)出70Mbit的SRAM將有助于將來(lái)處理器的制造。
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NOR標(biāo)準(zhǔn)化能否延續(xù)手機(jī)存儲(chǔ)器老大地位

市場(chǎng)調(diào)研表明，NOR閃存仍是手機(jī)存儲(chǔ)器的老大，它目前可以滿足95%以上手機(jī)存儲(chǔ)容量需求。但NOR閃存一直沒(méi)有標(biāo)準(zhǔn)化，給手機(jī)制造商帶來(lái)研發(fā)時(shí)間長(zhǎng)、沒(méi)有第二供貨源等難題。近日，Intel和ST共同宣布，兩家公司針對(duì)手機(jī)存儲(chǔ)子系統(tǒng)，制定了NOR閃存規(guī)范，并將針對(duì)手機(jī)市場(chǎng)各自獨(dú)立設(shè)計(jì)、制造軟硬件兼容的NOR閃存產(chǎn)品，這一舉措能否去除NOR的軟肋，使它延續(xù)在手機(jī)制造商處的熱度？手機(jī)對(duì)存儲(chǔ)器依賴性增加今天，市場(chǎng)上的手機(jī)已經(jīng)成為流
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嵌入式存儲(chǔ)器面面觀

模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個(gè)大規(guī)模的芯片上，形成所謂的SoC（片上系統(tǒng)）。作為SoC重要組成部分的嵌入式存儲(chǔ)器，在SoC中所占的比重（面積）將逐漸增大。到2010 年，約90%的硅片面積都將被具有不同功能的存儲(chǔ)器所占據(jù)。另一方面，微處理器的速度以每年60%遞增，但主存的速度每年僅增長(zhǎng)10%左右。二者之間的性能差異越來(lái)越大。計(jì)算機(jī)
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KLA-Tencor 發(fā)布最新存儲(chǔ)和邏輯器件明場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)

　　KLA-Tencor 推出 28xx 明場(chǎng)檢測(cè)平臺(tái)的最新成員 2810 和 2815。通過(guò)特殊的光學(xué)配置，它們能有效地應(yīng)對(duì)亞 55 納米存儲(chǔ)器件和亞 45 納米邏輯器件生產(chǎn)中所面臨的獨(dú)特缺陷檢測(cè)挑戰(zhàn)。無(wú)論是適合存儲(chǔ)器件缺陷檢測(cè)的 2810 系統(tǒng)，還是適合邏輯器件檢測(cè)的 2815 系統(tǒng)，都依靠 KLA-Tencor 業(yè)界領(lǐng)先的全光譜光源技術(shù)以捕獲最廣泛的缺陷類型，包括嚴(yán)重影響成品率的沉浸光刻缺陷。與以往的 2800 系統(tǒng)相比，在同等靈敏度條件下，新系統(tǒng)可在多種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)兩倍以上的生產(chǎn)能力。　　“在
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富士通兩款2Mbit FRAM內(nèi)存芯片上市

富士通微電子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM內(nèi)存芯片已開(kāi)始供貨上市，該產(chǎn)品號(hào)稱為目前全球可量產(chǎn)的最大容量FRAM組件。富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片內(nèi)建非揮發(fā)性內(nèi)存，具備高速資料寫(xiě)入、低功耗、大量寫(xiě)入周期等特點(diǎn)，適用于汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)、多功能打印機(jī)、測(cè)量?jī)x器及其它需使用非揮發(fā)性內(nèi)存來(lái)儲(chǔ)存各種參數(shù)、記錄設(shè)備操作條件與保存安全信息的各項(xiàng)高階應(yīng)用。 &nb
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]